Un slido cristalino es un arreglo peridico regular y

tridimensional de un grupo representativo de tomos, molculas

o iones.
La importancia tecnolgica de los slidos cristalinos est en
relacin con sus propiedades elctricas, pticas o magnticas
que son distintivas de las estructuras peridicas y en base a las
cuales se fabrican muchos dispositivos de la vida actual: lseres,
dispositivos emisores de luz (LED), fotmetros, celdas solares,
transistores, chips, pantallas de TV, transformadores, sensores
de temperatura o de humedad, conductividad elctrica y trmica,
punto de fusin, densidad, modulo de elasticidad, calor
especfico y en la resistividad elctrica, etc.
Forma definida y son resistentes a la deformaciones.
Volumen definido y son prcticamente incompresibles.
La densidad de una sustancia slida es mayor que en su fase
lquida (el agua es una excepcin)
No son fluidos (No se desplazan por tuberas)
Son anisotrpicos
No presentan la propiedad de la difusin

4
Celda unitaria Celda unitaria en 3 dimensiones
En los puntos
reticulares:
tomos
Molculas
Iones
Punto
reticular
SLIDO CRSTALINO
7 TIPOS DE CELDAS UNITARIAS
14 REDES DE BRAVAIS
Cbico simple
Cbico centrado en
el cuerpo
Empaquetamiento
cbico compacto
(Cbico centrado en
las caras)
Empaquetamiento
hexagonal compacto
Cbico
Simple
Cbico
Centrado
en el
cuerpo
Cbico
centrado
en las
caras
Celda unidad Red Ejemplo
Polonio
metlico
Uranio
metlico
Oro
metlico
Cbico simple
Cbico
centrado en las
caras
Cbico
centrado en el
cuerpo
TIPOS DE CELDAS CBICAS
Cbica simple Cbica centrada en el cuerpo Cbica centrada en las caras
+
Los conceptos de red espacial, base y estructura cristalina,
particularizados para una estructura cbica simple
Arista (a) = 2 x radio (r)


Nmero de coordinacin = 6
Cada tomo en la red est rodeado por 6
tomos.

tomos por celda = 8 x 1/8 = 1
Formalmente podemos atribuir que cada
celda contiene 1 tomo por celda.




Eficacia del empaquetamiento = 52 %

r
a
3 3
3 3
4 4
3 3
0, 52
6
(2 )
ocupado
V
V
a
celda
r
r r

Cada tomo en un
vrtice de este cubo implica
la comparticin con 8
cubos. Por tanto,
formalmente a cada cubo se
le atribuye 1/8 de tomo.
El nmero de tomos que contiene la celda unidad es
de 4: 3 tomos (1/2 tomos en el centro de las 6 caras)
y 1 tomo (1/8 tomos en los 8 vrtices).

Nmero de coordinacin = 12
A cada tomo lo rodean 12 tomos



a
4r
a
1 1
8 6 4
8 2
tomos por celda
Aplicando teorema de Pitgoras:

2
3
2
2
4. 2 2
4 4
4. 4.
3 3
0, 7
(
4
(
) (
2 2 )
)
3 3
3
ocupado
celda
r a a a
r r V
V
a
r
r



Eficacia del empaquetamiento = 74 %

ES UNA ESTRUCTURA COMPACTA: NO HAY
MAYOR POSIBILIDAD DE EMPAQUETAMIENTO
Y SE DENOMINA CBICO COMPACTO
El nmero de coordinacin de la estructura CCC es 12. La forma ms sencilla de
efectuar este recuento es situndose mentalmente en el tomo del centro de una
de las caras (de color rojo en la siguiente figura), y contar todos los tomos en
contacto con l (los coloreados en azul).

