Tema3 - Aplicaciones Del Diodo

Dr.
Federico Rivero Palacio

20/05/2014 Jhonny Garca 1
ELECTRNICA
El diodo
TEMA 3
CIRCUITOS DE APLICACIN CON
DIODO DE UNIN
Dr. Federico Rivero Palacio
ELECTRNICA
El diodo
Funcin de transferencia: La finalidad de todo circuito electrnico es el de procesar una
seal de entrada (v
i
) y a partir de esta obtener la seal de salida (v
0
). As la seal de salida
es funcin del circuito electrnico y de la seal de entrada

CIRCUITO
ELECTRNICO

v
i
i
i
V
0
= ? R
L
i
L
A la funcin que relaciona la seal de salida como funcin de la seal de entrada se conoce
como funcin de transferencia V
0
=f(V
i
)
ELECTRNICA
El diodo
La determinacin de la funcin de transferencia consistir en evaluar en cada instante de
timepo (t) de la seal de entrada V
i
(t) y determinar la seal de salida V
0
(t).
T t
1
t
2
........ t
n
V
i
V
i1
V
i2
........ V
in
D

ON OFF ON OFF
V
0
V
01
V
o2
........ V
on
V
i
V
0
t
V
0
t
Conocida la funcin de
transferencia es posible obtener
la seal de salida para cualquier
seal de entrada. Para ello se
utiliza un plano de ejes con tres
variables [V
0
(t),V
i
(t)]
Los instantes de tiempo de
evaluacin se definen como de
transicin, y son aquellos para
los cuales el diodo pasa de un
estado a otro, p. ej de OFF a ON
t
1
t
2
V
i1
V
i2
V
01
V
02
t
2
t
1
funcin de transferencia funcin de salida
Consideremos el circuito de la figura (diodo serie positivo), donde el diodo es un dido ideal.
La funcin de transferencia es:
R
v
i

V
o
=?
t

t
1
<=t< t
2
t
2
<=t<t
3
V
i
>0 <0
D ON OFF
V
0
V
i 0

V
i
V
0
V
0
=V
i
ELECTRNICA
El diodo
V
0
t

t

t
1
t
2
t
3
t
2
t
3
t
1
V
0
=
0 si V
i
<0
V
i
si V
i
>=0

funcin de
transferencia es
Ejemplos: Determine la funcin de transferencia para cada uno de los siguientes circuitos.
Considere al diodo como ideal.
R
v
i

V
o
=?
ELECTRNICA
El diodo
R
v
i

V
o
=?
R
v
i

V
o
=?
Diodo serie negativo
Diodo paralelo negativo
Diodo paralelo positivo
Recortadores: serie positivo
ELECTRNICA
El diodo
R
v
i

V
o
=?
V
f
< V
m
t
t
1
t
2
V
i
<V
f
>=V
f
D OFF ON
V
0
0

V
i
-V
f
V
i
V
f
V
0
=V
i
-V
f
V
0
t
1
t
2
t
3
t
1
t
2
t
3
V
m
V
m
-V
f
V
0
t

V
0
=
0 si V
i
<V
f

V
i
V
f
si V
i
>=V
f
funcin de
transferencia es
Recortadores: serie negativo
ELECTRNICA
El diodo
R
v
i

V
o
=?
V
f
t
t
1
t
2
V
i
<V
f
>=V
f
D ON OFF
V
0
V
i
-V
f
0

V
i
V
f
V
0
=V
i
-V
f
V
0
t
1
t
2
t
3
t
1
t
2
t
3
V
m
V
f
V
0
t

-V
f
-(V
m
+V
f
)
V
0
=
0 si V
i
>=V
f

V
i
V
f
si V
i
<V
f
funcin de
transferencia es
V
f
< V
m
Recortadores: Su funcin es la de recortar una porcin de la seal de entrada sin
distorcionar la parte restante de la seal, el rectificador de media onda es el caso mas simple
de un recortador.
Veamos algunos ejemplos,en todos los casos consideraremos los diodos ideales.
Adicionalmente determiar el valor de la PIV

Ejemplo 1:

ELECTRNICA
Aplicaciones del diodo semiconductor
R
v
i

V
o
= ?
V
m

v
i
= 20

sen t (Volt)

t
T/2 T
5 V
V
0
=
funcin de
transferencia es
?
Recortadores:
Ejemplo 2 Detremine la funcin de
transferencia y la forma de onda de la
salida:

