LECCIN 2

Estadstica de Electrones y
Huecos en Semiconductores
Semiconductor Intrnseco
Impurezas y su Estadstica de Ocupacin
Semiconductor de Tipo N (no compensado)
Semiconductor Compensado
Semiconductor Degenerado
Semiconductor
E
g
=0.5-2eV
E
g
Banda de
valencia
Banda de
conduccin
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ge Ge Ge Ge
Ge Ge Ge Ge
-
-
-
-
0 K
-
+
300 K
Hay 1 enlace roto por cada 10
9
tomos.
Un electrn libre y una carga + (hueco) por cada
enlace roto.
Semiconductor Intrnseco
dE E g = N
V
E
0
v
) (
}
E
c

E
v

Estados posibles
Estados posibles
g
c
(E)
g
v
(E)
T = 0 K
(E)dE g f (E) + (E)dE g f (E) = N
c
E
v
E
0
c
v
} }

Electrones
Electrones
E
1
0.5 0
E
F

f

(E)
kT
E E
F
e
E f

+
=
1
1
) (
T > 0 K
Semiconductor Intrnseco
Estados posibles
Estados posibles
g
c
(E)
g
v
(E)
E
c

E
v

Electrones
E
1
0.5 0
E
F

f

(E)
(E)dE g f(E) + (E)dE g f(E)
dE E g
c
E
v
E
0
v
E
0
c
v
v
=
} }
}

) (
( ) (E)dE g f(E) = (E)dE g f(E) 1
c
E
v
E
0
c
v
} }

T > 0 K
Electrones
e
+ 1
1
=
e
+ 1
e
=
e
+ 1
1
1 = f(E) 1
kT
E E
kT
E E
kT
E
E
kT
E E
F F
F
F

f
v
=1-f
El nivel de Fermi tiene que ser tal
que las reas que representan
huecos y electrones sean idnticas
(semiconductor intrnseco)
p = n
Huecos
Semiconductor Intrnseco
) (E g ) (E f
) (E g
) (E g
E
e
=E - E
c
E
h
=-(E-E
v
)

E
Fe
=E
c
- E
F
E
Fh
=E
F
- E
v

h
kT
E E
h v
0
E
e
kT
E E
e c
0
dE
e
+ 1
1
E g
dE
e
+ 1
1
E g
Fh h
v
Fe e
+ +

} }
= ) ( ) (
) (
e
) (
e
) (
dE E
g
dE E
g
h kT
E
+
E
h
v
0
e
kT
E
+
E
e
c
0
Fh h Fe e

} }
=
En el semiconductor no degenerado
el nivel de Fermi se encuentra en la
banda prohibida >> kT
n = p
Las energas E
Fe
y E
Fh
son magnitudes positivas y >> kT, pues son las distancias de la
banda de conduccin al nivel de Fermi (dentro de la banda prohibida en un
semiconductor no degenerado) y de ste a la banda de valencia.
Semiconductor Intrnseco

dE e E
g =
N
dE e E
g =
N
h kT
E
h
v
0
v
e kT
E
e
c
0
c
h
e
) (
) (

}
}
p =
e N
=
e N = n
kT
E
v kT
E
c
Fh Fe

n
=
e N N
=
e N N
= np
i
2
kT
E
v c kT
E
+
E
v c
g
Fh Fe

h e
2
3
2
*
h e,
2
h e,
v c,
E
m
2
2
1
= )
E
( g
,
|
|
.
|

\
|
t
Semiconductor intrnseco
Semiconductor intrnseco no degenerado
Vlido para cualquier semiconductor no degenerado:
Para dar una expresin final para las densidades de estados integrales en las bandas de
conduccin y valencia, habremos de integrar la densidad de estados para electrones y
huecos:
p ) (
e
) (
dE e E
g
dE E
g e ) ( e n
h kT
E
h
v
0
kT
E
e
kT
E
c
c
0
kT
E
h
Fh
e
Fe
=
} }

