Estructura Cristalina

Propiedades = (tomos, celdas unitarias y microestructura)

Cristalinos

Amorfos
Disposicin geomtrica de los tomos
Interacciones entre tomos y molculas
Ordenamiento atmico
Propiedades: fsicas, mecnicas y qumicas
Comportamiento elastoplstico
Conductividad elctricas
Propiedades magnticas
Caractersticas trmicas
Estructura Cristalina: forma en que se organizan e interactan los
los tomos de un cuerpo.
Estructura Cristalina
Estructura: se refiere a uno o todos los elementos
Efecto de un elemento en la estructura de otro.
Efectos de accin interatmica
Efectos en las dimensiones y geometra de la celda unitaria
Cambios en la microestructura y macroestructura
Ordenamiento atmico local
Direccional: Ordenamiento atmico esta determinado
por los ngulos de enlace.
Enlaces covalentes y de dipolo permanente

No direccional: Ordenamiento depende del tamao
relativo de los tomos
Enlaces: metlico, inico y de van der Waals
Generalmente es regular y predecible, no ocurriendo lo mismo con la
estructura a largo alcance y depende del tipo de enlace.
Tipos de enlace:
Estructura Cristalina
Estructura cristalina y anlisis qumico
Gancho trefilado
en fro.
Gancho trefilado en
fro y calentado al rojo.
Gancho obtenido por
inyeccin de plstico.
Cmo ser la microestructura si
el corte y pulido de la muestra se
hace transversalmente?
Enlaces primarios:

Son enlaces bastante fuertes.

Se rompen a altas temperaturas, incluso pueden
alcanzar los 3500 C.

A esta categora pertenecen los enlaces inicos,
covalentes y metlicos.

Las cermicas y los metales estn unidos
exclusivamente por este tipo de enlaces

Estructura Cristalina
Estructura Cristalina
Enlace Matlico
Caracterstica de los metales: Tienen uno o dos electrones en su capa externa.
Atraccin dbil por el ncleo.
tomos metlicos juntos Electrones de la capa externa abandonan sus
tomos respectivos y forman una nube, mientras
que el tomo se vuelve un in positivo.
Enlace metlico: Atraccin electrosttica entre e
-
de
valencia Electrones de valencia y los
ncleos cargados positivamente.
Explica la ductilidad, conductividad, etc
Las sustancias metlicas estn formadas por tomos de un
mismo elemento metlico.

Los tomos del elemento metlico pierden algunos
electrones, formndose un catin o resto metlico.

Se forma al mismo tiempo una nube o mar de
electrones: conjunto de electrones libres, deslocalizados,
que no pertenecen a ningn tomo en particular.

El modelo del mar de electrones
representa al metal como un conjunto
de cationes ocupando las posiciones
fijas de la red, y los electrones libres
movindose con facilidad, sin estar
confinados a ningn catin especfico
- Los enlaces metlicos no son direccionales
Al no tener enlaces direccionales, los tomos tienden a empaquetarse
formando estructuras de alta densidad.

Los compuestos covalentes se originan por la comparticin de
electrones entre tomos no metlicos.
Electrones muy localizados.
Enlace Covalente
Enlace covalente polar: entre tomos diferentes (molcula de agua)
Enlace covalente no polar: entre tomos de un mismo elemento
(dos tomos de oxgeno)

Dos tipos:
Aparece en diversos materiales:
Materiales puros con alto mdulo elstico (Diamante, Si, Ge)
Silicatos y vidrios (Rocas, ladrillos, cemento, ...)
Metales de alto punto de fusin (W, Mo, Ta)
Uniendo los tomos de Carbono de los polmeros

Diamante: tetraedros de tomos
de carbono
Representacin esquemtica
de enlace covalente de una
molcula de metano (CH4).
La unin entre tomos que comparten electrones es muy difcil
de romper. Los electrones compartidos estn muy localizados.
4.- Enlace covalente

Caractersticas:
Esta basado en la comparticin de electrones. Los tomos no
ganan ni pierden electrones, COMPARTEN.
Esta formado por elementos no metlicos. Pueden ser 2 o 3 no
metales.
Pueden estar unidos por enlaces sencillos, dobles o triples,
dependiendo de los elementos que se unen.