ELECTRNICA
R
V
o
= ?
4 V
t
0<=t< t
1
t
1
<=t< t
2
t
2
<=t<T

V
i
4>V
i
>0 4<=V
i
<=16 -16<=V
i
<4
D ON OFF ON
V
0
4

V
i
4

v
i

16
v
i
t
-16
T
4
-4
v
i

16
v
i
t
-16
T
4
-4
t
1
t
2

v
i

16
v
0
t
-16
T
4
-4
+
-
t
1
t
2
t
1
t
2
t
1
t
2
V
0
=
?
Recortadores:
Ejemplo 3: Detremine la funcin de transferencia y la forma de onda de la salida:

ELECTRNICA
R
v
i

V
o
= ?
v
i
t
V
T/2 T
V
m

t
V
0
=
?
Recortadores:
Ejemplo 4: Detremine la funcin de transferencia y la forma de onda de la salida:

ELECTRNICA
R
v
i

V
o
= ?
v
i
t
V
1

T/2 T
V
m

t
V
2

V
0
=
?
Rectificador de media onda: Consideremos el circuito de la figura, donde el diodo es un dido
ideal. La fuente de alimentasin es un generador sinusoidal de tensin.
v
i
= V
m
sen t
ELECTRNICA
R
v
i

v
o

V
m

v
i
= V
m
sen t

t
T/2 T
T/2 T 3T/2 2T
V
dc
= 0,318 V
m
V
rms
= 0,385 V
m

V
dc
v
o
V
m
Diodo no ideal: dibujar la tensin de salida si el diodo es un diodo de silicio con una
tensin de umbral de 0,7 V
Ejemplo: dibujar la tensin de salida para el circuito de la figura
v
i
= V
m
sen t
ELECTRNICA
R
v
i

v
o

V
m

v
i
= V
m
sen t

t
T/2 T
Rectificador de onda completa: El rectificador de onda completa se obtiene con el circuito
puente de cuatro diodos, donde los mismos se consideran ideales.
v
i
= V
m
sen t
ELECTRNICA
v
i

v
o

V
m

v
i
= V
m
sen t

t
T/2 T R
D
1

D
2

D
3

D
4

V
m

v
0
t
T/2 T 3T/2 2T
V
dc
= 0,636 V
m
V
rms
= 0,308 V
m
V
dc
Considerese el caso en que los diodos son de silicio
reales.
V
0
=
V
i
>=0

<0

D
1
D
3
OFF ON
D
2
D
4
ON OFF
V
0
V
i
-V
i
V
0
=V
i
V
0
=-V
i
V
0
=V
i
si V
i
>=0

V
0
=-V
i
si V
i
<0

Ejemplo: Determine la funcin de transferencia y la forma de onda de v
o
y su valor dc, en el
circuito de la figura, considere los diodos ideales. Explique el efecto de la remocin de uno de
los diodos en el circuito puente de cuatro diodos.

ELECTRNICA
v
i

v
o

V
m

v
i
= 10

sen t

t
T/2 T 2K
D
1

D
2

2K 2K
Rectificador de onda completa con transformador con derivacin central: Otra manera
de obtener la rectificacin de onda completa es utilizando un transformador con derivacin
central que alimenta a dos diodos en lugar de cuatro como el caso del puente.

ELECTRNICA
v
i

v
o

V
m
v
i
= 10

sen t

t
T/2 T R
D
1

D
2

+

-
+

-

+

-
v
i

v
i

1:2
Es un dispositivo elctrico que se encarga de "transformar" el voltaje de corriente alterna
que tiene a su entrada (primario V
p
) en otro diferente que entrega a su salida (secundario
V
s
).
Este dispositivo se compone de un ncleo de hierro sobre el cual se han arrollado varias
espiras (vueltas) de alambre conductor. Este conjunto de vueltas se llaman bobinas y se
denominarn: "Bobina primaria o PRIMARIA" a aquella que recibe el voltaje de entrada y
"Bobina secundaria o SECUNDARIO" a aquella que entrega el voltaje transformado.
La razn de la transformacin (n) del voltaje entre el bobinado "PRIMARIO" (N
p
)y el
"SECUNDARIO" (N
s
) depende del nmero de vueltas que tenga cada uno.
ELECTRNICA
El transformador
N
P
n=V
S
/N
S
= V
P
/N
P
Algunos de los datos mas importantes para el funcionamiento del dido son dados por los
fabricantes en sus hojas de especificaciones, estos son:
El voltaje directo V
F
a una corriente y temperatura especfica.
Corriente directa mxima I
F
a una temperatura especfica.
Corriente de saturacin inversa I
R
a una temperatura especfica.
Voltaje inverso de pico PIV.
El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura especfica.
Niveles de capacitancia
Tiempo de recuperacin inverso t
rr

Rango de temperatura de operacin.