= =
DENSIDAD DE ESTADOS
dE E g dV k g dN
k
) ( ) ( = =
1D
k
dk
dk dN
D
k
t 2
1
2
1
=
2D
k
x
k
y
k d dN
D
k

2
2
2
2
1
2
|
.
|

\
|
=
t
3D
k
x
k
y
k
z
k d dN
D
k

3
3
3
2
1
2
|
.
|

\
|
=
t
DENSIDAD DE ESTADOS
1D
k
dk
dk dN
D
k
t 2
1
2
1
=
dE
dk
dE
dk
|
.
|

\
|
=
1
dk
dE
dE
dN
E g
D
1 1
) (
1
t
= =
Bandas parablicas
*
2 2
0
2
) (
m
k
E k E

+ =
) ( 2
) ( 2
0
*
* 2
0
*
*
2
*
2
E E m
m
E E m
m m
k
dk
dE
=

= =

( )
( )2
1
0
2
1
*
1
1
2
) (
E E
m
E g
D

=
t
dE E g dV k g dN
k
) ( ) ( = =
DENSIDAD DE ESTADOS
k
x
k
y
E+dE

E

k+dk

k

dk
dE
k
dE
dN
E g
D
1
) (
2
t
= =
dk k dN
D
k
t
t
2
2
1
2
2
=
*
2
m
k
dk
dE
=
2
*
2
) (
t
m
E g
D
=
dE E g dV k g dN
k
) ( ) ( = =
DENSIDAD DE ESTADOS
dk k dN
D
k
2
3
3
4
4
1
t
t
=
dk
dE
k
dE
dN
E g
D
1
) (
2
2
3
t
= =
2
0
*
2 2
*
2 2
*
3
) ( 2
) (

E E m m k m
E g
D

= =
t t
dE E g dV k g dN
k
) ( ) ( = =
*
2
m
k
dk
dE
=
( )
0
3 2
2
3
*
3
2
) ( E E
m
E g
D
=
t
DENSIDAD DE ESTADOS
Banda de conduccin multi-valle (GERMANIO)
( )
0
3 2
2
1
* * *
3
2
) ( E E
m m m
E g
z y x
D
=
t
( )
0
3 2
2
1
*
3
*
2
*
1
3
2
) ( E E
m m m
M E g
D
=
t
Banda de conduccin en un semiconductor ortorrmbico o en
cbicos con k distinto de 0.
e
)
m m
(
)
2
kT
( 4 =
n
kT
E
*
h
*
e
2
3
2
3
2
i
g

t
)
m
m
(
4
kT
3 +
2
E
+
E
=
N
N
2
kT
+
2
E
+
E
=
E
e
=
e
N
N
p
e N e N n
*
e
*
h v c
c
v v c
F
kT
E
2
kT
E
+
E
c
v
kT
E E
v kT
E E
c
F v c v F F c
ln ln
|
|
.
|

\
|
=
= =

dx
e
kT
m
2
2
1
= dE E
e
m
2
2
1
=
N
x
x
0
2
*
h e,
2
3
2
h e
h e
kT
E
0
2
*
h e,
2
3
2
V C,
h e,

} }
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
2
3
,
2
1
,
t t
n
i


(
c
m
-
3
)

|
|
.
|

\
|
t 2
kT
m
=
N
2
*
h e,
2
3
v c,
2
Semiconductor Intrnseco
kT
E
*
h
*
e
4
3
2
2
3
i
g
e
)
m m
(
)
2
kT
( 2 =
n
2

t
Tiene 5 electrones en la
ltima capa, uno ms
que el Ge.
Si se introducen pequeas cantidades de impurezas del grupo V
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
-
1
2
3
4
5
0 K
Impurezas
Si se introducen pequeas cantidades de impurezas del grupo V
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Sb
-
-
1
2
3
4
300 K
Sb
+