Estas estructuras de empaquetamiento compacto de esferas rgidas idnticas es
adoptada por la mayora de los slidos monoatmicos, esto es los metales y los
gases nobles. Sin embargo, en el caso de compuestos binarios del tipo AB, AB
2
,
A
2
B donde A y B tienen tamaos distintos, es necesario describir lo que se llama
formacin de sitios intersticiales.
Capa a

Capa b

Capa a

Nmero de coordinacin = 8
A cada tomo le rodean 8 tomos.

tomos por celda = (8 x 1/8) + 1 = 2
a
c
b
a
2
2 2
3 3
2 2 2
2 2
2
3
3
2
3.
4 3. 3
4 4
2. 2. ( )
3 3
0, 68
4
( )
(
3
)
ocupado
b a a a
c a b a
c a a
r
V
V
a
celda
r
r
r





Eficacia del empaquetamiento = 68 %
INDICE DE COORDINACION: 12
NMERO DE TOMOS POR CELDA: 6
MXIMO EMPAQUETAMIENTO:
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO: 0,74
Cuando la plata cristaliza forma celdas cbicas
centradas en las caras. La longitud de la arista de la
celda unitaria es de 409 pm. Calcule la densidad de
la plata.
d =
m
V
V = a
3
= (409 pm)
3
= 6,84 x 10
-23
cm
3

4 tomos/celda unitaria en una celda cbica centrada en las caras
m = 4 tomos Ag
107,9 g Ag
1 mol Ag
x
1 mole Ag
6,02 x 10
23
tomos Ag
x = 7,17 x 10
-22
g
d =
m
V
7,17 x 10
-22
g
6,84 x 10
-23
cm
3

= = 10,5 g/cm
3

Cuando la radiacin electromagntica pasa a travs de, o es
reflejada por una estructura peridica (que tiene una
caracterstica que se repite regularmente) puede ocurrir el
fenmeno de interferencia constructiva-destructiva y,
consecuentemente ocurre difraccin.
En una red cristalina, que es una estructura peridica
tridimensional, la distancia de repeticin es aproximadamente
del orden de algunos , por lo tanto es de esperar que
cuando la radiacin X pase a travs de una red cristalina se
produzca el fenmeno de difraccin.
En la siguiente figura se esquematiza como se produce dicho
fenmeno:

22
23
Tubo de
Rayos-x
Lmina
de plomo
Slido cristalino
Mancha del haz incidente

Mancha de los rayos-x difractados

Placa fotogrfica
d sen
(Ecuacin Bragg)
Rayos incidentes
Rayos reflejados
d sen q
Distancia adicional = BC + CD = 2d senq nl
Un cristal difracta los rayos X de longitud igual a 0,154 nm
con un ngulo de 14,17
0
. Suponiendo que n = 1, cul es la
distancia (en pm) entre las capas del cristal?
nl = 2d sen q n = 1 q = 14,17
0
l = 0,154 nm = 154 pm
d =
nl
2senq
=
1 x 154 pm
2 x sen14.17
= 314,5 pm
Slido cristalino
Las partculas (molculas, tomos o
iones) estn dispuestos en forma regular.
Tienen orden de largo alcance.
Son anisotrpicos.
Tienen punto de fusin definido.
La ruptura produce fragmentos que tienen
las mismas caractersticas que el slido
original.
Ejemplos: Grafito, diamante, cuarzo,
cobre,


CLORURO DE SODIO
CLASIFICACION DE LOS SLIDOS CRISTALINOS
Tipo de
Cristal
Partculas Fuerzas de
Interaccin
Propiedades Ejemplos

INICO
Cationes y
Aniones
Atraccin
electrosttica
Altos punto de fusin
Duros y frgiles
Malos conductores en
fase slida.
NaCl
BaO
KNO
3

MOLECULAR
Molculas Fuerzas
intermoleculares
Bajos punto de fusin
Blandos
Malos conductores
H
2
0
CH
4
SO
2


COVALENTE
tomos Enlace
covalente
Punto de fusin
generalmente muy altos
Duros o suaves
Generalmente son malos
conductores


Diamante
SiC

METLICO
Ines positivos y
electrones
mviles
Enlace metlico De blandos a muy duros
Punto de fusin variables
Maleables y dctiles
Buenos conductores
Na
Cu
Ag
Fe
Puntos reticulares ocupados por cationes y aniones
Se mantienen juntos por la atraccin electrosttica
Duro, quebradizo, punto de fusin alto (400 a 3000 C)
Mal conductor de calor y electricidad en fase slida
Buen conductor en estado fundido o en solucin acuosa
CsCl ZnS CaF
2


