UNIDAD 1 ELECTRONICA ANALOGICA

PRINCIPIOS ELECTRONICOS Y APLICACIONES DIGITALES.

la corriente directa, que implica un flujo de carga que fluye siempre en una sola direccin. Una batera produce corriente directa en un circuito porque sus bornes tienen siempre el mismo signo de carga. Los electrones se mueven siempre en el circuito en la misma direccin: del borne negativo que los repele al borne positivo que los atrae. An si la corriente se mueve en pulsaciones irregulares, en tanto lo haga en una sola direccin es cd. La corriente alterna (ca) se comporta como su nombre lo indica. Los electrones del circuito se desplazan primero en una direccin y luego en sentido opuesto, con un movimiento de vaivn en torno a posiciones relativamente fijas. Esto se consigue alternando la polaridad del voltaje del generador o de otra fuente. La popularidad de que goza la ca proviene del hecho de que la energa elctrica en forma de ca se puede transmitir a grandes distancias por medio de fciles elevaciones de voltaje que reducen las prdidas de calor en los cables. La aplicacin principal de la corriente elctrica, ya sea cd o ca, es la transmisin de energa en forma silenciosa, flexible y conveniente de un lugar a otro.

Componentes pasivos
Son aquellos que no necesitan una fuente de energa para su correcto funcionamiento. No tienen la capacidad de controlar la corriente en un circuito. Los componentes pasivos se dividen en: Componentes pasivos lineales:

Componente Condensador

Funcin ms comn Almacenamiento de energa, filtrado, adaptacin impedancia. Almacenar o atenuar el cambio de energa debido a su poder de autoinduccin. Divisin de intensidad o tensin, limitacin de intensidad.

Inductor o Bobina

Resistor o Resistencia

Componentes electromecnicos: A este grupo pertenecen los interruptores, fusibles y conectores.

Dispositivo activo: aquel que necesita una fuente de energa externa a la seal para funcionar. ejemplo, los transistores. CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES: Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de un conductor y un aislante. Son materiales que ocupan una oposicin intermedia entre los aislantes y los conductores. Los primeros poseen muy pocas cargas mviles y, en consecuencia, presentan una resistencia muy alta al paso de la corriente(idealmente una resistencia infinita). Silicio El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms alejados del ncleo son los electrones de valencia que participan en los enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente. El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un mono cristal cuya estructura cristalina se denomina de diamante. Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria de la cermica tcnica y, debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en la industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos. Cada tomo de silicio est unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomos que comparten dos electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un tomo diferente. Resulta muy engorroso trabajar con la representacin cristalina tridimensional. Por ello suele recurrirse a un esquema bidimensional, denominado modelo de enlaces, en el que se representa la caracterstica esencial dela estructura cristalina: cada tomo est unido a cuatro tomos vecinos mediante enlaces covalentes. En este modelo cada tomo dedica sus cuatro electrones de valencia a constituir cuatro enlaces covalentes.

EL GERMANIO El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetra etilo de germanio y el tetrafenilo de germanio. Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as como en el mineral germanita, que contiene un 8% de germanio. El elemento y sus compuestos tienen numerosas aplicaciones. Los cristales de germanio convenientemente tratados tienen la propiedad de rectificar o permitir el paso de la corriente elctrica en un solo sentido. Su uso es en semiconductores y transistores. En forma de mono cristales para la fabricacin de elementos pticos (lentes, prismas y ventanas) para espectroscopia infrarroja: Espectroscopios, detectores de infrarrojos. El alto ndice de refraccin del xido de germanio lo hace til para la fabricacin de lentes gran angular de cmaras fotogrficas y objetivos de microscopio.

MATERIAL TIPO P Aadiendo al silicio puro una impureza trivalente, como el boro, se produce un material de tipo p. Cada tomo de impureza ocupa una posicin en la retcula cristalina y forma enlaces covalentes con tres de sus vecinos ms prximos. El tomo de impureza no tiene el cuarto electrn que se necesita para completar el enlace con su cuarto vecino. A temperaturas de trabajo normales, un electrn de un tomo de silicio cercano se puede desplazar para llenar el cuarto enlace de cada tomo de impureza. Esto crea un hueco que se mueve libremente por el cristal. Sin embargo, el electrn se enlaza con el tomo de impureza ionizado. As, la conduccin en el material de tipo p se debe mayoritariamente a los huecos.En un material de tipo p , los huecos se llaman portadores mayoritarios y, los electrones portadores, minoritarios. Desde luego, esta terminologa es la inversa a la de los materiales de tipo n .Las impurezas de valencia tres se denominan aceptadores, porque aceptan un electrn extra. Con cada tomoaceptador ionizado, se asocia una carga negativa: hay presentes cuatro electrones enlazados, pero slo hay lasuficiente carga positiva en el ncleo inico como para equilibrar la carga de tres electrones

