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CONTENIDO RESUMIDO: 1- Introduccin 2- Osciladores 3- Mezcladores. 4- Lazos enganchados en fase (PLL). 5- Amplificadores de pequea seal para RF. 6- Filtros pasa-banda basados en resonadores piezoelctricos. 7- Amplificadores de potencia para RF. 8- Demoduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK). 9- Demoduladores de ngulo (FM, FSK y PM). 10- Moduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK). 11- Moduladores de ngulo (PM, FM, FSK y PSK). 12- Tipos y estructuras de receptores de RF. 13- Tipos y estructuras de transmisores de RF. 14- Transceptores para radiocomunicaciones
ATE-UO EC amp se 00
Zg
+
VCC
vg
Amplificador de seal de RF
ZL
ATE-UO EC amp se 01
Zg
is ie vg Ze
Zs vso
ZL
Amplificador de seal de RF
Potencia de entrada: pe = (ie ef)2Re[Ze] Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganancia de potencia: Gp = ps/pe
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GP es funcin de ZL
Zg
+
ve vg
Ye
-
iscc
Ys
-
vs
ZL
Amplificador de seal de RF
Zg
Zg
+
vg ZL
jXg
Rg ig jXL ZL
+
vg
Mxima transferencia de potencia (ZL = Zg*): Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg
ATE-UO EC amp se 04
RL
Zg
+
vg
Ze
Zs
vso
ZL
Amplificador de seal de RF
Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg] Potencia disponible de salida: psd = (vso ef)2/4Re[Zs] Ganancia de potencia disponible: Gpd = psd/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPd es funcin de Zg Valora la adaptacin de impedancias entre generador y amplificador
ATE-UO EC amp se 05
Zg
is
+
vg
+
Ze
Zs vso
ZL
Amplificador de seal de RF
Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg] Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganancia de potencia de tranduccin: Gpt = ps/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPt es funcin de Zg y ZL Valora la adaptacin de impedancias entre generador y amplificador y entre amplificador y carga
ATE-UO EC amp se 06
+
vg ve
+
50 W
20v
e
75 W
vs
-
AV = vs/ve = 2075/(300+75) = 4 = 20log(4) [dB] = 12,04 dB pe = (ve ef)2/50 ped = (vg ef)2/(475) ps = 75[20ve ef/(300+75)]2 psd = (20ve ef)2/(4300) ve = vg50/(50+75)
Gp = ps/pe = 10,67 = 10log(10,67) [dB] = 10,28 dB Gpd = psd/ped = 16 = 10log(16) [dB] = 12,04 dB Gpt = ps/ped = 10,24 = 10log(10,24) [dB] = 10,10 dB
ATE-UO EC amp se 07
Condiciones para la mxima transferencia de potencia entre el generador de seal y el amplificador y entre el amplificador y la carga
Re[Ze] = Re[Zg] Im[Ze] = - Im[Zg] Ze = Zg* Re[ZL] = Re[Zs] Im[ZL] = -Im[Zs]
ZL = Zs*
Zg
+
vg
+
Ze
Zs vso
ZL
Amplificador de seal de RF
ATE-UO EC amp se 08
Zg
+
vg
Red adaptacin
+
Ze
Zs
vso
ZL
Amplificador de seal de RF
Red adapt. de entrada
Ze