Las caractersticas de los compuestos unidos por enlaces
covalentes son:

Los compuestos covalentes pueden presentarse en cualquier
estado de la materia: slido, liquido o gaseoso.
Son malos conductores del calor y la electricidad.
Tienen punto de fusin y ebullicin relativamente bajos.
Son solubles en solventes polares como benceno, tetracloruro de
carbono, etc., e insolubles en solventes polares como el agua.

El compuesto inico se forma al reaccionar un metal con un
no metal.
Los tomos del metal pierden electrones (se forma un
catin) y los acepta el no metal (se forma un anin).
Enlace Inico
ENLACE INICO: RESUMEN


Esta formado por metal + no metal
No forma molculas verdaderas, existe como un agregado de
aniones (iones negativos) y cationes (iones positivos).
Los metales ceden electrones formando cationes, los no
metales aceptan electrones formando aniones.

Los compuestos formados por enlaces inicos tienen las
siguientes caractersticas:

- Son slidos a temperatura ambiente, ninguno es un lquido o
un gas.
- Son buenos conductores del calor y la electricidad.
- Tienen altos puntos de fusin y ebullicin.
- Son solubles en solventes polares como el agua
Enlace inico entre Cl y Na:
formacin del in Cl- y Na+
Redes inicas
NaCl
CsCl






RESUMEN Y EJEMPLOS DE ENLACES PRIMARIOS
Enlaces secundarios:

Son enlaces dbiles.

Se disocian a temperaturas de entre 100 y
300 C.

A esta categora pertenecen las uniones de
Van der Waals y los puentes de hidrgeno.

Estos enlaces aparecen principalmente en
los polmeros y en los gases.

Ejemplo: Polmeros termoplsticos.
Termoplsticos: Funden al calentar y endurecen al enfriar
Calor vence las fuerzas de van der Waals
Fcilmente moldeables y reversibles.

Contrariamente los TERMOESTABLES son redes tridimensionales
unidas por enlaces covalentes.
Enlace de hidrgeno
Este tipo de enlace es el responsable de la existencia del agua en
estado lquido y slido.
Estructura del hielo y del agua lquida
Hielo Lquida
ENLACE ENERGIA DE UNION
(Kcal/mol)
Ionico 150 370
Covalente 125 300
Metlico 25 200
Van der Waals < 10
Propiedades Enlace Inico
Enlace
Covalente
Enlace Metlico
Enlace de van
der Waals
Estructurales
No direccional,
determina estructuras
de alta coordinacin
Direccional,
numricamente
limitado, determina
estructuras de baja
coordinacin y baja
densidad.
No direccional.
Determina estructuras
de alta coordinacin y
alta densidad.
Anlogo al metlico
Mecnicas
Resistente, cristales de
gran dureza
Resistentes, de gran
dureza y poca ductilidad
Resistencia variable,
por lo general
presentan plasticidad
Baja resistencia,
cristales blandos.
Trmicas
Medianamente alto
punto de fusin, bajo
coeficiente de
expansin, iones en
estado lquido.
Alto punto de fusin,
baja expansin trmica,
molculas al estado
lquido.
Punto de fusin
variable, gran intervalo
de temperaturas al
estado lquido.
Bajo punto de fusin,
alto coeficiente de
expansin.
Elctricas
Aisladores moderados,
conduccin por
transporte inico en el
estado lquido.
Aisladores en el estado
slido y lquido
Conductores por
transporte electrnico
Aislantes
pticas y
magnticas
Absorcin y otras
propiedades son
caractersticas de los
iones individuales
Alto ndice de
refraccin, absorcin
totalmente diferente en
soluciones y/o gases.
Buenos reflectores de la
luz visible
Propiedades
caractersticas de las
molculas individuales
Ejemplos
Sal comn, MgO, CaO
801 c 2852 C 2572 c
Diamante, carburo de
silicio, cuarzo (1830).
Todos los metales Plsticos
Propiedades fsicas y estructurales de los materiales asociadas con el
tipo de enlace atmico.
Enlaces y Tipos de Materiales
Clasificacin de los Materiales Magnticos

Tipo de Material Caractersticas
No magntico No afecta el paso de las lneas de Campo magntico.
Ejemplo: el Vaco.
Diamagntico
Material dbilmente magntico. Si se sita una barra magntica cerca de l,
esta lo repele.
Ejemplo: Bismuto (Bi), Plata (Ag), Plomo (Pb), Agua.
Paramagntico

