II.

UNIDAD

ESTADO SOLIDO

I.Q. IRMA ALICIA AMADOR Z.

Porqu estudiar slidos?

TODOS los compuestos son slidos bajo
ciertas condiciones de temperatura y presin.

En la Ingeniera Electrnica se utilizan las propiedades del estado slido a nivel molecular.

Estado slido
Forma fija y volumen fijo. Las molculas ocupan una posicin rgida y prcticamente no tienen libertad para moverse. Muchos slidos tienen como caractersticas un ordenamiento en sus molculas formando estructuras cristalinas.

Propiedades del Estado Slido

Hay menos espacio vaco. Son casi incompresibles. Densidad alta. Pueden estar compuestos de tomos, molculas y iones.

Clasificacin de slidos por sus enlaces

Slido molecular
Slido inico Slido covalente Slido metlico

H2O
Na - Cl c-c Au -Au

SOLIDO COVALENTE
Asociacin de tomos por enlaces covalentes por lo que el cristal entero es la molcula. Muy estable Altos puntos de fusin Insoluble en solventes comunes No conducen electricidad Ejemplos: Diamante y grafito

Estructura del diamante

La fuerza de los enlaces covalentes es lo que produce gran dureza.

+ +

+ +

+ + +

Metano

SOLIDO
Estructura Molecular

Slido cristalino Slido amorfo Slido policristalino

Arreglo ordenado Arreglo no ordenado Arreglo ordenado y al azar

Slidos cristalinos
Sus tomos estn ordenados en disposiciones bien definidas. Estos slidos suelen tener superficies planas o caras que forman ngulos definidos entre s. La forma geomtrica que adquieren se repite peridicamente en 3 dimensiones.

Slido Cristalino
Los cristales se producen cuando un lquido forma lentamente un slido. Esta formacin puede resultar: congelacin de un lquido, el depsito de materia disuelta la condensacin directa de un gas en un slido.

Estructura del diamante y grafito

Slidos amorfos
Del griego sin forma, es un slido que sus partculas no tienen una estructura ordenada. No tiene formas ni caras bien definidas. Sus molculas no pueden apilarse bien. Generalmente son molculas grandes y complejas. Ejemplos: vidrio y hule

Composicin de 3 tipos de vidrio

Elementos de simetra
La simetra se describe en trminos de : elementos y operaciones de simetra. Hay 3 elementos de simetra:
Plano, Eje y Centro

Hay 3 operaciones de simetra: Reflexin en un plano Rotacin alrededor de un eje Reflexin a travs de un centro de simetra

Plano de simetra
Es el plano que divide la estructura exactamente en 2 partes iguales.
9 planos de un cubo

Eje de simetra
Los cuerpos pueden rotar alrededor de un eje imaginario para obtener una imagen idntica. Puede aparecer 2 ms ocasiones durante una rotacin de 360.
6 E2
6 ejes binarios

Eje de simetra
Si aparece 2 veces por rotacin se llama: binario E2. Si se presenta 3 veces se llama ternario E3, si se presenta 4 veces se llama cuaternario E4 y si se presenta 6 veces se llama senario E6.
3 E4
4 E3
4 ejes ternarios 3 ejes cuaternarios

Operaciones de simetra

Operaciones de simetra

Operaciones de simetra

Saphir issu d'un calc

Los rayos X son radiaciones electromagnticas, como lo es la luz visible, o las radiaciones ultravioleta e infrarroja, y lo nico que los distingue de las dems radiaciones electromagnticas es su llamada longitud de onda, que es
del orden de 10 -10

(equivalente a la unidad de longitud

Angstrom).
Los rayos X que ms interesan en el campo de la Cristalografa de rayos X son aquellos que disponen de una longitud de onda prxima a 1 Angstrom y corresponden a una frecuencia de aproximadamente 3 millones de THz (tera-herzios) y a una energa de 12.4 keV (kilo-electrn-voltios), que a su vez equivaldra a una temperatura de unos 144 millones de grados.

Difraccin de una onda

Las ondas son capaces de traspasar orificios y bordear obstculos. Si encuentra una barrera con una pequea abertura, la onda se incurva y se extiende a su travs en forma esfrica o circular, funcionando la abertura como un nuevo foco de la misma onda. Es la difraccin. La magnitud de este fenmeno depende de la relacin entre la longitud de onda y el tamao de la abertura.