ZeRed sal = Zs*
ZL
ATE-UO EC amp se 09
+
ve
+ ve (75/50)1/2:1
+
50 W
+ vs 20ve 75 W
vs
-
vg
(300/75)1/2:1
vs = 0,520ve vs = (75/300)1/2vs
ve = 0,5vg
ve = (50/75)1/2ve
AV = vs/ve = 10(75/300)1/2(50/75)1/2 = 4,08 = 20log(4,08) [dB] = 12,21 dB pe = ped = (vg ef)2/(475) (50/75)1/20,5vg ps = psd = (20ve ef)2/(4300) ve =
+
vg ve
+ 50 W -
+
e
+ 50 W
vs
-
50v
200 W
200 W
+
ve
vg
2:1 ve
+
50 W
2:1
50 W
vs
50ve -
vs
-
Relacin de Ondas Estacionarias (ROE, SWR): En la entrada: ROEe = (1 + Ge)/(1 - Ge) En la salida: ROEs = (1 + Gs)/(1 - Gs)
Prdidas de potencia por desadaptacin PL: En la entrada: PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] En la salida: PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2]
ATE-UO EC amp se 12
+
Zo = Ro = 50 W
+
50 W
e
+ 50 W
vg
ve
-
vs
-
50v
i1
+ 1:n
i2
+
i1
+
i2 ni2
v1
-
v2
v1
-
v2
nv1
-
ATE-UO EC amp se 14
i1
i2
1:n +
v2 = v1n v2 = R2i2
i2 = i1/n
+
v1 v1
R1
+ -
Calculamos R1 = v1/i1:
v2
-
R2
R1 = v2/(i2n2) = R2/n2
R1 = R2/n2
i1
+
ni2 im Lm
1:n
i2
+
i1 = i2n + im Calculamos i1/v1 = Y1: Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lms) Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
ATE-UO EC amp se 15
v1
-
v2
-
R2
i1
+
ni2
i2
1:n +
im Lm
v1
-
v2
-
R2
Z1(jw) [W] R2
Z1(s), Y1(s)
Si llamamos R2 = R2 /n2, obtenemos:
0,7R2
fC
i1
+
ni2
i2
1:n
v1
-
Ld1 im
Lm
Ld2
v2
-
Modelo en T
i1
+ im1
ni2
i2
1:n +
v1
-
Ld
im2
Lm1
Lm2
v2
ATE-UO EC amp se 17
Modelo en p
+
v1 -
Ld
im
1:n
+ v2 R2
Lm
Modelo aproximado muy usado
Z1(s), Y1(s)
Z1(s) = Lds + R2Lms/(R2 + Lms) Z1(jw) = jwLd + jwR2Lm/(R2 + jwLm) Hay un cero en cero, un cero
R2
fCi
R2/10
fCs
0,1fC
fC
10fC
Ld
Lm Cp1
1:n
+
v2 Cp3
v1
Z1(s), Y1(s)
R2
Cp2
10R2
Z1(jw) [W]
Modelos que tienen en cuenta acoplamientos capacitivos de los devanados entre s y con el ncleo
R2 R2/10 R2/100
ATE-UO EC amp se 19
f1
10f1
100f1
1000f1
Rg
+
vg
1:n
Lm
Z1(jw) R2 = R2/n2
R2
Margen de uso
Z1(jw) [W]
R2
Por diseo: Rg = R2
R2 /10
ATE-UO EC amp se 20
0,1fC
fC
10fC
+
vg
Ld Lm
1:n
Cp1
R2
Modelo ms elaborado
Z1(jw) [W]
Z1(jw)
Por diseo: Rg = R2
R2 = R2
/n2
10R2
Domina Ld
R2 R2/10 R2/100
ATE-UO EC amp se 21
f1
10f1
100f1
1000f1
Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (I) Se aade un condensador para cancelar Rg
la reactancia inductiva de la inductancia magnetizante
+
vg Z1(jw)
Con Cr conseguimos:
Cr
Lm
1:n
R2
R2 = R2/n2
10R2
R2 R2/10 R2/100 f1
Z1(jw) [W]
Sin Cr
Con Cr
10f1
100f1
1000f1
Rg
+
vg
Cr
Lm
1:n
C2
R2
Y1(jw) =1/R2 + jwC2
Cr = Cr + C2n2
fr =
1 2p LmCr
ATE-UO EC amp se 23
Uso de un transformador como adaptador de impedancias de banda estrecha (III) Con un modelo ms exacto
del transformador
Rg
+
vg Z1(jw)
Ld
1:n Cp1
Cr Lm
10R2 R2 Z1(jw) [W]
R2
Con Cr
Sin Cr
R2/10
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (I)