Presenta un magnetismo significativo. Atrado por la barra magntica.
Ejemplo: Aire, Aluminio (Al), Paladio (Pd), Magneto Molecular.
Ferromagntico
Magntico por excelencia o fuertemente magntico. Atrado por la barra
magntica.
Paramagntico por encima de la temperatura de Curie
(La temperatura de Curie del hierro metlico es aproximadamente unos
770

C).
Ejemplo: Hierro (Fe), Cobalto (Co), Nquel (Ni), Acero suave.
Antiferromagntico
No magntico aun bajo accin de un campo magntico inducido.
Ejemplo: xido de Manganeso (MnO2).
ferrimagntico
Menor grado magntico que los materiales ferromagnticos.
Ejemplo: Ferrita de Hierro.
Superparamagntico
Materiales ferromagnticos suspendidos en una matriz dielctrica.
Ejemplo: Materiales utilizados en cintas de audio y video.
Ferritas
Ferromagntico de baja conductividad elctrica.
Ejemplo: Utilizado como ncleo inductores para aplicaciones de corriente
alterna.
Orden y Desorden
Orden y Desorden
Orden y Desorden

En los materiales cristalinos, las partculas componentes muestran
un ordenamiento regular, resultado un patrn que se repite en las tres
dimensiones del espacio, y a lo largo de muchas distancias atmicas:

Los slidos cristalinos poseen Un orden de largo alcance.
En un cristal el entorno de un determinado tipo de tomo siempre es el
mismo (los mismos tomos vecinos y a idnticas distancias).


En los materiales amorfos, los tomos siguen un ordenamiento muy
localizado, restringido a pocas distancias atmicas y, por tanto, no se repite
en las tres dimensiones del espacio.

Los slidos amorfos poseen un orden local o de corto alcance.
Representacin del estado del orden en un plano bidimensional. Los puntos
pueden representar un tomo, una molcula o un grupo de tomos o
molculas.

Orden de largo alcance Orden de corto alcance.
Orden y Desorden
Estructura cristalina
Arreglo Atmico
Ordenamiento particular (corto alcance): El arreglo se
restringe solamente a tomos circunvecinos (molcula de agua,
vidrios, cermicos y polmeros - polietileno).
Molcula de agua
Unidades de Slice
Ordenamiento general (largo alcance): El arreglo se
distribuye por todo el material, de tal manera que los tomos
forman un patrn repetitivo, regular en forma de rejilla o red.
El arreglo difiere de un material a otro en forma y dimensin,
dependiendo del tamao de los tomos y de los tipos de
enlace de estos.
Arreglo Atmico
Estructura cristalina
Silicio
Nano estructuras de C60 (fulereno)
y Ferroceno (antidetonante de gasolinas)
La peculiaridad que diferencia a los cristales de otros tipos de materiales, se
denominada estructura cristalina, que se caracteriza microscpicamente por
la agrupacin de iones, tomos o molculas segn un modelo de repeticin
peridica.

El concepto de periodicidad es sencillo de entender si pensamos en los
motivos de una alfombra oriental, dibujos de la Alhambra, una formacin de
tipo militar...

Cbica simple
Monoclnica?
Cbica centrada en el cuerpo?
Cbica centrada en las caras
Silicatos (inosilicatos)
Ejemplos de arreglos cristalinos
Cristalinidad
Red Cristalina o Retcula: Arreglo tridimensional
ordenado y repetitivo de extensin infinita.
Una estructura cristalina se forma
colocando un tomo o grupo de tomos en cada
punto de una red.


Celda Unitaria: volumen pequeo, de geometra
caracterstica, que puede usarse para describir la
estructura del cristal total.
El arreglo atmico dentro de cada
celda unitaria es idntico al que existe
en todas las otras
a
b
c
Cristalinidad
Parmetros de red: Describen el tamao y forma de la celda unitaria
y corresponden a las dimensiones de los lados de la celda unitaria y los
ngulos que forman.
a
a
a
Cbico
b
a
c
Ortorrmbico
La longitud a, b y c, se denominan
longitudes axiales y corresponde a
designados como a
o
, b
o
y c
o
. Tambin
se conocen como vectores unitarios.
Esta long se mide en ngstrom

() = 10
-8
cm. = 10
-10
m

Los ngulos o, | y se denominan
ngulos interaxiales.

