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GENERADORES DE MICROONDAS

INTRODUCCION
Poco antes de la Segunda Guerra Mundial se desarrollaron en Europa
y los Estados Unidos triodos (Vlvula de vacio) para osciladores de
potencia a frecuencias superiores a 1 GHz, tanto para funcionamiento
en onda continua (CW) como por impulsos.. En ambos casos, para el
desarrollo de un dispositivo detector de aeronaves.(Radares). La
necesidad de equipos para ondas centimtricas con fines militares
estimulo el desarrollo de tubos para microondas y de los
circuitos asociados. Esto dispositivos fueron denominados
magnetrones.
GENERADORES DE MICROONDAS
INTRODUCCION
Antes de la aparicin del Klystron de potencia en los aos cincuenta, estos
tubos y combinaciones de ellos producan las potencias de RF ms elevadas
que se podan obtener por encima de 1 GHz. Estos dispositivos iniciales
presentaban una mayor dificultad en la fabricacin y en lo circuitos
necesarios. Estas dificultades aumentan rpidamente con la frecuencia, y la
ganancia disminuye con la frecuencia. Fue el MAGNETRON,
como generador de microondas de alta potencia, el dispositivo que dio pie al
desarrollo a gran escala de las microondas, al abrir paso a la utilizacin de
sistemas de radar durante la II Guerra Mundial; sin embargo, fueron los
KLYSTRONS, los que dieron una mayor versatilidad de utilizacin de las
microondas, sobre todo en el campo de las comunicaciones, permitiendo
adems una mayor comprensin de los fenmenos que tiene en lugar
los tubos de microondas.
GENERADORES DE MICROONDAS
INTRODUCCION
El principio bsico de funcionamiento de estos generadores es la modulacin
de velocidad de un haz electrnico que al atravesar una cavidad resonante,
excita en ella oscilaciones electromagnticas de la frecuencia de microondas,
deseada.
Un problema concerniente al desarrollo de las w, lo ha constituido hasta
ahora el precio elevado de los generadores. Ha sido el descubrimiento de los
osciladores a semiconductores el que a abaratado, va camino de hacerlo aun
ms, dichos generadores, con el cual el campo de aplicaciones de las
microondas.
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TUBOS DE MICROONDAS
A pesar de los avances en dispositivos de estado slido, cuando se
requiere la generacin de potencias elevadas a frecuencias de microondas,
los tubos de vaco resultan imprescindibles.
Todos los tubos de microondas dependen de la interaccin entre un
haz de electrones y un campo electromagntico soportado por un circuito de
microondas. Esta interaccin acta como mecanismo de amplificacin.
Existen dos clases de tubos:
En los tubos de haz lineal (linear-
beam), tambin conocidos como 'O', el
haz de electrones fluye en una
direccin paralela a los campos
elctrico y magntico, atravesando
toda la longitud del tubo.
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TUBOS DE MICROONDAS
En los tubos de campos cruzados (crossed-field), o tipo 'm', los campos
elctrico y magntico son perpendiculares a la direccin del haz de
electrones.
GENERADORES DE MICROONDAS
TUBOS DE MICROONDAS
El haz de electrones se origina a partir de un can de electrones, que
generalmente comprende un ctodo (la fuente de emisin), un electrodo
de enfoque, un electrodo de modulacin y un nodo. Los electrones se
generan por emisin termoinica, manteniendo el ctodo a una alta
tensin negativa con respecto al nodo, que generalmente se conecta a
tierra.
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TUBOS DE MICROONDAS
Esta diferencia de potencial crea un campo elctrico que acelera los
electrones en su trayecto hacia el nodo, que resulta atravesado por el
haz a travs de un orificio que se practica en su centro.
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TUBOS KLYSTRON.
La excitacin de ondas de carga espacial sobre un haz de electrones se
consigue mediante un proceso denominado modulacin de velocidad. En
los tubos klystron se hace pasar el haz a travs de dos rejillas muy
prximas entre s, localizadas en el centro de una cavidad reentrante.
El proceso de modulacin de
velocidad se utiliza en el
klystron. Si se coloca una
segunda cavidad a una distancia
que verifique la condicin
entonces se excitar un campo
en la segunda cavidad mucho
ms intenso que en la primera,
que se puede recoger con ayuda
de una sonda.
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TUBOS KLYSTRON.
Tambin se puede construir un
klystron de una cavidad si se
dispone de un electrodo reflector
que dirija el haz en sentido
opuesto, una vez recorrida la
regin de arrastre. En este caso,
la misma cavidad acta como
buncher y catcher y se habla de
klystron reflex.
Los tubos klystron pueden manejar potencias de pico extraordinariamente
elevadas (del orden de 30 MW en la banda S) y potencias promedio del
orden de decenas de kW. Su rendimiento (potencia de salida en RF entre
potencia de entrada DC) es moderado, y se sita entre el 35-45 %.
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TUBOS DE ONDA PROGRESIVA (TWT).
Puede aproximarse el estudio del tubo TWT a partir de un klystron dotado de un
gran nmero de cavidades dispuestas muy prximas unas a otras. En lugar de
cavidades resonantes, los TWT emplean estructuras de onda lenta de tipo
distribuido, por las que se propagan ondas electromagnticas cuya velocidad de
fase se ajusta a la de las ondas de carga espacial asociadas al haz de
electrones.