Puntos reticulares ocupados por tomos
Se mantienen juntos por enlace covalente
Duro, punto de fusin alto, (1200 a 4000 C)
Mal conductor de calor y electricidad
Diamante
Grafito

Puntos reticulares ocupados por molculas
Se mantienen juntos por fuerzas intermoleculares
Suave, punto de fusin bajo, (-272 C a 400 C)
Mal conductor de calor y electricidad
Hielo seco, CO2
I2

Puntos reticulares ocupados por tomos metlicos
Se mantienen juntos por enlaces metlicos
Blando a duro, punto de fusin bajo a alto, (- 39 a 3400 C
Buen conductor de calor y electricidad
Una misma sustancia puede estar en forma de slido amorfo o
cristalino dependiendo de su forma de obtencin.
Un vidrio es un producto de fusin de materiales inorgnicos
pticamente transparente que se ha enfriado a un estado
rgido sin cristalizar.(slido amorfo o lquido subenfriado)
Cuarzo
cristalino (SiO
2
)
Vidrio de cuarzo
no cristalino
JFJLFLKAJDDDDD
Adems, a modo ilustrativo, se muestra una comparativa del tamao de
tomo de la estructura (en el centro) y los tomos de mayor tamao que
podran alojarse en los respectivos intersticios para los diferentes tipos de
celdas. Dos son los aspectos a destacar en esta figura.
- Para un determinado radio del tomo anfitrin, las estructuras que podran
albergar los tomos mayores seran las estructuras compactas (FCC y HCP),
aunque esto pueda parecer inslito.
- En las estructuras CCC y HCP los intersticios mayores son los octadricos,
en tanto que para la BCC, los mayores son los tetradricos.

La estructura cristalina es un concepto terico que permite comprender
cmo estn formados los materiales. A partir del concepto de estructura
cristalina es posible explicar muchas de las propiedades que exhiben los
materiales, sean stos cristalinos o amorfos. El plantear que un material
clasificado como cristalino posee estructura cristalina es una
idealizacin que no siempre se cumple en los materiales reales. La
forma como estn colocados los tomos en un material real
normalmente difiere de la posicin ideal que se espera a partir de la
estructura cristalina. Esas diferencias pueden explicarse planteando que
el modelo de arreglo atmico puede poseer defectos. Para propsitos
de estudio, los defectos se clasifican de la siguiente manera:
Se dan a nivel de las posiciones de los tomos
individuales. Los principales defectos puntuales son
los siguientes:
a. Vacancias. Son puntos de red vacos en la
estructura del material. Estos lugares deberan
idealmente estar ocupados por tomos, sin embargo
se encuentran vacos.
b. tomos sustitucionales. En teora un material
puro est formado exclusivamente por el mismo tipo
de tomos. Los materiales reales no son 100% puros
sino que poseen impurezas, las cuales se definen
como tomos diferentes a los tomos del material
original. Cuando uno de esos tomos diferentes
sustituye a un tomo original ocupando su punto de
red, recibe el nombre de tomo sustitucional.
c. tomos intersticiales. Son tomos que ocupan
lugares que no estn definidos en la estructura
cristalina. En otras palabras, son tomos cuya
posicin no est definida por un punto de red.
Normalmente estos tomos se colocan en los
intersticios que se forman entre los tomos originales,
por lo que se les llama tomos intersticiales.
Se dan a nivel de varios tomos confinados generalmente a un
plano. Los defectos lineales ms importantes en los materiales son
las dislocaciones. Las dislocaciones se generan durante la
solidificacin o la deformacin plstica de los materiales cristalinos, y
consisten en planos extra de tomos insertados en la estructura
cristalina. se extienden en una direccin, y afectan a una fila de
puntos de red:
Las dislocaciones tienen dos caractersticas importantes:
Tienen la capacidad de moverse o desplazarse en el interior del material.
Cuando una dislocacin se desplaza, se divide aumentando el nmero
de dislocaciones presentes en el material.