 Los rayos X interaccionan con los electrones exteriores. Estos reemiten la radiacin electromagntica incidente en diferentes direcciones con pequeos cambios en su frecuencia, a esto se llama Dispersin de Raleigh.
Los rayos X reemitidos desde tomos cercanos interfieren entre s constructiva o destructivamente. Esto es Difraccin.

 Prcticamente todo lo que se conoce sobre la estructura cristalina se ha aprendido gracias a los estudios de difraccin de los Rayos X.

Difraccin de los rayos X

Se refiere a la dispersin de los Rayos X por las unidades de un slido cristalino. Con los patrones de dispersin (o difraccin) es posible deducir: que hay un ordenamiento de las partculas en la red cristalina

En sus primeros experimentos, Max von Laue us radiacin contnua (con todas las longitudes de onda posibles) incidiendo sobre un cristal estacionario. De este modo, el cristal generaba un conjunto de haces que representan la simetra interna del cristal.

Fsico alemn Premio Nobel 1914

Max von Laue

Mtodo de Laue
Sugiri que si un cristal est formado realmente por una disposicin ordenada de tomos, los planos atmicos del cristal actuaran como una rejilla de difraccin para los rayos X.

 En 1912 el fsico alemn Max von Laue sugiri correctamente que debido a que la longitud de onda de los Rayos X es comparable con la magnitud de las distancias que hay entre 2 puntos reticulares en un cristal. Este mtodo es muy complicado por lo que se Bragg utiliz posteriormente la rejilla de reflexin.

La Ecuacion de Bragg

 William Lawrence Bragg .Colabor en las investigaciones que estaba llevando a cabo su padre en cuanto a los fenmenos de refraccin y difraccin de los rayos X, y por estas investigaciones le fue otorgado el premio Nobel de Fsica en 1915, junto con su padre. Juntos desarrollaron una ley llamada en su honor Ley de Bragg.

REFLEXION

Analoga
Consideremos que los planos cristalogrficos

actan como espejos semitransparentes en

los que la radiacin incidente es absorbida por los tomos y luego es reemitida por cada uno de ellos lo que nos muestra una imagen de la red cristalina.

Esta ley nos permite de una manera mas exacta determinar longitudes y ngulos de enlace de las molculas del compuesto cristalino.

Ley de Bragg
Donde: n es un nmero de onda(1 onda) es la longitud de onda de los rayos X, d es la distancia entre los planos de la red cristalina es el ngulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersin.

Mtodo de Bragg

As que cada haz difractado corresponder al primer orden de difraccin (n=1) de una cierta longitud de onda, al segundo orden (n=2) de la longitud de onda mitad (l/2), al tercer orden n=3 de la longitud de onda l/3, etc. Por lo tanto, el diagrama de Laue es simplemente una proyeccin estereogrfica de los planos del cristal.

 La capacidad de dispersar rayos x depende del numero de electrones de un tomo. Adems como los tomos de un cristal estn alineados en planos, cada plano difracta los rayos x. Como Friedrich empleo rayos x no homogeneos, su primer patron de difraccion fue muy dificil de interpretar. Henry Bragg y su hijo simplificaron el caso empleando rayos x casi monocromaticos con un intervalo de longitud de onda muy angosto. La explicacion de William Bragg para este fenomeno se presenta en la siguiente figura:

Mtodo de Bragg

Haz monocromtico

APLICACIN DE LA ECUACION DE BRAGG

A partir del conocimiento de los ngulos de difraccin que se observan experimentalmente se pueden determinar los espaciamientos interplanares de un cristal. Despus conociendo los espaciamientos de la celda

unitaria se determina su tamao y su forma.

Ley de Bragg Una muestra de aluminio es colocada en un difractmetro de rayos x utilizando rayos incidentes de una onda que tiene de longitud .1286nm. La difraccin a partir de los planos se obtiene a 2 = 36.56 Calcule el valor de la constante de red para el aluminio.

Solucin:
Formula: n = 2dsen d=? n=1 Despeje: d= / 2sen

Sustitucin: 2 = 36.56 d= .1286 / 2(sen 18.28)=.2026nm =.1286nm

 1.-Alfa-Cuarzo

>>>>>

2.-Grafito

>>>>>

3.-Diamante

>>>>>

Esta constituda por varios cristales.

