UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL VALLE DE MXICO

INGENIERA EN NANOTECNOLOGA
ASIGNATURA: TOPICOS DE NANOELECTRONICA
PROFESOR: JESUS MANUEL ORTEGA RUEDA
TEMA: MOSFET

INTEGRANTES:

LUNA ROJAS EZEQUIEL
OROZCO BLARDONI ABRAHAM
UGALDE GUERRERO GUADALUPE
etal
xide
emiconductor
ield
ffect
ransistor
Transistores de efecto de campo
JFET
MOSFET
1930 - Concepto basico.

1960 - Comercializacin
1980 - Popularizacin
Comparacin con los BJT
Los transistores MOS ocupan menos espacio.
Su proceso de fabricacin es tambin ms simple.
Existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden
ser implementadas nicamente con transistores MOS
BJT(Bipolar Junction Transistor) Transistores de unin bipolar
Fue ideado tericamente por el alemn Julius Von Edgar
Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carcter
tecnolgico y el desconocimiento acerca de cmo se
comportan los electrones sobre la superficie del
semiconductor no se pudieron fabricar hasta dcadas ms
tarde.
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales
electrnicas.

Es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de
silicio.

Es un dispositivo controlado por tensin.

Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequea
corriente necesaria para estrangular o liberar el canal.
Enriquecimiento
Empobrecimiento
Conmutacin digital,
proceso bsico que
fundamenta los
ordenadores
modernos
Tiene un uso
limitado,
principalmente en
circuitos de
radiofrecuencia.
Se usa mucho
Circuitos discretos Circuitos integrados
Interruptores de
potencia
Tipos
Canal N Canal P
G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Canal N Canal P
MOSFET acumulacin
(Enriquecimiento)
MOSFET deplexin
(Empobrecimiento)
TECNICO SUPERIOR EN ELECTRONICA
Principio de funcionamiento:
Se basan en el efecto de campo entre estas dos placas separadas por un dielectrico
Se muestra como un corto circuito pero se regular con un voltaje positivo o negativo
Capasitor
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo, la placa
superior se carga positivamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Principio de funcionamiento:
Lo mismo aplica al cargar negativamente,
la placa superior se carga negativamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Para entender mejor su funcionamiento, se realizarn cambios
La placa superior seguir siendo igual y la placa inferior se cambiar por un
semiconductor, en este caso un semiconductor tipo p (huecos).
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo la placa superior se carga positivamente
Esta carga positiva tratar de repeler los huecos hacia la parte inferior del semicondutor
Principio de funcionamiento:
Al aumentarse el potencial aparece una regin verde llamada Regin de carga espacial
Los huecos que estaban distribuidos uniformemente, estn siendo desplazados hacia la
parte inferior del semiconductor
Impuresas
aceptores
Cuando el voltaje es muy intenso los portadores minoritarios en el semiconductor son
atraidos haca la superficie del semicondutor
Incremento de
electrones
Hace que el semiconductor pase de ser p a ser semiconductor tipo n, solamente en la
superficie del conductor.
Principio de funcionamiento:
Principio de funcionamiento:
Al incrementarse el voltaje, se enriquese el incremento de electrones (canal)
Principio de funcionamiento:
Se basan en el efecto de campo entre estas dos placas separadas por un dielectrico
Se muestra como un corto circuito pero se regular con un voltaje positivo o negativo
Capasitor
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo, la placa
superior se carga positivamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Principio de funcionamiento:
Lo mismo aplica al cargar negativamente,
la placa superior se carga negativamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Para entender mejor su funcionamiento, se realizarn cambios
La placa superior seguir siendo igual y la placa inferior se cambiar por un
semiconductor, en este caso un semiconductor tipo p (huecos).
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo la placa superior se carga positivamente
Esta carga positiva tratar de repeler los huecos hacia la parte inferior del semicondutor
Principio de funcionamiento:
Al aumentarse el potencial aparece una regin verde llamada Regin de carga espacial
Los huecos que estaban distribuidos uniformemente, estn siendo desplazados hacia la
parte inferior del semiconductor
Impuresas
aceptores
Principio de funcionamiento:
Cuando el voltaje es muy intenso los portadores minoritarios en el semiconductor son
atraidos haca la superficie del semicondutor
Incremento de
electrones
Hace que el semiconductor pase de ser p a ser semiconductor tipo n, solamente en la
superficie del conductor.
Principio de funcionamiento:
Puntos rojos Electrones

