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MEMORIAS

La memoria es el dispositivo que contiene un conjunto de registros


que se pueden leer y/o escribir a voluntad.
Como hemos visto los registros almacenan informacin, como por
ejemplo los registros de desplazamiento, por lo tanto estos
constituyen una memoria a pequea escala. Las memorias
generalmente se utilizan para almacenamiento a mas largo plazo y de
cantidades ms grandes de datos, de lo que los registros no son
capaces de permitir.
Los sistemas que estn basados en microprocesadores necesitan de
las memorias para su funcionamiento.

Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios
de largo o corto plazo. Los principales tipos de memoria son:



Memorias Semiconductoras, Memorias Magnticas y
Opticas.
Las memorias Semiconductoras estn formadas por
matrices de elementos de almacenamiento que pueden ser
latches, condensadores o cualquier otro elemento de
almacenamiento de carga.
Unidades de datos binarios
Las memoria almacenan datos en unidades que tienen de 1 a 8
bits. Sabemos que la unidad menor de datos binarios es el bit;
en muchas aplicaciones se tratan los datos en unidades de 8
bits denominada byte o en mltiplos de unidades de 8 bits. El
byte se puede dividir en dos unidades de 4bits, que reciben el
nombre de nibbles. Una unidad completa de informacin se
denomina palabra y est formada generalmente por uno o mas
bytes, aunque tambin puede constituir una palabra un grupo
de 8 bits.

MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA
Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede almacenar
un 1 un 0 y se denomina celda. Las memorias estn formadas por
matrices de celdas como se ilustra en la figura siguiente, en la que se
utiliza 64 celdas a modo de ejemplo. Cada bloque de la matriz de
memoria representa una celda de almacenamiento y su situacin se
puede especificar mediante una fila y una columna


1
2
3
4
5
6
7
8
1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4
1
2
3
4
15
16
1
2
3
4
62
63
64
a) MATRIZ 8 x 8 b) MATRIZ 16 x 4 c) MATRIZ 64 x 1
MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA

La matriz de 64 celdas, vista en la diapositiva anterior, se puede
organizar de muchas maneras, en funcin de las unidades de
datos, as por ejemplo, se pueden entender como una memoria
de 64 bits o como una memoria de 8 bytes; tambin como una
memoria de 16 nibbles simplemente como la matriz de 64
bits.
La posicin de una unidad de datos en una matriz de memoria,
se denomina direccin.
La capacidad de una memoria es el nmero total de unidades de
datos que puede almacenar, as por ejemplo en las matrices que
se han expuesto en la diapositiva anterior, la capacidad total es
de 64 bits, que es lo mismo decir que tiene una capacidad de 8
bytes.
Operaciones bsicas de las memorias

Puesto que una memoria almacena datos binarios, los
datos deben introducirse en la memoria y deben poder
recuperarse cuando se necesiten.
La operacin de escritura coloca los datos en una
posicin especfica de la memoria y la operacin de
lectura extrae los datos de una direccin especfica de
memoria. La operacin de direccionamiento que forma
parte tanto de la operacin de lectura como de la
escritura, selecciona la direccin de memoria
especfica. Los datos se introducen y se extraen de la
memoria, a travs de un conjunto de lneas que se
denominan bus de datos.
El bus de datos es bidireccional como se muestra en la
figura de la prxima diapositiva.
En las operaciones de escritura o lectura se tiene que
seleccionar una direccin introduciendo un cdigo binario
que representa la direccin deseada en un conjunto de lneas
denominado bus de direcciones. El cdigo de direccin se
decodifica y de esa forma se selecciona la direccin
adecuada. El nmero de lneas del bus de direcciones
depende de la capacidad de la memoria. Por ejemplo un
cdigo de direccin de 4 bits puede seleccionar 16
direcciones y uno de 8 selecciona 256 direcciones


Representacin de una memoria con los buses de datos y
de direcciones

MATRIZ DE
MEMORIA
D
e
c
o
d
i
f
i
c
a
d
o
r
de direc
ciones
BUS DE
DIRECCIONES BUS DE DATOS
FF
0 1 1 0 0 1 0 1 00
01
02
.
.
.
.
.
.
FF
D
e
c
o
d
i
f
i
c
a
d
o
r
8 x 256
registro de datos de salida
de 8 bits
256 lineas
direcciones
de 8 bits
direcciones
c o n t e n i d o
ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA DE 256 X 8
1 0 1 0 0 1 0 1
Para determinar una posicin de memoria se emplean
decodificadores. Los decodificadores digitales tienen n
entradas y 2
n
salidas.
As por ejemplo, una memoria de 256 posiciones de 8
bits, est compuesta internamente por un decodificador
de direcciones de 8 entradas
2
n
= 256; de donde n= 8 entradas.
Ejercicio: Cuantos bits de direcciones necesita una
memoria de 2kilo bytes y 8 bits de datos.
1kb = 1024, luego 2kb = 2048; entonces 2048= 2
n
,
donde n=11 por lo tanto se necesita de 11 bits de
direcciones.


Diagrama lgico de una memoria
cs(chip select): Selecciona el chip entre diferentes
elementos que comparten un mismo bus. En 0 el bus
de datos se conecta al exterior y en 1 permanece en
estado de alta impedancia (Hi Z).