Rg
+
vg
Ze
jXs
RL jXp
Supongamos inicialmente impedancias resistivas en el generador y la carga Calculamos Ze: Ze = jXs + jXpRL/(jXp + RL) = jXs + jXpRL(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =
ATE-UO EC amp se 25
[j(RL2Xs + Xp2Xs + RL2Xp) + Xp2RL]/(RL2 + Xp2) Condicin de Im[Ze] = 0 y Re[Ze] = Re a wo: 0 = RL2Xs(wo) + Xp2(wo)Xs(wo) + RL2Xp (wo) (1) Re = Xp2(wo)RL/[RL2 + Xp2(wo)] (2) De (2) se obtiene: Xp(wo) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3) Y de (1) y (3) se obtiene: -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4)
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (II) Rg
Partimos de que para que Re[Ze] = Re y Im[Ze] = 0: Xp(wo) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 Tambin: -Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo)
+
vg
Ze = Re
Conclusiones:
jXs
RL
jXp
De (1) 0 = RL2Xs(wo) + Xp2(wo)Xs(wo) + RL2Xp(wo) se deduce que Xs y Xp deben ser de distinto tipo (un condensador y una bobina) De (3) y (4) se deduce que en esta topologa tiene que ser Re < RL Posible realizaciones fsicas: Pasa bajos: Xs una bobina y Xp un condensador Pasa altos: Xs un condensador y Xp una bobina
ATE-UO EC amp se 26
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (III)
jXs
Ze = Re
RL jXp
-Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo) (5) Re < RL Opcin pasa bajos
Pasa bajos
L
Ze = Re
RL C
Particularizamos: Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo) Sustituimos en (4) (con signo -) y en (5): Lwo = [Re(RL-Re)]1/2 1/(Cwo) = RLRe/(Lwo) L/C = RLRe
ATE-UO EC amp se 27
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (IV)
jXs
Ze = Re
RL jXp
-Xs(wo) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(wo) = -RLRe/Xs(wo) (5) Re < RL Opcin pasa altos
Pasa altos
C RL
Particularizamos: Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo Sustituimos en (4) (con signo +) y en (5): 1/(Cwo) = [Re(RL-Re)]1/2 Lwo = RLReCwo L/C = RLRe
Ze = Re
ATE-UO EC amp se 28
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (V)
Se puede conseguir que se adapten impedancias con Re > RL? Para explicarlo, un poco de Teora de Circuitos
1 Teorema de Reciprocidad
a c a c
+
v1
b
Red
pasiva
d
i2
i2
b
Red pasiva
d
+
v1
Si excitamos en tensin entre a-b y medimos la corriente de corto entre c-d, el resultado es mismo que si excitamos en tensin entre c-d y medimos la corriente de corto entre a-b
ATE-UO EC amp se 29
2 Teorema de Reciprocidad para cuadripolos no disipativos, cargados con una resistencia y con impedancia de entrada resistiva igual a la del generador
Rg
a Red
RL iL
+
pab
pasiva no
disipativa
vg
Rg
b a