Como los electrones del haz permanecen en puntos de fase constante de la
onda durante un recorrido largo, se produce una modulacin acumulativa en la
velocidad de los mismos, provocando su enracimado y que cedan parte de su
energa cintica a la onda. Este proceso da lugar a un crecimiento exponencial
de la onda a lo largo del tubo.
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TUBOS DE ONDA PROGRESIVA (TWT).
Puede aproximarse el estudio del tubo TWT a partir de un klystron dotado de un
gran nmero de cavidades dispuestas muy prximas unas a otras. En lugar de
cavidades resonantes, los TWT emplean estructuras de onda lenta de tipo
distribuido, por las que se propagan ondas electromagnticas cuya velocidad de
fase se ajusta a la de las ondas de carga espacial asociadas al haz de
electrones.

Como los electrones del haz permanecen en puntos de fase constante de la
onda durante un recorrido largo, se produce una modulacin acumulativa en la
velocidad de los mismos, provocando su enracimado y que cedan parte de su
energa cintica a la onda. Este proceso da lugar a un crecimiento exponencial
de la onda a lo largo del tubo.
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TUBOS DE ONDA PROGRESIVA (TWT).
Como estructura de onda lenta se acostumbra a utilizar un conductor helicoidal
(sheath helix). Aunque la seal de RF viaje a lo largo del conductor a la
velocidad de la luz, la velocidad en direccin axial se reduce a: v(z) = c sen()
donde es el ngulo caracterstico de la hlice.
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TUBOS DE ONDA PROGRESIVA (TWT).
El estudio riguroso del TWT es complicado, pero se puede llegar a la conclusin
de que la estructura de onda lenta por la que el campo de RF interacciona con
el haz de electrones, modifica la constante de fase de la onda de carga
espacial, haciendo que sta pase a ser compleja, lo que representa un
crecimiento exponencial en la amplitud.
Los TWT tienen las mejores anchuras de banda entre todos los tubos de
microondas, entre el 30 y el 120 % de la portadora. Pueden manejar potencias
del orden de centenares de watios. No obstante, su rendimiento es
relativamente bajo, variando entre el 20 y el 40 %.. Genera potencias en el
orden de 5Kw o menos.
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MAGNETRON
En la figura de la izquierda se
muestran las posibles trayectorias que
puede seguir un electrn en un diodo
plano en presencia de campos
electrostticos y magnetostticos. En
ausencia de campo magntico, viajar
en lnea recta desde el ctodo hasta el
nodo.
A medida que la intensidad del campo magntico se hace mayor, la trayectoria del
electrn comienza a curvarse, como se indica que en caso (a); puede llegar el caso
de que el campo sea tan intenso que el electrn tan slo pueda incidir de forma
rasante sobre el nodo y regresar al ctodo (b); un incremento adicional en la
intensidad del campo magntico se traduce en la trayectoria (c), segn la cual el
electrn nunca llega a alcanzar el nodo, describiendo una cicloide cuya frecuencia
ser proporcional a la intensidad del campo.
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MAGNETRON.
. En una configuracincilndrica (vase la
figura de la derecha) el electrn se mueve
siguiendo trayectorias similares.
Una tensin nodo-ctodo de valor Va permite a
un electrn realizar un movimiento circular
alrededor del ctodo, a una distancia r del mismo,
y con una frecuencia angular e.
El nodo de un magnetrn consiste en un bloque
slido de metal, en el que existen ocho cavidades
con una estructura similar a la mostrada en la
figura. Todas las cavidades tienen la misma
frecuencia de resonancia y son capaces de
soportar un campo de RF con las lneas
mostradas en la figura.
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MAGNETRON.
El modo en el que habitualmente se hace operar un magnetrn se
corresponde con la configuracin de lneas de campo indicadas en la misma
figura, con cambios en la fase de 180 entre cavidades adyacentes. La entrada
de cada cavidad se puede modelar como una lnea de transmisin terminada en
cortocircuito y de longitud /4, de manera que el campo elctrico es mximo en
la entrada de la cavidad (gap).
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MAGNETRON.