BUS DE
DIRECCIONES
BUS DE DATOS
CS WE OE GND
O
O O
A
O
- A
11
MEMORIA
+ V
CC
D
0
- D
7
WE:(Write enable)(habilitador): Habilitador de escritura
Si WE es baja la operacin es de escritura y se pueden
almacenar o escribir datos en cualquier posicin de la
memoria: Si WE es alta la operacin es de lectura (salen
datos)
OE:(Ouput enable): Habilitador de salida si OE es baja se
habilita la salida y el dato sale, si OE es alta se
deshabilita la salida ponindose este terminal en estado
de alta impedancia.
Clasificacin de las Memorias: Las memorias
semiconductoras se clasifican en dos grandes grupos
a) Memorias de lectura nicamente o ROM (Read only
Memories)
b) Memorias de lectura y escritura, tambin llamadas,
memorias RAM


Son de escritura y lectura, se les llama voltiles porque si
se retira la fuente de alimentacin la memoria se pierde.
Las memorias RAMs se pueden clasificar tambin en
RAMs estticas y RAMs Dinmicas.
Las Estticas estn formada por flip-flops, mientras que
las Dinmicas estn formadas por una matriz de
condensadores; estas ltimas debido a que la carga de
los condensadores tiende a deteriorarse es necesario
refrescar la memoria en forma peridica, mediante
seales de control.
Como la memoria RAM Dinmica requiere menos
componentes que la RAM esttica, ello permite una
mayor integracin.
La operatividad de la RAM puede apreciarse en la tabla
siguiente:



MODO WE CS OE
LECTURA 1 0 0
ESCRITURA 0 0 X
DESHABILITAR SALIDA 1 X 1
DESHABILITAR CHIP X 1 X Alta impedancia
Dato sale
CONTROL
SALIDA
Dato entra
Alta impedancia
NVRAM
Es una memoria formada por una RAM Esttica y una
matriz EEPROM en el mismo integrado . Este arreglo
asocia la velocidad de lectura/escritura de la RAM y la
capacidad no voltil de la EEPROM, por lo tanto las
NVRAM,s son de baja capacidad y no necesitan batera
de respaldo.
ROM:
Es una memoria de solo lectura, el procesador puede leer
los datos de la ROM, pero no puede escribir en ella, esta
memoria es no voltil.
En el ltimo proceso de fabricacin se graba la
informacin que guardar permanentemente.



PROM (ROM PROGRAMBLE)
Esta memoria es de slo lectura y los datos son grabados
en el primer proceso despus del cual es usado en el modo
lectura.
EPROM(ROM programable y borrable con luz uv). Esta
memoria es de slo lectura y el proceso de grabacin en la
memoria se puede realizar varias veces, para lo cual es
imprescindible borrar los datos de la memoria usando luz
ultravioleta.
Esta memoria se aplica a diseos que van a ser fabricados
en pequea escala.
La operatividad de la EPROM se puede apreciar en la tabla
siguiente:
MODO CE OE/Vpp SALIDA
Lectura 0 0 Dato sale
Grabar 0 Vpp Dato entra
Deshabilitar salida 0 1 Alta impedancia
Deshabilitar chip 1 X Alta impedancia
CONTROL
EEPROM
(ROM Programable y Borrable Elctricamente
Son memorias que permiten la lectura de datos y tambin
es posible escribir(grabar datos en la memoria pero esta
vez elctricamente, es decir no se necesita luz ultravioleta
La lectura es rpida; pero la escritura es entonces lenta. La
operatividad de esta memoria se aprecia en la tabla
siguiente:
MODO CE OE WE SALIDA
Lectura 0 0 1 Dato sale
Escritura 0 1 0 Dato entra
Deshabilitar chip 1 X X Alta impedancia
CONTROL
EXPANSIN DE LAS MEMORIAS
Es la accin mediante la cual es posible agrupar CIs, para
expandir la longitud de la palabra del sistema y la
capacidad .
Expansin en cuanto a datos:
Ejemplo.- Construir un bloque de memoria de 4k x 4
(4096 direcciones de 4 datos cada una); partiendo
del chip 2147 que es una RAM de 4k x 1, (es decir
4096 direcciones de solo un dato)
Solucin
4k=4 (1k) =4 (2
10
)= 2
12
, entonces hay 12 lneas de
direccin (A
0
A
11
)

Como se requiere 4K x 4, partiendo de 4k x 1; se requiere de
4 memorias de 4K x 1.
Tal como se muestra en la implementacin siguiente:

SRAM
2 1 4 7
SRAM
2 1 4 7
SRAM
2 1 4 7
SRAM
2 1 4 7
BUS DE
DIREC
CIONES
A
0
- A
11
(R/ )
CS
D
3
D
2
D
1
D
0
__
W
Ejemplo: Se dispone de la SRAM MCM 6264C de 8k x 8;
pero se requiere de un banco de 8k x 16
Solucin
8k= 2
3
.1k = 2
3
.2
10
= 2
13
; entonces 13 lneas de direccin

A
0
-- A
12
A
0
-- A
12
BUS DE DI
RECCIONES
__
W
__
G
D
0
- D
15
D
0
-D
7
D
8
-D
15
_
E
SRAM
8K x 8
SRAM
8K x 8
Ejemplo: Se dispone de la SRAM MCM 6264C de 8k x 8;
pero se requiere tener un banco de 32k x 16
Solucin
Tenemos 8k x 8 y se requiere 32 x 16 as : 4 (8k x 16);
para 8K x 16 se requiere de 2 de 8k x 8; en total se necesita
de 8 SRAM de 8k x 8, para lo cual se necesita tambin de
un decoder

8
k

x

8
_
E
_
E
_
E
_
E
_
E
_
E
_
E
_
E
Bus de Datos 16 bits
D
E
C
O
D
E
R
A
0
-A
14
A
13
-A
14
A
0
-A
12
A
0
-A
12
A
0
-A
12
A
0
-A
12
A
0
-A
12
A
0
-A
12
A
0
-A
12
8
k

x

8
8
k

x

8
8
k

x

8
8
k

x

8
8
k

x

8
8
k

x

8
8
k

x

8
2 X 4