ESTOS SEIS VALORES SE DENOMINAN
PARMETROS DE RED.
Cristalinidad
Las redes han sido sistematizadas en 14 redes
REDES DE BRAVAIS
Sistema
Cristalino
Redes de Bravais
Cbico





Cbica simple
(CP)

Cbica centrada
en el cuerpo
(CI)
Cbica centrada
en las caras
(CF)
Sistema
Cristalino
Redes de Bravais
Hexagonal
Monoclnico
Hexagonal
Monoclnica simple
Monoclnica centrada
en las bases
Sistema
Cristalino
Redes de Bravais
Ortorrmbico
Rombodrico
Ortorrmbica
simple

Ortorrmbica
centrada en
las bases
Ortorrmbica
centrada en
el cuerpo
Ortorrmbica
centrada en
las caras
Sistema
Cristalino
Redes de Bravais
Tetragonal
Triclnico
Tetragonal simple
Tetragonal centrada
en el cuerpo
Caractersticas de los siete sistemas cristalinos
Estructura Ejes ngulos entre los ejes Compuestos Tpicos
Cbica a = b = c = = = 90
NaCl (CF), laton, CsCl
Metano (CF), CsI,
hierro
Tetragonal a = b = c = = = 90
Circn (ZrSiO2)
SnO2
Ortorrmbica a = b = c = = = 90
Olivino
(Mg,Fe)2(SiO4)
Hexagonal a = b = c
= = 90
= 120
Apatito Ca5[(F, OH,
Cl)/(PO4)3]
Rombodrica a = b = c
= = < 120
= 90
Calcita CaCO3
Dolomita CaMg(CO3)2
Monoclnica a = b = c = = 90 = Mica
Triclnica a = b = c = = = 90
Albita: NaAlSi308
Distena: Al2SiO5
Sistema Cbico
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
celda
esquinas
esquinas
red de pto
celda
red de pto
8
8
1
1
V = a
o
3
Parmetro de red en funcin del Radio atmico

En estructuras simples (especialmente en las de un solo
tomo por nodo) es posible calcular la relacin entre el
tamao aparente del tomo y el tamao de la celda
unitaria.

1. Se debe localizar en la celda la direccin en la que los
tomos tienen un contacto continuo.

Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cuerpo

Cbica simple (CP)
r r
- Los tomos se tocan a lo
largo de la arista del cuerpo

a
0
= 2r

Cbica Centrada en el Cuerpo (CI)
- Los tomos se tocan a lo largo
de la diagonal del cuerpo de una
longitud 3 a
0


a
0
= 4r/3
2r
r
r
Cbica Centrada en las Caras (CF)
- Los tomos se tocan a lo largo
de la diagonal de la cara del
cuerpo, de una longitud 2 a
0


a
0
= 4r/2
2r
r
r
Relaciones de
radios, r/R
Numero de Coordinacin

NC, se refiere simplemente
al nmero de los primeros
vecinos que tiene un tomo.

- Indica la eficiencia del
empaquetamiento.
Cbico simple N de coordinacin = 6 (Vecinos ms cercanos)
BCC N de coordinacin = 8 (Vecinos ms cercanos)
FCC N de coordinacin = 12 (Vecinos ms cercanos)
Los tomos estn empaquetados al mximo
Para una celda cbica, este nmero puede calcularse mediante la expresin
siguiente:
n
V
, el nmero de tomos en los vrtices.
n
C
el nmero de tomos en las caras
n
I
el nmero de tomos en el interior de la celda
Siendo:
Nmero de tomos por celda
La fraccin que multiplica estos nmeros surge del hecho de que la celda debe
entenderse como una porcin de todo el cristal. Los tomos del interior de la
celda pertenecen nicamente a esa celda (de ah el factor 1), pero cada tomo de
un vrtice pertenece simultneamente a 8 celdas contiguas (de ah el factor 1/8),
y cada tomo de una cara, a 2 celdas vecinas (de ah el factor 1/2).
As, para una celda es hexagonal, entonces la expresin anterior ha de sustituirse
por esta otra:


Factor de empaquetamiento:

Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos (suponiendo
esferas slidas).


Factor de
Empaquetamiento = (N de tomos/celda)(Vol.de cada tomo)
Volumen de la celda unitaria
Densidad Terica:

La densidad terica de un metal se calcula tambin aplicando
las propiedades de la estructura cristalina.