Balance de potencias: pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2RL Por tanto: (iL ef)2 = (vg ef)2/(4RgRL) Balance de potencias: pcd = (iL ef)2Rg Sustituyendo el valor de iL ef: pcd = (vg ef)2/(4RL) Para que esto ocurra:
d c Red
Rg
iL
RL
+
pcd
d
pasiva no disipativa b
vg
Zcd
Zcd = RL
ATE-UO EC amp se 30
Conclusin
Para cuadripolos no disipativos, cargados con una resistencia y con impedancia de entrada resistiva Si se cumple: a Red pasiva no c
R2
d
disipativa
Zab = R1
Entonces:
R1
ATE-UO EC amp se 31
Zcd = R2
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VI)
-Xs(wo) = [R1(R2-R1)]1/2 c a Xp(wo) = -R2R1/Xs(wo) a R1 < R 2 c
jXs
Zab = R1
R2 jXp
R1
jXs
Zcd = R2
jXp
b R1 = R L R2 = R e d
R1 = Re R2 = RL
Dibujando de nuevo:
Rg
+
vg
Ze = Re
jXs
jXp
RL
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VII)
jXs
Ze = Re
Pasa bajos
jXp
RL
-Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) (5) RL < Re Opcin pasa bajos
L
Ze = Re
RL
Particularizamos: Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo) Sustituimos en (4) (con signo -) y en (5): Lwo = [RL(Re-RL)]1/2 1/(Cwo) = ReRL/(Lwo) L/C = ReRL
ATE-UO EC amp se 33
Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de impedancias sin transformador (VIII)
jXs
Ze = Re
Pasa altos
jXp
RL
-Xs(wo) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(wo) = -ReRL/Xs(wo) (5) RL < Re Opcin pasa altos
C
Ze = Re
RL
Particularizamos: Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo Sustituimos en (4) (con signo +) y en (5): 1/(Cwo) = [RL(Re-RL)]1/2 Lwo = ReRLCwo L/C = ReRL
ATE-UO EC amp se 34
Resumen
L
Ze = Re
RL C
Ze = Re
RL
L
L
Ze = Re
C
RL
Ze = Re
RL
jXs
R1
b
jXp
d
R2
L
a c
Lwo = [R1(R2-R1)]1/2
R1 C
b d
R2
Cwo = [R1(R2-R1)]-1/2
R1
b
L
d
R2
L = 1,38mH
+ C= 138pF
Ze
200 W
L = 1,38mH
+
50 W
+
ve
vg 200 W
+
50 W
vs 50ve 200 W
300 Z e [W ]
vs
-
C= 138pF
Ze = Ze
Re[Ze]
0 -200
Im[Ze] 6 10 14
ATE-UO EC amp se 38
f [MHz]
L
Ze = Re
300
RL
200
RL = 100 W C = 80 pF
-200
10
f [MHz]
14
Conclusin: cuanto mayor es la diferencia de impedancias, ms crtico es el margen de frecuencia de adaptacin. Lo mismo ocurre en las otras redes
jXs
Zg
Rg
jXg
jXs
jXp
ZL
jXL RL
+
vg
jXp
Xs y Xp son los valores calculados por las frmulas anteriores Xs y Xp son los valores a colocar Xs = Xs + Xg Xp = XpXL/(Xp + XL) Xp = XpXL/(XL - Xp)
ATE-UO EC amp se 40
RL = 40 W
Re = 20 W
fo = 10 MHz
RL = 40 W
C = 298 pF
ATE-UO EC amp se 41
CL = 100 pF
Ejemplo de uso imposible con la red propuesta L = 0,32 mH Re = 20 W fo = 10 MHz C = 398 pF L = 0,32 mH Re = 20 W fo = 10 MHz C = - 102 pF
RL = 40 W
RL = 40 W
CL = 500 pF
ATE-UO EC amp se 42
fo = 10 MHz
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz j155,9 W