MATERIAL TIPO N Aadir al cristal pequeas cantidades de las impurezas apropiadas, afecta de manera espectacular a la concentracin relativa de huecos y electrones. Se tiene as un semiconductor extrnseco. Por ejemplo, si se aade fsforo, que tiene cinco electrones de valencia, los tomos de fsforo se posicionan en la estructura cristalina y forman enlaces covalentes con sus cuatro vecinos. El quinto electrn de valencia slo est dbilmente unido al tomo de fsforo. A temperaturas de trabajo normales, este electrn extra rompe su enlace con el tomo de impureza, y se convierte en un electrn libre. Sin embargo, el tomo de impurezas no crea un hueco; la carga positiva que equilibra al electrn libre est bloqueada en el ncleo inico del tomo de impureza. As, podemos crear electrones libres aadiendo al silicio impurezas pentavalentes, llamadas donantes. Al material resultante, se le conoce como material de tipo n. En un material de tipo n , la conduccin se debe principalmente a los numerosos electrones libres. As, a los electrones libres se les llama portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les llama portadores minoritarios. A temperaturas de trabajo normales, casi todos los tomos donantes aportan su quinto electrn. Decimos entonces que los donantes se han ionizado. Cada tomo donante ionizado tiene asociada una carga positiva. Desde luego, la concentracin de carga neta en el material es cero. La carga positiva de los donantes ionizados (y huecos) se equilibra con la carga negativa de los electrones libres. As, podemos igualar la concentracin de electrones libres a la suma de las concentraciones de huecos y donantes; es decir, Donde N D representa la concentracin de tomos donantes.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: Son dispositivos fabricados a partir de los materiales descritos en la seccin anterior, existe una gran variedad de ellos, a continuacin veremos los ms significativos en la electrnica analgica. DIODOS, TRANSISTORES y TIRISTORES El diodo es un dispositivo de dos terminales cuyo comportamiento no es lineal: deja pasar corriente en un sentido y la bloquea en sentido contrario. Este carcter no lineal hace que los circuitos que contienen diodosno sean lineales, por lo que no pueden ser analizados aplicando el mtodo de superposicin, ni reducirse aequivalentes de Thvenin ni de Norton.El comportamiento del diodo puede ser aproximado por un elemento de circuito denominado diodo ideal, si bien algunas aplicaciones requieren el uso de modelos ms complejos. El diodo ideal es un elemento de circuito de dos terminales. Uno de los terminales se denomina nodo y el otro ctodo. Cuando el diodo conduce, la corriente circula en el sentido de nodo a ctodo, sin cada de tensin entre ambos terminales. Se dice que est polarizado en directa y equivale a un cortocircuito. Cuando el nodo es negativo respecto al ctodo el diodo bloquea la corriente y equivale a un circuito abierto. Se dice, en este caso, que el diodo est polarizado en inversa.

Diodo Real: Prcticamente todos los diodos que se usan actualmente en circuitos electrnicos estn fabricados con semiconductores. Consisten en la "unin" de un semiconductor P y un semiconductor N (diodo de unin PN ). Los semiconductores contienen cargas mviles positivas y negativas. Un semiconductor P es un semiconductor que tiene ms cargas mviles positivas que negativas, mientras que el N tiene ms cargas negativas que positivas. Cuando se aplica una tensin positiva al P respecto al N circula una corriente de valor elevado en el sentido de P a N, mientras que cuando la polaridad de la tensin se invierte, la corriente cambia de sentido yes casi nula. El semiconductor P constituye el nodo del diodo y el N el ctodo.

Diodo Zener: Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se denominan diodos zner o diodos de avalancha. Los diodos zner se usan en aplicaciones para las que se necesita una tensin constante en la regin de ruptura. Por tanto, los fabricantes intentan optimizar los diodos zner para obtener una curva caracterstica prcticamente vertical en la regin de ruptura. El smbolo modificado del diodo que se muestra en la figura, es el que se usa para los diodos zner. Hay disponibles diodos zner discretos con tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de un 5%. En la prctica, existen dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa. Para diodos con una tensin de ruptura superior a 6 V, el responsable es un efecto conocido como avalancha. Por ello, los diodos con tensiones de disrupcin ms elevadas se llaman, consecuentemente, diodos de avalancha. Por debajo de los 6V, un fenmeno de la mecnica cuntica, conocido como efecto tnel, es el responsable de la ruptura. Hablando estrictamente, los diodos zner son aqullos que se encuentran en el margen inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la prctica, ambos trminos se utilizan de manera indistinta para todos los diodos de ruptura.