Densidad () = (tomos/celda)(masa atmica)
(Vol.de la celda)(N de Avogadro)

NA= 6,02x10
23
tomos/gmol
ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA
La celda unitaria es el prisma.
El nmero de tomos por celda unitaria es igual a 6
El nmero de coordinacin es igual a 12
El FE es igual a 0,74
c/a = 1,633 (ideal)
Ejemplo de metales HC: cadmio, cobalto, zinc
V = a
o
2
.C
o
.Cos 30
DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRAFICOS
Direcciones Cristalogrficas. Indices de Miller
Las propiedades de algunos materiales y procesos varan segn
la direccin en el cristal.

En algunos casos es necesario especificar ciertas direcciones y
planos cristalogrficos.

Las direcciones y planos se describen utilizando tres
coordenadas (Indices de Miller).
Cada punto se puede representar por medio de un vector y sus
coordenadas (x,y,z)

La direccin cristalogrfica es la lnea que une dos puntos
cualesquiera del retculo cristalino y se obtiene como la diferencia
vectorial de los dos vectores.
(xyz)cola (xyz)punta
P
1
P
2
P = P
2
P
1
= (xyz)punta (xyz)cola
P
Proceso:
Dibujar el vector, definir la cola como origen.
Determinar la longitud en unidades de las dimensiones de la celda unitaria.
Eliminar las fracciones multiplicando por el factor ms pequeo posible.
Colocarlo entre corchetes. Si se obtiene un valor negativo, se representa
con una barra sobre el digito.
No hay comas entre nmeros
z
y
x
0,0,0
1,0,0
1,1,1
0,0,1
A
B
C
Direccin A:

a) Los dos puntos de la direccin son:
1,0,0 y 0,0,0

b) (1,0,0) (0,0,0) = 1,0,0

c) No hay fracciones que eliminar o
enteros por reducir.

d) [100]


Direccin B:

a) Los dos puntos 1,1,1 y 0,0,0
b) (1,1,1) (0,0,0) = 1,1,1
c) No hay fracciones
d) [111]
Direccin C:

a) Los dos puntos 0,0,1 y ,1,0
b) (0,0,1) (1/2,1,0) = -1/2,-1,1
c) 2(-1/2,-1,1) = -1,-2,2
d) [122]
Una direccin y sus negativos no son idnticos, [100] no es igual a
[100]. Representan la misma lnea pero direcciones opuestas.

Una direccin y su mltiplo son idnticas, [100] es la misma
direccin que [200].

En muchos sistemas hay varias direcciones que son equivalentes.
Como ejemplo, en el sistema cbico las direcciones [100], [001] y
[010], son equivalentes entre s. Tambin son direcciones
equivalentes las [110], [101] y la [011] y se denominan familias
de direcciones

* En el sistema cbico las direcciones tienen los mismos ndices
Direcciones de la familia <110>
[110]
[101]
[011]
[110]
[101]
[011]
[110]
[101]
[011]
[110]
[101]
[011]
PLANOS CRISTALOGRAFICOS
Se identifican los puntos en los cuales el plano intercepta a los ejes
coordenados.

Se obtienen los inversos de estas intercepciones.

Se eliminan las fracciones (uso de comn denominador).

Se representan los ndices de Miller encerrados entre parntesis, los
nmeros negativos se representan con una raya sobre la cifra.
PLANOS CRISTALOGRAFICOS
Los planos y sus negativos son idnticos.

Los ndices de Miller de un plano y sus mltiplos no representan planos
idnticos.

En cada celda unitaria, una familia de planos representa grupos de
planos equivalentes y se representan mediante llaves { }

En sistemas cbicos, una direccin que tiene los mismos indices que un
plano es perpendicular a este.
PLANOS CRISTALOGRAFICOS
Plano A:

a) X = 1, Y=1, Z=1

b) 1/x = 1 1/y =1 1/z = 1

c) No hay fracciones que eliminar

d) (111)
Plano B:

a) No intercepta los ejes x, z
X = , y = , z =

b) 1/x =0, 1/y=2 , 1/z= 0

c) No hay fracciones que eliminar

d) (020)
0,0,0
Plano C:
a) Se debe desplazar el origen puesto
que el plano pasa por 0,0,0
b) x= y=1 z=
c) 1/x = 0 1/y=1 1/z = 0
d) No hay fracciones que eliminar
e) (010)
INDICES DE MILLER PARA PLANOS EN
CELDAS HEXAGONALES
El sistema de coordenadas utiliza cuatro ejes en lugar de tres,
donde la tercera coordenada es de signo negativo.