Maneras de conseguir la reactancia inductiva necesaria a 10 MHz: Una bobina Un circuito LC paralelo (infinitos casos posibles) Un circuito LC serie (infinitos casos posibles) LP = 0,64 mH CP = 295,8 pF LP = 1,27 mH CP = 96,8 pF LP = 2,12 mH CP = 17,3 pF
En los tres casos se consigue adaptacin, pero su respuesta en frecuencia ser distinta
2,48 mH
ATE-UO EC amp se 44
LP
CP
LP CP
jXp = -j40 W
Ze [W]
40
RL = 40 W
f [MHz]
14
Red bsica
Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)
L
a c
R1
b
R2
d
R1
b
L
d
R2
Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (II)
Otras redes (I)
ATE-UO EC amp se 47
Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (III)
Otras redes (II)
ATE-UO EC amp se 48
+ Vcc
1:n
C Re2
real
ve2
-
C1
+
G CS
D S RS
ATE-UO EC amp se 49
ve1
-
Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (II) Rs1 1:n
+
vs1o
Etapa 1
ideal
Re2 Etapa 2
ve2
Rs1 is1cc
ATE-UO EC amp se 50
+ ve2
Re2 Re2 = Re2/n2 ve2 = ve2/n
+ ve2 is1cc R
R = Re2Rs1/(Re2 + Calculamos la transferencia ve2/is1cc: Rs1) ve2/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs2] Anlisis senoidal permanente (s = jw): ve2/is1cc = ZLCR(jw) = jLw /(1 - LCw2 + jLw/R) = R/[1 + jR(LCw2 - 1)/(Lw)] Nos fijamos en el trmino (LCw2 - 1)/(Lw) y llamamos wo = 1/(LC)1/2:
Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (IV) + ve2 is1cc
Por tanto:
R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)
ZLCR(jw) R/[1 + jR2(w - wo)/(Lwo2)] Para calcular las frecuencias de corte establecemos las condiciones en las que ZLCR(jw) cae 3dB con relacin ZLCR(jwo): ZLCR(jwc) = ZLCR(jwo)/21/2 wc = wo Lwo2/(2R) = wo wo/(2Q), siendo Q = R/(Lwo). Por tanto: wcs = wo + wo/(2Q), wci = wo - wo/(2Q) y Dwo = wcs - wci = wo/Q
ATE-UO EC amp se 52
Dfo = fo/Q
ZLCR R R/ 2
ZLCR
Q=5 Q=10 Q=20
wo = 2pfo
0 90
ZLCR []
0
Q=10
wo = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lwo)
Dfo fo/Q
Q=20 Q=5
-90 0,6fo fo
1,4fo
ATE-UO EC amp se 53
Estudio del ancho de banda de amplificadores con un circuito sintonizado (VI) Valoracin de la aproximacin:
(w/wo + 1)(w/wo - 1)/(Lw) 2(w - wo)/(Lwo2) R R/ 2 aprox. aprox.
0
ZLCR Q=5
ZLCR []
90
aprox.
0
Q=5
aprox.
-90
ATE-UO EC amp se 54
0,6fo
fo
1,4fo
+ Vcc
C2
1:n2
+
M
real
Re2 G D S ve1
ve2
-
Rg
+
vg
1:n1
C1
real
RS CS
ATE-UO EC amp se 55
Coilcraft
Coilcraft
ATE-UO EC amp se 56
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp se 57
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp se 58
Toko
Toko
Coilcraft
Toko
ATE-UO EC amp se 59
Transformadores de RF
Coilcraft
Mini circuit
ATE-UO EC amp se 60
Re2
real
ve2
-
Rg
G
1:n1 +
D S ve1 RS CS
+
vg
C1
real
+ ve1
igcc/n1
C1
R1
L1
gFETve1
+ ve2
C2
R2 ve2 = ve2/n2
L2
igcc = vg/Rg
ATE-UO EC amp se 61
C1
R1
L1
gFETve1
+ ve2 R2
C2
L2
Ecuaciones:
igcc = vg/Rg ve2 = ve2n2 ve1n1/igcc = ZLCR1(jw) = R1/[1 + jR1(L1C1w2 - 1)/(L1w)] ve2/(gFETve1) = ZLCR2(jw) = R2/[1 + jR2(L2C2w2 - 1)/(L2w)] Por tanto: ve2/vg = ZLCR1(jw)ZLCR2(jw)[gFETn2/(Rgn1)] = kFLCR(jw), siendo:
FLCR(jw) = ZLCR1(jw)ZLCR2(jw)/(R1R2)
ATE-UO EC amp se 62
Q=5
1/ 2 Aumenta la atenuacin de frecuencias indeseadas Disminuye el ancho de banda
0
ATE-UO EC amp se 63
1 Etapa
2 Etapas
0,6fo
fo
1,4fo
Q=5
1 Etapa
2 Etapas
fo
1,4fo
Determinacin del ancho de banda en amplificadores con varios circuitos sintonizados a la misma frecuencia y con el mismo Q (I)
vg
Etapa 1
Etapa 2 Etapa 3
Etapa 4
vs L4 C4 R4
L1 C1 R1
L2 C2 R2
L3 C3 R3 Dfo fo/Q
Usamos las expresiones aproximadas: ZLCR(jw) R/[1 + jR2(w - wo)/(Lwo2)] Condicin de cada de 3dB a wc: FLCR(jwc) = FLCR(jwo)/21/2 21/2 = [1 + [R2(wc - wo)/(Lwo2)]2]n/2 [21/n 1]1/2 = R2(wc - wo)/(Lwo2); llamamos k(n) = [21/n 1]1/2 Entonces: wc = wo k(n)Lwo2/(2R) = wo k(n)wo/(2Q) Dfo = k(n)fo/Q Como Dfo = k(n)fo/Q y k(n) < 1, disminuye el ancho de banda
ATE-UO EC amp se 65
Determinacin del ancho de banda en amplificadores con varios circuitos sintonizados a la misma frecuencia y con el mismo Q (II)
wo = 2pfo wo = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lwo) Dfo [21/n 1]1/2fo/Q
FLCR(jw) [dB]
0
1 Etapa
-20
Q=5
-40
2 Etapas
-60 0,1fo
ATE-UO EC amp se 66
4 Etapas
fo
10fo
fo1
fo2
1 Etapa
0 fo(1-3/Q)
ATE-UO EC amp se 67
2 Etapas
fo
fo(1+3/Q)
FLCR(jw) [dB]
0 -3
Q=5
-20
Aumenta la atenuacin de frecuencias indeseadas Se puede conseguir una respuesta bastante plana en la banda deseada
1 Etapa
-40
2 Etapas
-60 0,1fo fo
Menor ganancia
10fo
ATE-UO EC amp se 68
m = 1,5
1 Etapa
0 fo(1-3/Q)
2 Etapas
fo
fo(1+3/Q)
ATE-UO EC amp se 69
Estudio de dos etapas con sintona escalonada y con el mismo Q (IV) Influencia de m, en escala logartmica
FLCR(jw) [dB]
0 -3 dB
m = 1,5
Q=5
-20
1 Etapa
-40
m=1
2 Etapas, m = 2
-60 0,1fo 10fo
ATE-UO EC amp se 70
fo
Q=5
-20
1 Etapa C
Opc. A Opc. B
Opcin A: fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)] Opcin B: fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)] Opcin C: fo2= fo/[1 + 1/(2Q)] fo3= fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3[1 + 1/(2Q)]/[1 - 1/(2Q)]
-40
2 Etapas
-60 0,1fo
4 Etapas fo
10fo
ATE-UO EC amp se 71
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (I)
Rg
C2
1:n1
+
vg
C1
C1 L
1:n2
L
real
Re1
real
ve1
-
Rg = R
C2 C1 L C1 L
+
+
vg
ATE-UO EC amp se 72
ve1
-
Re1 = R
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (II)
Rg = R
C2 C1 L C1 L
+
+
vg
ve1
-
Re1 = R
FLCR(jw) [dB]
0
Q=5
-20
k=1
-40
-60 0,1fo
k = 20
fo
10
10fo
ATE-UO EC amp se 73
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (III)
Rg = R
C2 C1 L C1 L
+
+
vg
ve1
-
Re1 = R
FLCR(jw)
Q=5
k=2 k=5 10 k = 20
0 0,6fo fo
k=1
Dnde salen los dos picos de resonancia y cundo sale slo uno?