Indices de Miller
La orientacin de un cristal es importante en la fabricacin de semicondutores.

Las propiedades de un equipo dependen de la red cristalina. Miller desarrolla un mtodo convencional para especificar planos y direcciones de un cristal.

Indices de Miller
William Hallowes Miller (1801-1880) Cristalgrafo ingls que public en 1839 un Tratado de cristalografa. Utilizaba ejes de referencia paralelos a las aristas del cristal. Utilizaba ndices recprocos.

INDICES WEISS MILLER

Un cristal tiene planos de tomos y la distribucin de estos influyen en las propiedades y en comportamiento del cristal. Los planos de la red ms fcilmente visibles son aquellos que dan forma a la celda unitaria.

INDICES DE WEISS Y MILLER

Se conoce como ndices de Weiss a las distancias unitarias a, b, c, que interceptan a los planos de un cristal. Las distancias unitarias que se conocen como ndices de Weiss. Pero como son complicados de manejar se utilizan los de Miller, los cuales se obtienen de los valores recprocos de Weiss.

Indices de Weiss y Miller

El plano dentro de la celda intercepta a los ejes:
ndices de Weiss

b) Se multiplican todos los valores por un nmero que los convierta en enteros. En este caso es 6:

Planos cristalinos cbicos

Planos cristalinos cbicos

PROBLEMA
El sodio tiene una estructura cristalina FCC (centrado en las caras) y una celda con una constante de red de 361 nm. Cul es la distancia interplanar?

TIPOS DE CELDA CUBICA

TIPOS DE CELDA

Empaquetamiento compacto

A)

B)

RADIO ATOMICO

TIPO DE CELDA

RADIO ATOMICO

Nmero de tomos por celda

Los tomos de la red cristalina estn compartidos por las celdas unitarias vecinas

En los vrtices = 1/8 de tomo (c/tomo en 8 celdas) En el centro = 1 tomo En las caras = tomo (c/tomo en 2 celdas)

Nmero de tomos en la estructura cbica simple

Consta de 1/8 de tomo X 8 vrtices =

1 tomo

Nmero de tomos en la estructura cbica simple

Consta de 1/8 de tomo X 8 vrtices =

1 tomo

Nmero de tomos en la estructura cbica centrada en el cuerpo

Consta de 1/8 de tomo X 8 vrtices =

1 tomo + 1 tomo
2 tomos

Nmero de tomos en la estructura cbica centrada en las caras

Consta de 1/8 de tomo X 8 vrtices =

1 tomo + 3 tomos
4 tomos
6 caras x tomo = 3 tomos

Nmero de tomos por celda

Tabla peridica

CONDUCTORES
El electrn externo de cada tomo metlico se llama electrn de valencia. Estos electrones deslocalizados interaccionan y se interpenetran unos con otros de tal forma que sus niveles de energa atmicos se ensanchan formando bandas de energa

Energa Por nivel

Ncleos

CONDUCTORES
La conduccin metlica requiere la presencia de niveles parcialmente vacos en donde los electrones se puedan mover las bandas se traslapen con una banda vaca.

AISLANTES
La banda de valencia y la banda de conduccin estan separadas por una zona llamada prohibida (para saltarla se requiere de 6 a 7 eV para el diamante).
Energa Banda de conduccin vaca

Zona prohibida ancha

Energa trmica Zona de valencia llena

SUPERCONDUCTIVIDAD
Es la ausencia de resistencia en un material conductor en un flujo contnuo de corriente. Es una propiedad especial de varios materiales a muy bajas temperaturas (4K). (Se utiliza helio lquido)
Pueden ser elementos, aleaciones, compuestos y cermicos. Son diamagnticos, esto es, los campos magnticos no pueden penetrarlos (efecto Meissner) y pequeos magnetos poderosos pueden flotar arriba de una superficie plana superconductora.

SUPERCONDUCTORES
La primera teora de la superconductividad fue propuesta en 1957 por los fsicos estadounidadenses Bardeen, Schrieffer y Cooper (teora BCS) basndose en que los electrones pueden estar enlazados por pares mediante fonones. El fonn es un cuanto de energa vibracional, pueden vencer la repulsin electros ttica entre 2 electrones y enlazarlos. Por estos estudios ganaron el premio Nobel 1972. Bardeen en 1956 recibi el premio Nobel por el descubrimiento del transistor. Sin embargo, faltan detalles que explicar, por lo que se estan desarrollando nuevas teoras. Adems de que se estan buscando nuevos compuestos superconductores a temperaturas intermedias.