5
-
Impurezas
Al aumentar la temperatura apenas unas decenas de K ser
posible ionizar el tomo de Sb, ofreciendo electrones a BC.
Se dice entonces que el Sb es una impureza dadora.
En el Ge habrn ms electrones que huecos.
Es un semiconductor de tipo N.
-
E
n
e
r
g

a

E
g
=0.67eV
4 electr./atm.
4 est./atm.
0 electr./atm.
E
Sb
= 0.039 eV
-
-
-
-
0K
El Sb da lugar a un nivel de energa permitido en la banda
prohibida, muy cerca de la banda de conduccin.
La diferencia de energa entre dicho nivel localizado y la
banda de conduccin determinar la temperatura necesaria
para tener suficientes electrones en sta.
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo N
3 est./atm.
1 electr./atm.
-
+
300 K
Impurezas
Tiene 3 electrones en la
ltima capa, uno menos
que el Ge.
Si se introducen pequeas cantidades de impurezas del grupo III
0 K
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
-
-
1
2
3
Impurezas
Si se introducen pequeas cantidades de impurezas del grupo III
0 K
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
G
e
-
-
-
-
Al
-
-
1
2
3
300 K
Al
-

+
-
4 (extra)
Al aumentar la temperatura apenas unas decenas de K ser
posible que los tomos de Al capten electrones de la BV.
Se dice entonces que el Al es una impureza aceptora.
En el Ge habrn ms huecos que electrones.
Es un semiconductor de tipo P.
Impurezas
E
n
e
r
g

a

E
g
=0.67eV
4 electr./atom.
0 huecos/atom.
4 est./atom.
E
Al
=0.067eV
-
-
-
-
0 K
+
-
3 electr./atom.
1 hueco/atom.
300 K
El Al da lugar a un nivel de energa permitido en la banda
prohibida, muy cerca de la banda de valencia.
La diferencia de energa entre dicho nivel localizado y la
banda de conduccin determinar la temperatura necesaria
para tener suficientes huecos en sta.
Interpretacin en diagrama de bandas de un
semiconductor extrnseco Tipo P
Impurezas
Niveles de impureza en Silicio y Germanio
Impurezas dadoras
Impurezas aceptoras
e
-
+
Si, Ge (4 e)
N, P, As, Sb (5 e)
Si, Ge (4 e)
B, Al, Ga, In (3 e)
S
U
S
T
I
T
U
C
I
O
N
A
L
E
S


h
+
-
Impurezas
Niveles de impureza en semiconductores compuestos (GaAs)
S
U
S
T
I
T
U
C
I
O
N
A
L
E
S


Impurezas dadoras sustituyendo al catin
Impurezas dadoras sustituyendo al anin
Ga (3 e)
e
-
+
+
e
-
As (5 e)
Si, Ge, Sn, In (4 e)
en lugar de Ga (3 e)
S, Se, Te (6 e)
en lugar de As (5 e)
Impurezas
Niveles de impureza en semiconductores compuestos (GaAs)
S
U
S
T
I
T
U
C
I
O
N
A
L
E
S


Impurezas aceptoras sustituyendo al catin
Impurezas aceptoras sustituyendo al anin
As (5 e)
Zn, Cd (2 e)
en lugar de Ga (3 e)
h
+
-
Ga (3 e)
C, Si, Ge (4 e)
en lugar de As (5 e)
h
+
+
Impurezas
meV
m m
Ry Ry E E E
r
d c d
50 5
/
*
2
0
*
~ = = = A
c
E
C
E
V
E
D
e e d
E E

~ A
E
e-e
= energa de repulsin
entre los dos electrones
Estadstica de Electrones en Impurezas
Se puede considerar un modelo hidrogenoide para un
electrn ligado a la atraccin de una impureza cargada
positivamente, teniendo en cuenta que esta interaccin
est apantallada por la polarizacin del medio
(constante dielctrica relativa)
El estado de energa para
el segundo electrn
aparecera a una energa
mucho mayor, confundido
con los estados de la
banda de conduccin.
meV
m m
Ry Ry E E E
r
d c d
50 5
/
*
2
0
*
~ = = = A
c
E
C
E
V
E
D
e e d
E E