El procedimiento para encontrar los ndices es el mismo, solo
que con cuatro intercepciones.

C
a
2
-a
3
a
1
A
B
Plano A:

a) a
1
= , a
2
= , a
3
= , c= 1

b) 1/a
1
= 1/a
2
= 1/a
3
= 0, 1/c = 1

c) No hay fracciones que eliminar

d) (0001)


Plano B:

a) a
1
= 1, a
2
= 1, a
3
= -1/2, c= 1

b) 1/a
1
= 1, 1/a
2
= 1, 1/a
3
= -2, 1/c= 1

c) No hay fracciones que eliminar

d) (1121)
Los ndices de Miller para las direcciones utilizan un sistema
coordenado de tres ejes (a
1
, a
2
y c)
a
1
a
2
c
C
D
Direccin C:

a) 0,0,1 y 1,0,0

b) (0,0,1)- (1,0,0) = -1,0,0

c) No hay fracciones

d) [101]
Direccin D:

a) 0,1,0 y 1,0,0

b) (0,1,0)- (1,0,0) = -1,1,0

c) No hay fracciones

d) [110]
Q
1

DIFRACCION DE RAYOS X
La difraccin de rayos X es uno de los fenmenos fsicos que se
producen al interaccionar un haz de rayos X, de una determinada
longitud de onda, con una sustancia cristalina.

La difraccin de rayos X se basa en la dispersin coherente del haz de
rayos X por los planos de los tomos.
DIFRACCION DE RAYOS X
El fenmeno de la difraccin puede describirse con la Ley de Bragg, que
predice la direccin en la que se difractan los haces de rayos X
dispersados coherentemente por el cristal:
n = 2d sen
= longitud de onda de los rayos x
= ngulo de difraccin
d = distancia interplanar
d =


a
h
2
+ k
2
+ l
2
a = parmetro de red
h, k, l = ndices de los planos
DIFRACCION DE RAYOS X
La difraccin de rayos permite abordar la identificacin de fases
cristalinas (puesto que todos los slidos cristalinos poseen su
difractograma caracterstico) tanto en su aspecto cualitativo como
cuantitativo.
DIFRACCION DE RAYOS X
1- La fase permanece inalterada al aumentar la temperatura hasta
240 C, ya que los mximos de difraccin no varan su posicin ni
su intensidad.

2- Por encima de 240 C los mximos comienzan a perder
intensidad, hasta llegar a desaparecer a 285 C.

3- Entre 285 C y 525 C, se obtiene un compuesto amorfo (no
existen mximos de difraccin), lo que indica la destruccin de la
estructura cristalina de la fase inicial.

4- Entre 525 y 595 C, se produce una reordenacin de los
tomos que forman el compuesto amorfo para generar una nueva
fase cristalina: el arseniato de hierro Fe(AsO4) que cristaliza en el
sistema trigonal. Esta nueva fase ha sido identificada a partir de la
posicin e intensidad relativa de sus mximos de difraccin.

5- A partir de 595 C comienzan a aparecer otros mximos
de difraccin correspondientes a una nueva fase,
identificada como otro arseniato de hierro de la misma
frmula que el anterior, Fe(AsO4), pero que cristaliza en el
sistema monoclnico. La generacin de esta nueva fase se
realiza a costa de la desaparicin del anterior arseniato de
hierro trigonal.

Hemos podido saber que tras calentar este compuesto a
240C ste se descompone. Pero si superamos los 525C
conseguimos formar primero un arseniato de hierro y luego
otro, ambos con la misma frmula qumica, pero que
cristalizan en distintos sistemas cristalinos. Es decir, son
fases polimorfas

IMPERFECCIONES EN CRISTALES
Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma as:

Defectos puntuales o de dimensin cero
Defectos lineales o de una dimensin (dislocaciones)
Defectos de dos dimensiones.


1- DEFECTOS PUNTUALES

VACANTE:

Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por
la perdida de un tomo que se encontraba en esa posicin. Puede
producirse:
Durante la solidificacin por perturbaciones locales durante el
crecimiento de los cristales.
Puede producirse por reordenamientos atmicos en el cristal ya
formado como consecuencia de la movilidad de los tomos.


Vacante.
DEFECTO INTERSTICIAL

Un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en
una posicin que normalmente no est ocupada.

Este tipo de defecto introduce relativamente grandes
distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el tomo
es sustancialmente ms grande que la posicin intersticial en la
que se sita.