APLICACIONES
Fuertes magnetos superconductores sin hierro, utilizados como aceleradores de partculas, instrumentos de resonancia magntica, trenes levitantes, refrigeradores magnticos y mediciones de campos magnticos muy sensibles.

SEMICONDUCTORES
Slidos cuya zona prohibida es suficientemente pequea para permitir a los electrones de la banda de valencia saltar a la banda de conduccin por exitacin trmica se llama semiconductor. (entre aislante y conductor)
Energa

Banda de conduccin vaca

Energa trmica

Zona prohibida pequea Zona de valencia llena

INTRINSECOS
Los elementos del grupo IVA de la tabla peridica (C, Si, Ge, Sn) tienen 2 electrones externos y valencia 4. Se espera una alta conductividad pues su banda p no esta llena.
2 electrones

2 electrones

INTRINSECOS
Sin embargo, los enlaces covalentes los mantienen rgidamente unidos. Aunque su estructura es parecida a la del diamante, su zona prohibida

es menor.

De hecho en el Sn la zona prohibida es tan pequea que se comporta como metal.

INTRINSECOS
Los semiconductores intrnsecos son cristales que permanecen puros como el Si y Ge. Slo requieren de una pequea fuerza trmica para los electrones de valencia a la banda de conduccin. Energa
Electrn saliente Silicio Banda de conduccin vaca

1.1 eV Banda de valencia llena

INTRINSECOS
Cuando un electrn de valencia se le aplica una energa suficiente para excitarle fuera de su posicin de enlace, para a ser un electrn de conduccin libre y deja tras de s un hueco cargado positivamente en la red cristalina.
Energa

Brecha

INTRINSECOS
Los huecos se comportan como cargas positivas y el polo negativo de un circuito los atrae. Las cargas negativas se desplazan en direccin opuesta al campo aplicado, hacia el terminal positivo.

EXTRINSECOS
Su banda de energa se modifica por la adicin de pequeas cantidades de impurezas. A esto tambin se llama dopado. Son disoluciones slidas muy diludas (100 -1,000 ppm). Estas impurezas poseen caractersticas de valencia diferente de la red cristalina que lo disuelve.

EXTRINSECOS
Estas impurezas pueden ser elementos del grupo IIIA o VA de la tabla peridica.

TIPO N
Si introducimos una impureza del grupo VA por ejemplo fsforo (P), habr un electrn

en exceso.
Este electrn extra esta ligeramente unido al fsforo con una energa de enlace de 0.044eV.

TIPO N
Esta energa es el 5% de la requerida para que un electrn de conduccin atraviese la separacin energtica de 1.1eV del silicio puro. Esto modifica el diagrama de bandas. Este electrn ocupa un nivel de energa muy cercano a la banda de conduccin. A este nivel se le llama nivel donador.

TIPO N
Cuando bajo la accin de un campo elctrico el electrn extra pasa a ser un electrn libre, el tomo de fsforo se ioniza y adquiere una carga positiva.

Carga positiva

A este tipo de impurezas del grupo VA se le llaman donadoras y los semiconductores son llamados semiconductores extrnsecos tipo n (tipo negativo) pues la mayora de los portadores de carga son electrones.

TIPO P
Si introducimos una impureza del grupo IIIA como el boro (B), faltar uno de los rbitales de enlace y aparece un hueco en la estructura del silicio.
Enlace

HUECO

Hueco

TIPO P
Cuando se aplica un campo elctrico uno de los electrones vecinos de otro enlace puede tener energa suficiente para apartarse de su enlace y dirigirse al

hueco.
Cuando el hueco es llenado el tomo de boro adquiere una carga negativa.

TIPO P
El tomo de boro aporta un nivel de energa llamado nivel aceptor, que es ligeramente ms alto (0.045eV) que el de la banda de valencia llena. Los elementos B, Al y Ga (IIIA) se llaman tomos aceptores.

Puesto que la mayora de los portadores de carga son huecos se llaman semiconductores extrnsecos de tipo p (tipo positivo)