El resultado es una nube de electrones con forma de molinillo que gira
alrededor del ctodo en sincronismo que el campo de RF, que puede extraerse
mediante una sonda coaxial desde una de las cavidades.
El magnetrn, en su funcionamiento como oscilador, es capaz de
manejar potencias del orden de varios kW, y puede tener un rendimiento
superior al 80 %. Sus principales inconvenientes son, por una parte, que es un
tubo ms ruidoso que el klystron y TWT, y por otra, que no mantiene la
coherencia de frecuencia y fase bajo rgimen pulsante. Y el rango de
frecuencias va de cientos de Hz a 100GHz



GENERADORES DE MICROONDAS
DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
DE
MICROONDAS
GENERADORES DE MICROONDAS
INTRODUCCIN
Desde mitad de los aos cincuenta, el nmero y variedad
de dispositivos semiconductores para microondas ha
aumentado en gran manera, al aplicarse nuevas tcnicas,
nuevos materiales y nuevas ideas debido a la necesidad
de obtener dispositivos de microondas ms pequeos, lo
cual causo una extensa investigacin en esta rea. Esta
investigacin ha producido dispositivos de estado slido
con rangos de frecuencia mucho ms altos.
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INTRODUCCIN
los diodos de reactancia variable (varactor) aprovechan
la variacin de capacidad de una unin PN polarizada
inversamente, en funcin de la tensin aplicada.
Fsicamente, esta variacin de capacidad es el resultado
del ensanchamiento de la zona de agotamiento al
aumentar la tensin de polarizacin inversa. Controlando
el perfil de dopado de la unin puede adaptarse la forma
funcional de esta relacin a cada aplicacin especfica.
Sus aplicaciones tpicas son la generacin de armnicos,
la amplificacin paramtrica y la sintona electrnica.
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INTRODUCCIN
Los diodos pin poseen una ancha regin intrnseca que
les capacita para manejar grandes potencias y ofrece una
impedancia a frecuencias de microondas controlable por
una polarizacin de baja frecuencia (o continua). Han
demostrado su utilidad en conmutadores de microondas,
moduladores y protectores.
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INTRODUCCIN
Para generar potencia en microonda o amplificarla,
es necesaria una caracterstica de resistencia negativa
a esas frecuencias. Empezando por el diodo tnel al
principio de los aos sesenta y avanzando hasta los
diodos I MPATT y los diodos Gunn,
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DIODO VARACTOR
Los diodos varactores (llamados tambin
varicap "diodo con capacitancia-voltaje
variable" o sintonizadores) son
semiconductores dependientes del voltaje,
capacitores variables.
Los diodos varactores o varicap han sido
diseados de manera que su
funcionamiento sea similar al de un
capacitor y tengan una caracterstica
capacitancia-tensin dentro de lmites
razonables.
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FUNCIONAMIENTO DEL VARACTOR
En la figura al aumentar la tensin inversa la capacidad de la zona
de transicin se agranda, y se separa las placas, y esto provoca que
al aumentar la distancia, disminuya la capacidad, o sea al aumentar
la tensin disminuye la capacidad. Cuando el varactor se
conecta en paralelo con un inductor se obtiene un
circuito resonante cuya frecuencia de resonancia es:
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