~ A
E
e-e
= energa de repulsin
entre los dos electrones
Estadstica de Electrones en Impurezas
Se puede considerar un modelo hidrogenoide para un
electrn ligado a la atraccin de una impureza cargada
positivamente, teniendo en cuenta que esta interaccin
est apantallada por la polarizacin del medio
(constante dielctrica relativa)
El estado de energa para
el segundo electrn
aparecera a una energa
mucho mayor, confundido
con los estados de la
banda de conduccin.
1
Vaco
2
1e spin up
2
1e spin down
N 0 1 1
E 0 E
D
E
D

kT
E E
kT
E E
kT
E E
kT
E E
kT
E E
kT
E E
kT
E E
F D F D
F D
F D F D
F D F D
e e
e
e e
e e
>= n <

+
=
+
=
+ +
+
2
1
1
1
2 1
2
1
e
e N
>= n <
kT
N E
j
kT
N E
j
j
j j
j j

Frmula de Gibbs
Estadstica de Electrones en Impurezas
nmero promedio de electrones en
los niveles localizados (slo puede
ser ocupado por un electrn)
Ecuacin de neutralidad elctrica:
np =n
i
2

N
d
= concentracin de impurezas dadoras.
d d
d
N p n n
N p n
+ = +
+ =
+
Semiconductor de tipo N
kT
E E
d
d
F d
e
N
n

+
=
2
1
1
N
d
+
= concentracin de impurezas dadoras ionizadas.
n
d
= concentracin de electrones en las impurezas
kT
E E
d
d d d
F d
e
N
n N N

+
+
= =
2 1
+
~
d
N n

e
2 1
N
=
e N
kT
E E
d
kT
E E
c
d F
F c

+
Definiendo
Semiconductor de tipo N
0
2 2
1
0
2
2 1
2
2
= +
= +
+
+

e
N
N
e X X
N
e X
N e X N

N
= )
Xe
(
Xe N
kT
E
E
c
d
kT
E
d
kT
E
c
kT
E
E
c
d kT
E
kT
E
c
d c d
c
d c
d c

e
= X
kT
F
E

e
2 1
N
=
e N
kT
E E
d
kT
E E
c
d F
F c

+
(

A
1
e
N
N
8
+ 1
e
4
1
= X
kT
E
c
d
kT
E
d d
e
2
N N
= n
2kT
E
d c
d
A

Solucin vlida hasta temperaturas

muy elevadas (p<<N
d
)
Semiconductor de tipo N
(

A
1
e
N
N
8
+ 1
e
4
1
= X
kT
E
c
d
kT
E
d d
(

|
|
.
|

\
|

A
1 ln
e
N
N
8
+ 1
e
4
1
kT = E
kT
E
c
d
kT
E
F
d d
(1) A temperaturas muy bajas, para las que N
d
>>N
c
, y por tanto podemos
despreciar el 1 en la raz y fuera de la raz
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
A
e e
N
N
kT
e
N
N
8
e
4
1
kT =
E
2kT
E
2kT
E
c
d
2kT
E
c
d
kT
E
F
d c d d
2
ln ln
e N
= n
kT
E E
c
F c

La concentracin de
electrones crece con una
energa de activacin igual a
la mitad de la energa de
ionizacin de las impurezas.
|
|
.
|

\
|
N
2
N
2
kT
+
2
E
+
E
= E
c
d d c
F
ln
Semiconductor de tipo N
(2) A temperaturas intermedias N
c
aumenta y podramos aproximar la
solucin a:
N
N
kT +
E
=
E
c
d
c F
ln
(

A
1
e
N
N
8
+ 1
e
4
1
= x
kT
E
c
d
kT
E
d d
e
N
N
e
N
N
e
4
1
= X
kT
E
c
d
kT
E
c
d
kT
E
c d d
=
(