1,4fo
ATE-UO EC amp se 74
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (IV) Z2
C2
C1
v
igcc
C1 L Z1 R
ve1
-
L
Z1
Ecuaciones: v/igcc = [Z1(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) y ve1/v = Z1/(Z1 + Z2) Por tanto: ve1/igcc = Z12/(2Z1 + Z2) Mximos posibles: Si Z1 es muy grande resonancia paralelo de Z1 wo1 = 1/(LC1)1/2 Si 2Z1 + Z2 es muy pequea resonancia serie de 2Z1 y Z2
ATE-UO EC amp se 75
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados por condensador (V)
Z2
+ C1 C2 C1 L R +
v
igcc
ve1
-
Z1
Z1
Efectuamos un anlisis senoidal y suponemos R muy grande: 2Lwo2/(1 - LC1wo22) - jC2wo2 0 wo2 1/[L(C1 + 2C2)]1/2 Por tanto: wo1 wo2(1 + 2C2/C1)1/2 wo1 wo2(1 + 2/k)1/2 Hay dos picos cuando, aproximadamente: wo1 - wo2 > wo1/(2Q) + wo2/(2Q) k < (2Q-1)2/4Q Q (si Q es grande)
ATE-UO EC amp se 76
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (I)
Acoplamiento no ideal
Rg
+
vg 1:n1
C1
C1
1:n2
Acoplamiento ideal
Re1
ve1
-
Rg = R
Acoplamiento ideal
+
vg
Ld1 C Lm
Ld2 Ld1
ve1
Re1 = R
ATE-UO EC amp se 77
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (II)
Acoplamiento capacitivo
Z1
Z1
C1
v
igcc
C2 Z2
C1 L R
ve1
-
Acoplamiento inductivo
Z1
Ld
igcc
Z1 +
Ld Lm
Z2
ve1
C
R -
ATE-UO EC amp se 78
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (III)
Z1
Ld
igcc
Z1 +
Ld Lm
Z2
ve1 C
R -
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados: dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (IV)
Rg = R
+
vg
Ld1 C Lm
Ld2 Ld1
ve1
Re1 = R
FLCR(jw) [dB]
0
Hemos llamado:
Q=5
k=1
wo = 2pfo
wo = 1/(LdC)1/2 Lm = Ld/k Q = R/(Ldwo) FLCR(jw) = ve1/vg
-20 2
-40
5
10
-60 0,1fo
k = 20
fo
10fo
ATE-UO EC amp se 80
Zg
ie
+
is
+
+
vg
ve
- y11 y12vs
vs
y21ve y22 -
ZL
Dispositivo activo
ie y11 ve
Valores:
y12
vs 0
ie vs is vs
ve 0
is y 21 ve
y22
vs 0
ve 0
ie
is
+
ve
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
vs
ie y11 ve is y 21 ve
ATE-UO EC amp se 82
vs
ie
+
is
+
+
vs
ve
- y11 y12vs
y21ve
y22
vs
y12
ie vs is vs
Admitancia de transferencia inversa con entrada en corto ve 0 Admitancia de salida con entrada en corto
ve 0
y22
ATE-UO EC amp se 83
ie
+
is
+
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
vs
ie
is
+
ve
- y11
y12vs y21ve y22 -
vs
id
+
D
vgs
yis yrsvds yfsvgs
S
vds
yos -
yis = gis + jbis yrs = grs + jbrs yfs = gfs + jbfs yos = gos + jbos yig = gig + jbig yrg = grg + jbrg yfg = gfg + jbfg yog = gog + jbog yid = gid + jbid yrd = grd + jbrd yfd = gfd + jbfd yod = god + jbod
ATE-UO EC amp se 86
is
S
id
+
D
vsg
yig yrgvdg yfgvsg
G
vdg
yog -
ig
G
id
+ S
vgd
yid yrdvsd yfdvgd
D
vsd
yod -
Montajes con varios transistores: Cascodo: emisor (o fuente) comn + base (o puerta) comn buen ancho de banda, buena ganancia de potencia Etapa diferencial: ganancia regulable por una tensin de control
ATE-UO EC amp se 87
S
+ ve -
*
G
D + vs -
Respuesta en frecuencia: Capacidades parsitas en entrada y en salida sin efecto Miller (no hay capacidad entrada-salida que sea equivalente a una nueva capacidad de entrada muy aumentada al ir multiplicada por la ganancia de tensin) gran ancho de banda
ATE-UO EC amp se 88
+ ve -
* S
+ ve -
*D
+ vs -
Respuesta en frecuencia:
Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida, pero la ganancia de tensin es menor que 1 hay efecto Miller, pero poco significativo al ser la ganancia de tensin menor que 1 gran ancho de banda
ATE-UO EC amp se 90
50 W
G + vGS 4 pF
2 pF
2 pF
D
vg
+ vs -
R gmvGS L
S
gm = 0,02 W-1
Fuente comn
gm = 0,02 W-1
gmvGS
50 W
vGS
S 4 pF -
+
-
RL
2 pF + G
+ vs
50 W G
vg
4 pF S gmvGS RL
gm = 0,02 W-1
+
vg
2 pF D
+ vs -
vGS
Puerta comn
Drenador comn
ATE-UO EC amp se 91
2 pF
vs/vg [dB]
Fuente comn Puerta comn
RL = 200 W
0 Drenador comn
Ojo! En este caso particular el drenador comn tiene mayor ancho de banda que el puerta comn. Esto no siempre ocurre en transistores bipolares.