La formacin de este defecto no es muy probable. Se pueden
introducir en una estructura por radiacin.

Defecto Intersticial
IMPUREZAS EN SLIDOS

Este defecto se introduce cuando un tomo es reemplazado por
un tomo diferente.

El tomo sustituyente puede ser ms grande que el tomo
original y en ese caso los tomos alrededor estn a compresin
puede ser ms pequeo que el tomo original y en este caso los
tomos circundantes estarn a tensin.

Este defecto puede presentarse como una impureza o como una
adicin deliberada en una aleacin.

Dependiendo de la clase de impureza que se halle en el cristal, de
su concentracin y de la temperatura se formar en el cristal una
SOLUCIN SLIDA.

- Soluto: Es el elemento o compuesto dentro de la solucin slida,
que se encuentra en menor concentracin.
-Solvente: Es el elemento dentro de la solucin slida, que se
encuentra en mayor concentracin.

Una solucin slida se forma cuando tomos de soluto se
adicionan al material y la estructura cristalina original se
mantiene.


Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas
pueden generarse por dos mecanismos:

* Sustitucin: Aqu el soluto o las impurezas reemplazan a los tomos
originales. Esto se da cuando los tomos que constituyen el soluto y el
solvente cumplen los siguientes requerimientos:

Los radios atmicos no difieran ms del 15%
Las estructuras cristalinas deben ser las mismas.
Las electronegatividades deben ser similares ya que de otra manera
reaccionaran y se formaran nuevos compuestos
Deben tener la misma valencia

Solucin slida por sustitucin de Cobre y Nquel

* Intersticial: Aqu los tomos de las impurezas llenan los vacos o
intersticios dentro del material original.

En la mayora de los materiales metlicos el empaquetamiento atmico
es alto y los intersticios son pequeos.
En consecuencia los dimetros de los tomos que constituyen las
impurezas intersticiales deben ser sustancialmente ms pequeas que los
del material original.
Un ejemplo de este tipo de impureza por intersticio lo constituyen el
carbn y el hierro. En una solucin slida de estos dos elementos, el
carbn puede sustituir al hierro en no mas del 2%.

Impurezas intersticiales de Carbn en hierro

Otros defectos puntuales importantes son:

DEFECTO FRENKEL
Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial.
Ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a
un sitio intersticial dejando entonces una vacancia.

DEFECTO SCHOTTKY
Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para
mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un
catin como un anin.

Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una
carga reemplaza otro ion de diferente carga.
Por ejemplo un ion de valencia +2 reemplaza a un ion de
valencia +1. En este caso una carga extra positiva se introduce
dentro de la estructura. Para mantener un balance de carga, se
debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces inicos).

Defecto por reemplazamiento por iones de diferente carga

Impurezas en un cristal de
calcita, estas pueden
orientarse siguiendo el
crecimiento del cristal,
formando interesantes
dibujos geomtricos
Insterticial
Romboedros de calcita
coloreados de verde
debido a la existencia de
cobre en su composicin.
En la parte derecha de la
imagen, pequeos
cristales de azurita
Sustitucin
Cristales de arsenopirita
incluidos en cuarzo
Defecto Insterticial
2- Defectos lineales:

Las dislocaciones son defectos de la red cristalina de dimensin
uno, es decir que afectan a una fila de puntos de la red. Las
dislocaciones suceden con mayor probabilidad en las direcciones
compactas de un cristal y son sumamente importantes para
explicar el comportamiento elstico de los metales, as como su
maleabilidad, puesto que la deformacin plstica puede ocurrir por
desplazamiento de dislocaciones.
Hay dos tipos de dislocaciones, las de cua y las helicoidales.
Tambin puede darse una combinacin de ambas, denominada
dislocacin mezcla

DISLOCACIN DE CUA:

Se crea por insercin de un semiplano adicional de tomos
dentro de la red.
Los tomos a lado y lado del semiplano insertado se
encuentran distorsionados.
Los tomos por encima de la lnea de dislocacin, que se
encuentra perpendicular al plano de la pgina, en el punto
donde termina el semiplano insertado, se encuentran
comprimidos y los que estn por debajo se encuentran
apartados.
Esto se refleja en la leve curvatura de los planos verticales de
los tomos mas cercanos del extra semiplano. La magnitud de
esta distorsin decrece con la distancia al semiplano insertado.