A
4
e
X
N
=
e N
= n
kT
E
c kT
E E
c
c F c

(3) El siguiente rango de temperaturas se caracteriza porque todas las

impurezas estn ionizadas y comienza a dominar el rgimen intrnseco:
(
(

N
n
4
+ 1 + 1
2
N
= n 0 =
n
n
N n N
+
n
n
= n
2
d
2
i d 2
i d
2
d
2
i
p
|
|
.
|

\
|
A
e
N
N
e
kT =
E
kT
E
C
d
kT
E
F
d d
ln
N
n
d
=
Semiconductor de tipo N
Estas expresiones dan lugar a las obtenidas en el rango (2) cuando n
i
<<N
d

y conducen al comportamiento intrnseco cuando n
i
>>N
d
(
(

N
n
4
+ 1 + 1
2
N
= n
2
d
2
i d
|
|
.
|

\
|
)
N
n
4
+ 1 + (1
N
2
N
KT +
E
=
E
2
d
2
i
c
d
c F
ln
E
E
C
E
V
E
D
T
E
F
T
1 T
2
ln n
1/T 1/T
2
1/T
1
ln N
D
Semiconductor de tipo N
3
2 3
0
*
, 15
,
10 83 . 4

|
|
.
|

\
|
= cm T
m
m
N
v c
v c
N
d
=

10
16
cm
-3
N
d
= concentracin de impurezas dadoras.
N
a
= concentracin de impurezas aceptoras.
+
+ = +
+ + = + +
d a
d
a a
d
N p N n
N p p N n n
Semiconductor
compensado:
Semiconductor Compensado
N
a
=

10
14
cm
-3
N
d
= concentracin de impurezas dadoras.
N
a
= concentracin de impurezas aceptoras.
+
+ = +
+ + = + +
d a
d
a a
d
N p N n
N p p N n n
Semiconductor
compensado:
Semiconductor Compensado
El efecto de N
a
aceptores se reduce a disminuir el nmero efectivo de
dadores, ya que N
a
electrones pasarn a los niveles aceptores. En las
ecuaciones anteriores bastar con sustituir N
d
por N
d
- N
a
(o viceversa si se
trata de un tipo P).

Si estuviesen en igual concentracin, el comportamiento del
semiconductor sera el intrnseco.

La mayor diferencia tendr lugar a bajas temperaturas, para las cuales, la
concentracin de electrones y huecos es pequea en comparacin a la
impurezas ionizadas (la que domine, supongamos que N
d
>N
a
).
a a d
d a
N N N
N p N n
= ~
+ = +
+
+
Semiconductor compensado
de tipo N (baja T):
Semiconductor Compensado
N
2
N N
e
=
e
e
=
N
2
N N

N
=
1 +
e
2
N
a
a d
kT
E
kT
E
kT
E E
a
a d
a
kT
E E
d
d F
d F
d F

N
2
N N
kT +
E
=
E
a
a d
d F

ln
e e N n
kT
E
kT
E
c
c F

=
e
N
N N
N
n
kT
E
a
a d
c
d
A

=
2
En el caso de compensacin (tipo N), no muy
lejos de T = 0 K, la energa de activacin para
la concentracin de electrones coincide con la
energa de ionizacin de la impureza dadora.
Semiconductor degenerado
Cuando la concentracin de impurezas es muy alta, el nivel de Fermi puede
penetrar en las bandas varias unidades kT (alcanzndose una situacin
similar a la de los metales: hay que volver a la estadstica de Fermi-Dirac. El
semiconductor es degenerado.
E
E
C
E
V
E
D
T
E
F
T
1 T
2
|
|
.
|