-20
ATE-UO EC amp se 92
S G D
*
G
D + vs -
ve
+
-
* S
Zegc 1/gm
(pequea)
Baja impedancia de entrada Baja ganancia de corriente Alta ganancia de tensin Buena respuesta en frecuencia
Baja ganancia de tensin (por Zegc baja) Buena respuesta en frecuencia (por baja ganancia de tensin)
ATE-UO EC amp se 93
+
vg ve
+ -
*
Zebc pequea
+ vs -
RL
vs/vg [dB]
40 Cascodo
B + vBE rBE 4 pF
2 pF
20
gmvBE
gm = 0,3 W-1
rBE >> 50 W
-20
RL = 200 W
-40 1
ATE-UO EC amp se 94
10
104
RL
RL
Es decir:
+
+
vs
vs/vd -0,5RaiO/VT
Por tanto, la ganancia se puede controlar mediante el valor de io Es fcil realizar fscamente el Control Automtico de Ganancia (CAG o AGC)
v
d
iO
- VCC
iO
- VCC
iO
- VCC
ATE-UO EC amp se 95
+ VCC RL RL vs
Rg/2
+
vg/2
+
vg/2 Rg/2
CAG
iO
- VCC
ATE-UO EC amp se 96
B +
CBE rBE
CBC
+
vg/2
vs
C CBC
CBE
B +
rBB
Rg/2 vg/2
vBE
vBE
gmvBE
RL
RL
gmvBE
rBE
E
rBB
E
CBC CBE
B +
C
RL Rg/2
+ VCC RL vs
vBE
rBE
gmvBE
E
vg/2
+ +
vg/2 Rg/2
CAG
iO
ATE-UO EC amp se 97
- VCC
ig
Rg/2
B
rBB
ig
B +
CBE rBE gmvBE CBC
+
vg/2
vs
C CBC
CBE
B +
rBB
Rg/2 vg/2
vBE
vBE
RL
RL
gmvBE
rBE
E
rBB
ie
CBC CBE
ie
C
B +
ic = 0
vBE
rBE
gmvBE
E
ATE-UO EC amp se 98
B +
CBE rBE
CBC
+
vg/2
+ + -
vs
C CBC
CBE gmvBE
B +
rBB
Rg/2 vg/2
vBE
gmvBE
RL
vs/2 vs/2
vBE
+ RL
rBE
Rg/2
rBB
B +
CBE rBE
CBC
+
vg/2
+
vs/2
vBE
gmvBE
RL
ATE-UO EC amp se 99
+ VCC
RL
+
Rg
vs
RL
+
vg
CAG
iO
- VCC
ATE-UO EC amp se 100
La respuesta en frecuencia es propia de un colector comn seguido de un base comn menor ganancia, pero mayor ancho de banda
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (I)
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (II)
Cascodo realizado con etapa diferencial. El CAG se realiza actuando en la polarizacin del transistor en emisor comn
Parmetros de admitancia del CA3028 (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (I)
Parmetros de admitancia del CA3028 (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (II)
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de FI con el circuito integrado MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (I)
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de FI con el circuito integrado MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (II)
Parmetros de admitancia del MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (I)
Parmetros de admitancia del MC1350 (obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (II)
CA3028 MC1350
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con JFETs (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)
Circuito doblemente sintonizado Mezclador
Oscilador y separador
Mezclador
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con JFETs (obtenidos del ARRL Handbook 2001) (II)
Amplificador de CAG