La distancia de desplazamiento de los tomos en torno a una
dislocacin se llama DESLIZAMIENTO o vector de Burgers y es
perpendicular a la lnea de dislocacin de cua.

DISLOCACIN HELICOIDAL:

Esta dislocacin se forma cuando se aplica un esfuerzo de
cizalladura en un cristal perfecto que ha sido separado por un
plano cortante.

Aqu el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la
lnea de dislocacin.
DISLOCACIONES MIXTAS

Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones
anteriores. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni
paralelo a la lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin
fija en el espacio.
SIGNIFICADO DE LAS DISLOCACIONES
El deslizamiento atmico explica por que la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor terico predicho de los
enlaces metlicos. Cuando los deslizamientos ocurren, solo una
pequea fraccin de todos los enlaces metlicos a lo largo de la
interfase necesita ser roto y la fuerza requerida para deformar el
metal es pequea.

Los deslizamientos proveen ductilidad en los metales. Si no
estuvieran presentes las dislocaciones, una barra de hierro sera
frgil y los metales no podran ser moldeados por varios procesos
tales como forjado.

Es posible controlar las propiedades mecnicas de un metal o
aleacin interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un
obstculo introducido dentro del cristal evita que una dislocacin
se deslice a menos de que se aplique una fuerza muy grande.


DEFECTOS SUPERFICIALES:

Fronteras superficiales, interfases o planos que separan un
material en regiones de la misma estructura cristalina pero con
distintas orientaciones cristalogrficas.

SUPERFICIE EXTERNA
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en
las cuales la red termina abruptamente.

Los tomos de la superficie no estn enlazados al nmero mximo
de vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen
mayor estado energtico que los tomos de las posiciones internas.

Los enlaces de esos tomos superficiales que no estn satisfechos
dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades de
energa por unidad de rea.

Adems la superficie del material puede ser rugosa, puede
contener pequeas muescas y puede ser mucho mas reactiva que el
resto del material.


BORDE DE GRANO:
Se puede definir como la superficie que
separa los granos individuales de
diferentes orientaciones cristalogrficas
en materiales policristalinos.

El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn
Uniformemente separados, o sea que hay tomos que estn muy juntos
causando una compresin, mientras que otros estn separados causando
tensin.

De cualquier forma los limites de grano son reas de alta energa y
hace de esta regin una mas favorable para la nucleacin y el
crecimiento de precipitados

Superficie galvanizada con granos
de zinc visibles
BORDE DE GRANO:
El borde de grano, o lmite de grano es la superficie de separacin
entre dos monocristales de un mismo gran policristal. Surge como
consecuencia del mecanismo del crecimiento de grano, cristalizacin,
cuando dos monocristales que han crecido a partir de ncleos diferentes
se "encuentran, a pesar de tener la misma estructura cristalina, las
orientaciones, debido al azar, sern diferentes y unos cristales
compensarn a los otros.

A menor tamao de grano, menor conductividad elctrica pues el borde
de grano impide el movimiento de los electrones.
A menor tamao de grano, mayor resistencia mecnica, pues las
dislocaciones tendrn mayor movilidad dentro del cristal.

DEFECTOS (IRREGULARIDADES) DE APILAMIENTO:
interrupcin o irregularidad en la secuencia de apilamiento de los planos
compactos cristalinos.

Falla intrnseca: esta falla se representa por la falta de parte de una capa,
de tomos en la secuencia de apilamiento.

AAAAAA AAAAAA
BBBBBB BBBBBB
CCCCCC CCCCCC
AAAAAA AAAAAA
BBBBBB BB
CCCCCC CCCCCC

Falla extrnseca: esta falla se representa por la existencia de una capa
adicional en la secuencia de apilamiento.

AAAAAA AAAAAA
BBBBBB BBBBBB
CCCCCC CCCCCC
AAAAAA AAAAAA
BBBBBB BBBBBB
CCCCCC CCCCCC
CCCCCC



Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los
tomos de un lado del lmite estn localizados en una posicin
que es la imagen especular de los tomos del otro lado.

Las maclas consisten en agrupaciones homogneas de uno o de
varios individuos de la misma especie que poseen en comn
dos de sus tres direcciones cristalogrficas principales. Muchas
maclas se reconocen fcilmente debido a que en ellas existen
ngulos entrantes dirigidos hacia el interior del cristal.

MACLAS:
Macla de Calcita.
Q
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