ELECTRNICA
Hoja de especificacion del diodo
Efecto capacitivo: La reactancia capacitiva X
c
= 1/2fC a bajas frecuencias se comporta
como un circuito abierto, sin embarco en altas frecuencias presenta un camino de corto
circuito al flujo de corriente. En el diodo semiconductor en la unipon P-N existen dos efectos
capacitivos importantes en polarizaci directa e inversa.
En polarizacin directa se tiene la capacitancia de difusin (C
D
) o de almacenamiento, y
en polarizacin inversa se tiene la capacitancia de regin de transicin o de agotamiento
(C
T
).
Para un capacitor de placas paralelas separados una distancia d por un material dielctrico de
permitividad , la capacitancia viene dada por:
C = A/d
En la regin de polarizacin inversa de un diodo existe una regin libre de portadores,
denominada regin de agotamiento, que se comporta como un aislante entre las capas de
carga opuestas, separadas una distancia d. Con el aumento de la tensin inversa la
separacin d se incrementa la capacitancia disminuye y la recatancia aumenta. Esta
dependencia de la capacitancia con la polarizacin inversa se denomina capacitancia de
agotamiento (C
T
), y tiene aplicacin prctica en numerosos sistemas electrnicos.

ELECTRNICA
Hoja de especificacin del diodo
Efecto capacitivo: En polarizacin directa la capacitancia aumenta originada por los niveles
crecientes de corriente entre la unin, a esta capacitancia se le denomina de difusin C
D
.
-25 -20 -10 0 0,25 0,5 V
15

10

5
C (pF)
Polarizacin inversa:
capac. de
agotamiento C
T

Polarizacin directa:
capac de difusin C
D

Los efectos de capacitancia antes descritos
se representan por un capacitor en paralelo
con el diodo ideal
C
T
o C
D
ELECTRNICA
Tiempo de recuperacin inversa (t
rr
): Es el tiempo que le toma al diodo de pasar de su
estado de conduccin al estado de circuito abierto cuando se invierte su polarizacin directa a
inversa.
En polarizacin directa se tienen portadores mayoritarios de electrones en el material tipo N
que pasan al material P, y un gran nmero de huecos en el P que pasan al N. Y por el
contarrio se tienen huecos como portadores minoritarios en el N y electrones en el P.

I
D
I
directa

I
inversa

t
s

t
t

t
rr

Respuesta deseada
t

ELECTRNICA
Al invertir el voltaje se deseara idealmente
que el diodo pasara instantneamente a
circuito abierto, pero debido a los portadores
minoritarios se genera una corriente inversa
durante un tiempo t
s
, llamado tiempo de
almacenamiento, el cual es el tiempo
requerido por los portadres minoritarios para
retornar a su estado de portadores
mayoritarios dentro del material opuesto.
I
D

I
directa

I
inversa

t
s
t
t

t
rr

Respuesta deseada
Tiempo de recuperacin inversa (t
rr
): En consecuencia el diodo permanecera en su estado
de corto circuito con una corriente inversa I
inversa
Un tiempo despues finaliza la fase de
almacenamiento hasta la fase de no conduccin, a este tiempo se le denomina tiempo de
transicin t
t.
La suma de los tiempos de almacenamiento y de transicin es el tiempo de
recuperacin inverso t
rr
. Y es una consideracin importante para las aplicaciones de
conmutacin de alta velocidad. Su valor esta en el rango de unidades de picosegundos a
microsegundos.
t

ELECTRNICA
I
D

I
directa

I
inversa

t
s
t
t

t
rr

Respuesta deseada
t

ELECTRNICA
t

V
D
R
v
i

Tema3 - Aplicaciones Del Diodo

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