Cuadritos - Huecos
Al aumentarse un voltaje se ve claramente que los electrones se van a la superficie del
semicondutor y los huecos al inferior de la misma.
Principio de funcionamiento:
Aqu se muestra ya un diagrama ms complejo
Para que funcione como
transistor se debe
aprovechar el canal que se
forma.
El objetivo es unir la regin
de fuente y drenaje mediante
un canal, para que por ese
canal pueda fluir la corriente
Malla V
DS

El control de la corriente se
establecer por el campo
elctrico producido por la
compuerta y el sustrato.
Entre estos dos se forma un
capasitor.

(Lo ya explicado
anteriormente)
Malla V
GS

Como ya se vio
anteriormente, al
incrementar el voltaje se
forma un canal.
Este canal se forma desde los
6v, ese es nuestro voltaje
critico.
V
T
= Voltaje umbral
Para que pueda fluir la
corriente entre fuente y
Drenaje, se necesita una
fuente externa para que se
pueda generar corriente
El voltaje se incrementa, ms
sin embargo no es suficiente
para que pueda fluir la
corriente
Al llegar a los 6v en adelante
hay canal, por lo tanto hay
flujo de corriente
Mientras aumenta el voltaje
aumenta la corriente.
S V
GS
llega al maximo
En este caso a 10v la malla
ser controlada por V
DS.

Hasta llegar a un punto en
que la corriente no cambiar
y solo disminuir si regulamos
V
GS.

Siempre y cuando halla canal.


U
DS
(V)
I
D
(mA) U
GS
2 4 6 8
10
20
30
40
4
6
8
10
Por debajo de
esta tensin no
se forma el canal
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N
Curvas caractersticas
A partir de un cierto valor de U
GS
se forma el canal entre drenador y fuente.
Por debajo de este lmite el transistor est en corte.
Dependiendo de la tensin U
DS
se puede tener un equivalente resistivo o de
fuente de corriente entre D y S

G
D
S
U
G S
I
D
U
D S
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal P
Curvas caractersticas
G
D
S
U
G S
I
D
U
D S
U
DS
(V)
I
D
(mA)
U
GS
-2 -4 -6 -8
-10
-20
-30
-40
-4
-6
-8
-10
Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los
sentidos de tensiones y corrientes invertidos

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexin de canal N
P
N N
D
G S
n
Difusin hecha durante
el proceso de fabricacin
U
DS
(V)
I
D
(mA) U
GS
2 4 6 8
10
20
30
40
-2
0
2
Ya hay canal
formado
En los MOSFET de deplexin el canal se forma mediante una difusin adicional
durante el proceso de fabricacin
Con tensin U
GS
nula puede haber circulacin de corriente de drenador
Es necesario aplicar tensin negativa U
GS
para cerrar el canal

Anuqu el MOSFET de enriquecimiento se
puede polarizar en la zona activa, no se suele
hacer porque es principalmente un dispositivo
de conmutacin.
La tensin de entrada tpica toma un valor
bajo o alto .
Tensin baja = 0v
Y
Tensin alta = V
GS (on)

Drenador-fuente en resistencia
Cuando un MOSFET de enriquecimiento se
polariza en la zona activa, es equivalente a
una resistencia de R
DS(on).