Transistores: Los diversos tipos de transistores son los elementos clave de los sistemas electrnicos modernos. Se construyen mediante el dopado de un semiconductor, como por ejemplo un cristal de silicio, introduciendo impurezas cuidadosamente seleccionadas y controladas. Determinadas impurezas producen materiales de tipo n, en los que la conduccin se debe principalmente a los electrones libres. Otros tipos de impurezas producen materiales de tipo p , en los que la conduccin se debe, en realidad, a partculas positivas llamadas huecos. Un dispositivo electrnico de gran importancia es el transistor bipolar o BJT (bipolar junction transistor), que est compuesto por una serie de capas de semiconductor dopado. La figura muestra un transistor npn que tiene una capa de material de tipo p entre dos capas de tipo n, aunque tambin es posible construir un transistor bipolar pnp.

Otro dispositivo importante es el MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor: transistor de efecto de campo de metal-xido-semiconductor), Este dispositivo contiene una puerta metlica (G) aislada de un canal de semiconductor de tipo n mediante una capa de dixido de silicio (se pueden construir dispositivos de similar utilidad empleando un canal de material de tipo p). Los terminales llamados drenador (D) y fuente(S) estn conectados a los extremos opuestos del canal. Un MOSFET puede funcionar como un interruptor que conecta y desconecta los terminales del drenador y la fuente segn la tensin aplicada a la puerta. Para determinados mrgenes de la tensin aplicada, el interruptor estar abierto, y no pasar corriente entre el drenador y la fuente.

Tiristores: Tiristor viene del griego y significa puerta, puesto que se comporta como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a travs de ella. Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo tipo de conmutacin. Los tiristores ms importantes son los rectificadores controlados de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) y el triac. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicacin de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminaci6n y otras cargas semejantes. Rectificador Controlado de Silicio (SCR)El SCR es el miembro ms conocido de la familia de los tiristores, y a veces se le llama tiristor. Puede conmutar corrientes muy elevadas y, por ello, se emplea en control de motores, como, sistemas de aire acondicionado y calentadores de induccin. Su smbolo, estructura fsica simplificada y curvas caractersticas se representan en la siguiente figura:

Tiristores: Tiristor viene del griego y significa puerta, puesto que se comporta como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a travs de ella. Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo tipo de conmutacin. Los tiristores ms importantes son los rectificadores controlados de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) y el triac. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicacin de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminaci6n y otras cargas semejantes. Rectificador Controlado de Silicio (SCR)El SCR es el miembro ms conocido de la familia de los tiristores, y a veces se le llama tiristor. Puede conmutar corrientes muy elevadas y, por ello, se emplea en control de motores, como, sistemas de aire acondicionado y calentadores de induccin. Su smbolo, estructura fsica simplificada y curvas caractersticas se representan en la siguiente figura:

Como puede observarse en las curvas caractersticas, el SCR impide el paso de corriente cuando VAK es negativa, a no ser que sta supere la tensin de ruptura inversa VRM. Cuando se aplica una tensin VAK positiva y la corriente de puerta IG es nula, el SCR tambin impide el paso de corriente hasta que VAK alcanza la tensin de ruptura directa VDM. Cuando se llega a esta tensin el SCR hace una transicin al estado de conduccin en el que permite el paso de una corriente elevada en el sentido de nodo a ctodo, manteniendo entre sus terminales una cada de tensin pequea, del orden de 1V.

Tiristores Bidireccionales El diodo de cuatro capas y el SCR, son unidireccionales porque la corriente se puede circular en un sentido. El diac y el triac son tiristores bidireccionales. Estos dispositivos pueden conducir en cualquier direccin. Diac El diac puede tener corriente en cualquier direccin. Consiste en una estructura de tres capas, similar a la del transistor bipolar aunque sin terminal de base. La tensin a la que se produce la transicin al estado de conduccin suele ser de unos 25 a 40 V, siendo la disminucin de la tensin entre sus terminales, al pasar al estado de conduccin, de unos 10 V. El diac no conduce hasta que la tensin en sus extremos intenta excederla tensin de cebado en cualquier direccin. Suele utilizarse fundamentalmente en los circuitos de disparo delos triacs.

Triac: El triac es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y al revs, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Bsicamente equivale a dos SCR opuestos y acoplados lateralmente, con una regin de puerta prxima a uno de los dos terminales. Su estructura esquemtica se representa en la siguiente figura:

APLICACIONES CON SEMICONDUCTORES Es basta la cantidad de aplicaciones en las que los dispositivos antes descritos se incluyen o en su defecto son la base para dicha aplicacin. A continuacin veremos las que ms usuales y bsicas en el diseo elaboran.

Rectificadores Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una seal unidireccional. Los diodos se utilizan extensamente en los rectificadores. Rectificador de Media Onda La fuente de corriente alterna produce una tensin sinusoidal. Suponiendo un diodo ideal, la mitad positiva del ciclo de la tensin de fuente polarizar el diodo en directa. Como el interruptor est cerrado, la mitad positiva del ciclo de la tensin de fuente aparecer a travs de la resistencia de carga. En la mitad negativa del ciclo, el diodo est polarizado en inversa. En este caso el diodo ideal aparecer como un interruptor abierto y no hay tensin a travs de la resistencia de carga. En el rectificador de media onda, el diodo esta conduciendo durante las mitades positivas de los ciclos pero no esta conduciendo durante las mitades negativas. A causa de esto, el circuito recorta las mitades negativas de los ciclos. Denominamos a una forma de onda como sta una seal de media onda . Esta tensin de media onda produce una corriente por la carga unidireccional. Esto significa que circula en una direccin.

Rectificador de Onda Completa El rectificador de onda completa acta como dos rectificadores de media onda superpuestos. El circuito se denomina un rectificador de onda completa porque ha cambiado la tensin alterna de entrada a una tensin de salida pulsante continua. En la siguiente figura se aprecia la conexin intermedia llevada amasa en el arrollamiento secundario. Debido a esta conexin central el circuito es equivalente a dos rectificadores de media onda. Cada uno de estos rectificadores tiene una tensin de entrada igual a la mitad de la tensin del secundario.

Amplificadores Uno de los bloques funcionales ms importantes de los sistemas electrnicos es el amplificador. Idealmente, un amplificador de tensin produce una seal de salida con la misma forma de onda que la seal de entrada, pero con mayor amplitud. La fuente de seal produce una seal vi(t), que se aplica a los terminales de entrada del amplificador, el cual genera una seal de salida A travs de una resistencia de carga RL conectada a los terminales de salida. La constante A v es la ganancia de tensin del amplificador. La magnitud de la ganancia de tensin suele ser mucho mayor que su unidad. Conmutadores Un conmutador es un dispositivo elctrico o electrnico que permite modificar el camino que deben seguir los electrones. Son tpicos los manuales, como los utilizados en las viviendas y en dispositivos elctricos, y los que poseen algunos componentes elctricos o electrnicos como el rel. Se asemejan a los interruptores en su forma exterior, pero los conmutadores a la vez que desconectan un circuito, conectan otro. Se utilizan siempre que haya que activar o desactivar un dispositivo desde dos lugares diferentes, como por ejemplo una lmpara. En las viviendas es tpico encontrarlos en los salones o pasillos.

Fuentes de Voltaje La fuente de voltaje es una fuente elctrica, un artefacto activo que puede proporcionar corriente elctrica gracias a la generacin de una diferencia de potencial entre sus bornes. Se disea a partir de una fuente ideal, que es un concepto utilizado en la teora de circuitos para analizar el comportamiento de los componentes electrnicos y los circuitos reales. La fuente de alimentacin se encarga de convertir la tensin alterna de la red industrial en una tensin casi continua. Para esto consta de un rectificador, fusibles y otros componentes que le permiten recibir la electricidad, regularla, filtrarla y adaptarla a las necesidades de la computadora. AMPLIFICADORES OPERACIONALES El amplificador operacional es una unidad electrnica que se comporta como una fuente de tensin controlada por tensin. Un amplificador operacional puede sumar seales, amplificar una seal, integrarla o diferenciarla. Su capacidad para ejecutar esas operaciones matemticas es la razn de que se llame amplificador operacional. Caractersticas El amplificador operacional es un circuito complejo formado por docenas de transistores, resistencias y condensadores, todos ellos fabricados e interconectados sobre un pequeo cristal de silicio. Debido a esta "integracin" de diversos dispositivos y a su interconexin sobre silicio, se dice que es un circuito integrado. Pese a su complejidad interna, el amplificador operacional se puede modelar de forma muy simple a travs de su modelo ideal, que aproxima razonablemente bien, en un amplio margen de operacin, el comportamiento del dispositivo real.

El smbolo circuital y los terminales del amplificador operacional bsico son los indicados en la figura. Tal como se ilustra en dicha figura, el dispositivo consta de cinco terminales: dos entradas, denominadas inversora y no inversora , una salida, y dos terminales de alimentacin a los que se suele aplicar una tensin positiva, Vcc+, y negativa, Vcc-, respectivamente. Los valores tpicos para Vcc+ y Vcc- son 15 V y -15 V, aun que otros valores como 8 y -8 o incluso otros no simtricos como 0 y 5 son posibles.

REFERENCIAS

Conceptos bsicos .libro de apoyo en telesecundaria. Imgenes, google imgenes.com.mx