\
|
N
2
N
2
kT
+
2
E
+
E
=
E
c
d d c
F
ln
dT
dN
N
1
2
kT
N
2
N
2
k
=
dT
dE
c
C c
d F
ln
dT
dN
N
T
=
N
2
N
c
c c
d
ln
e
4
N
k
m
2
=
T
e
2
N
=
2
kT m
2
3
2
d
*
e
2
2
3
d
2
*
h e,
2
3
3
2
max
max

t
t

|
|
.
|

\
|
e
2
N
=
N

2
3
=
N
2
N
2
3
D
C
c
d
ln
T
N
2
3
=
dT
dN
c c

(

e
4
N
m
2
3
+
2
E
+
E
=
kT
4
3
+
2
E
+
E
=
E
3
2
d
*
e
2
d c d c
Fmax
3
2
max

t
Semiconductor degenerado
Cuando la concentracin de impurezas es muy alta, el nivel de Fermi puede
penetrar en las bandas varias unidades kT (alcanzndose una situacin
similar a la de los metales: hay que volver a la estadstica de Fermi-Dirac. El
semiconductor es degenerado.
)
N
2
N
(
2
kT
+
2
E
+
E
=
E
c
d d c
F
ln
e
4
N
m
2
3
+
2
E
+
E
E E
3
2
d
*
e
2
d c
F c
3
2
max

t
=
=
|
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
E
m
e
4
3
2
= critica
N

d
2
*
e
2
3
2
3
2
3
d

t
) (
| |
|
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
E m
4
1
e
2
3
= crtica
N
=
d
d
*
e
2
2
1
3
1
2
1
3
1
-
d crtica

t
) (
E
E
C
E
V
E
D
T
E
F
T
1 T
2
Semiconductor degenerado
La concentracin crtica es la que determina
una distancia media entre impurezas del
orden del radio de Bohr efectivo. Las
impurezas ya no pueden considerarse
aisladas: se forma una banda que se
superpone con la banda de conduccin. El
semiconductor, incluso a baja temperatura
tiene un comportamiento metlico:
transicin de Mott (aislante-metal).
a
1.2
a
4
e
3
=
q
m
32
4
1
e
2
3
=
d
*
0
*
0
3
1
2
1
2
1
e
2 *
e
2 4 3
2
1
3
1
2
1
crtica
~
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
| t c t
4

|
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
E m
4
1
e
2
3
=
d
d
*
e
2
2
1
3
1
2
1
crtica

t
Semiconductor degenerado
Cuando el semiconductor es degenerado hay que utiliza la estadstica de Fermi-
Dirac, lo que no permite utilizar una expresin analtica exacta para las
concentraciones de electrones y huecos, como en el caso no degenerado.
) (
2 / 1
) (
) (
F C e
kT
E E E
e c
0
F = n N
dE
e
+ 1
1
E g
C F e
c =

}
e
e
0
F
d
e
+ 1
F e
= F c
c
c
c c
t

}
2 / 1
2
2 / 1
) (
< <
F
c 5
Caso no degenerado:
3 < <
F
c
Degeneracin total:
e
kT
E E
F
F C
F
) (
2 / 1
) (

= c
2 / 3
2 / 1
3
4
) (
|
.
|

\
|

=
kT
E E
F
C F
F
t
c
Semiconductor degenerado
Donde _(E) es una primitiva de |(E). Aproximando la derivada de la funcin de
distribucin a una delta de Dirac
dE
dE
df(E)
(E) (E)f(E) = (E)f(E)dE
0 0
|
.
|

\
|
+
} }

_ _ |
0
)
E
( = (E)f(E)dE
F
0
_ |
}

Cuando el nivel de Fermi supera E

c
en varias
unidades kT es posible obtener una relacin
analtica entre el nivel de Fermi y la
concentracin de electrones. Para ello es
necesario realizar un desarrollo de
Sommerfeld de n(E
F
):
dE
e
+ 1
1
E g
e
kT
E E
e c
0
Fe e
= n
+

}
) (
E
m
2
2
1
3
2
= (E)
E
m
2
2
1
= (E) g = (E)
2
3
2
3
2
*
e
2
2
3
2
*
e
2
c
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

t
_
t
|
)
E E
(
m
2
3
1
= n
2
3
c F
2
*
e
2

|
|
.
|

\
|
2
3
t