Hay un punto Q
test
en la zona hmica de las curvas VGS
= V
GS(on)
.
El fabricante mide I
D(on)
y V
DS(on)
en ese punto Q
test
.
A partir de aqu, el fabricante calcula el valor de R
DS(on)
usado de esta definicin:

R
DS(on) =
V
DS(on)
/ I
D(on)

Por ejemplo, en el punto de test, un VN2406L
tiene VDS(on) = 1v y el ID(on) = 100mA

Tabla de MOSFET de enriquecimiento.
Polarizacin en la zona hmica.
Su tensin umbral es ideal para ser utilizados como dispositivo de
conmutacin


Cuando la tensin de puerta es mayor que la tensin umbral el dispositivo
conduce

Accin de corte- conduccin (fundamental para circuitos de ordenadores)
Para Procesar datos (codificar de forma binaria)

Analgico Continuo

Una seal analgica cambia continuamente
de tensin

No debe de haber saltos de tensin bruscos
entre dos niveles de tensin distintos
Digital Seal discontinua

La seal salta entre dos valores distintos de
tensin

Estas seales son las que circulan dentro de
los ordenadores
Circuito de conmutacin
Son circuitos que encienden dispositivos que usan grandes corrientes
Se muestra un MOSFET de enriquecimiento
con una carga pasiva

Vin esta en nivel bajo
el MOSFET est en corte
Vout = VDD

Vin est en nivel alto
El MOSFET conduce
Vout valor pequeo
Se denomina inversor
La tensin de salida es de nivel opuesto a la
de entrada
Para que el circuito trabaje de forma adecuada ID(Sat)
tiene que ser menor a ID(on)

Cuando la tensin de entrada es igual o mayor a VGS(on)
esto es que la resistencia en la zona hmica tiene que
ser mucho mayor quela resistencia pasiva del drenado

RDS(on) << RD

RD (Resistencia pasiva del drenador)
RDS(on) (resistencia en zona hmica)
El MOSFET inferior aun acta como un
conmutador pero el superior tiene su
puerta conectada al drenado

Se convierte en un dispositivo de dos
terminales con una resistencia





Donde
VDS(activa) y IDS(activa) estn en la zona
activa u hmica

Funcionamiento adecuado
RD >> RDS(ON)
Cuando la tensin de entrada es baja, el MOSFET
inferior est abierto y la tensin de salida sube hasta la
tensin de alimentacin:


V
(out)
=20V
S la tensin de entrada es alta, el MOSFET tiene una resistencia de 50. En este
caso, la tensin de salida se lleva prcticamente a masa:

V
(out)
=__50 __ (20V) = 100mV
10k+50k


Cul es la tensin de salida?

Cuando la tensin es baja:

V
(out)
=10V

S la tensin de entrada es alta:

V
(out)
=__500__ (10V) = 2V
2,50k


Comparando con el ejemplo procedente, se puede ver que la relacin de conexin-
desconexin no es tan buena. Pero en circuitos digitales una relacin de conexin-
desconexin alta no es importante. En este ejemplo la tensin de salida es 2 o
10V. Estas tensiones son fcilmente distinguibles como baja o alta
Es una forma de reducir la corriente de drenador de un
circuito digital

Combina un MOSFET de canal n y de canal p
Q1 MOSFET de canal n
Q2 MOSFET de canal p

Estos circuitos son complementarios
en sus valores.

Un MOSFET conduce mientras el otro
esta en corte.
Aplicacin de conmutacin
Tensin de entrada es alta (+VDD) o baja (0 V)

Si la tensin de entrada es alta Q1 esta en corte y Q2 conduce
(Q2 lleva la tensin de salida a masa)

Si la tensin de entrada es baja Q1 conduce y Q2 esta en corte
(Q1 lleva la tensin de salida hasta +VDD)

Vin = 0 entonces Vout alta

Vin alta entonces Vout baja

+VDD/2 es un punto de cruce
aqu ambos MOSFET las mismas
resistencias y tensiones de salida
Bibliografa:

Principios de electrnica. Principios de Electrnica, de Albert Paul
Malvino, edit. Mc Graw Hill quinta edicin, Espaa 1994. Captulo 1
Introduccin. Captulo 14 MOSFET
Youtube, Fernando Ramirez (2014) 19.1 Funcionamiento de los
Transistores MOSFET y JFET. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnTPTwRo