CIRCUITOS ELECTRNICOS

Tema 1:El diodo

+
-
V
I
P
N
I
V
DIODO IDEAL
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL
EJEMPLO
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el
agua (corriente) en un nico sentido.
Semiconductor
E
g
=0,5-2eV

E
g
Banda de
valencia
Banda de
conduccin
Aislante
E
g
=5-10eV
Banda de
valencia
Conductor
No hay E
g
Banda de
conduccin
Banda de
conduccin
E
g
Banda
de
valencia
Son materiales de conductividad intermedia entre la de los
metales y la de los aislantes, que se modifica en gran
medida por la temperatura, la excitacin ptica y las
impurezas.
Materiales semiconductores
SEMI CONDUCTORES I NTR NSECO:

No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n
i
Ge: n
i
= 210
13
portadores/cm
3
Si:
AsGa: n
i
= 210
6
portadores/cm
3
(a temperatura ambiente)
n
i
= 10
10
portadores/cm
3
Semiconductor extrnseco : TIPO N
Impurezas grupo V
300K
Electrones libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son
electrones libres
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
SEMI CONDUCTORES EXTR NSI CO:
Semiconductor extrnseco : TIPO P
300K
Huecos libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.
Actan como portadores de carga positiva.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+ -
Zona de transicin
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de
carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no
hay circulacin de corriente.
P
N
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a
circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
P
N
+
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones
en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
P
N
+
Concentracin de huecos
Concentracin de electrones
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de
corriente elctrica
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
V
U
-
+
i 0
P
N
+ -
V
-
+
Baja resistividad:
V
N
=0
Baja resistividad:
V
P
=0
Polarizacin directa
- +
El campo exterior favorece la difusin de mayoritarios
La zona de transicin se hace ms estrecha
La corriente de minoritarios es prcticamente despreciable
V
U
-
+
i
O
0
P N
+ -
V
-
+
Baja resistividad:
V
N
=0
Baja resistividad:
V
P
=0
Polarizacin inversa
El campo elctrico impide la difusin de mayoritarios
La zona de transicin crece haciendose menos conductora La corriente circulante
IO se debe a portadores minoritarios
IO depende mucho de la temperatura (se duplica con cada incremento de 10C)
+ -
p n
nodo ctodo
A K
Smbolo
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo

Silicio
Germanio
DIODO REAL
|
|
.
|

\
|
=

1
T K
q V
S D
D
e I I
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
0 1 -4
30
i [mA]
V [Volt.]
Ge
Si
-0.8
-0.5
0
i [A]
V [Volt.]
-10
-0.5
0
i [pA]
V [Volt.]
Ge
Si
Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa

V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
V
d
i
d
i
S
V
R
I
Omax
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo
(p.e. 1N4007). Normalmente aparecern
varios fabricantes para el mismo
componente.
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
Tiempo de recuperacin inversa
+
U
E R
i
S
U
E
Baja frecuencia
i
S
Alta frecuencia
i
S
t
rr
= tiempo de recuperacin inversa
A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce
corriente inversa.
Tema 2: Tipos de Diodo


Diodo Zener
Son diodos con suficiente
capacidad de disipacin
para trabajar en la zona
de conduccin inversa.
Se utilizan
como estabilizadores de
tensin.
Fenmeno de avalancha o zener.
Avalancha: La ruptura de los enlaces se produce por el choque de los
portadores minoritarios contra los tomos del cristal. Los portadores son
acelerados por el campo externo aplicado.
Zener: Se consigue dopando ms uno de los semiconductores para
provocar un elevado gradiente de campo elctrico en la zona de transicin,
y ste es el causante de la ruptura de los enlaces.

Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Podemos aadir al modelo lineal
la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.
I
V
Tensin
Zener
(V
Z
)
Lmite mximo

Normalmente, lmite
de potencia mxima
Aplicaciones:
COMO REGULADOR DE VOLTAJE
La condicin de funcionamiento correcto es que
V
F
en ningn momento sea menor a V
Z
. El voltaje
regulado sobre el circuito es V
Z

REFERENCIA DE VOLTAJE
Los diodos Zener son construidos de manera que
VZ es muy exacto y se mantiene constante para
diferentes valores de IZ, esto permite que un Zener se
use en electrnica como referencia de voltaje para
diferentes aplicaciones.
Diodo Varicap (Varicap ,
Varactor or Tuning diode)

P
N
-
+
-
-
-
-
-
-
-
-
d
Dielctrico
Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su
valor de capacidad en trminos de la tensin aplicada
en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se
polariza inversamente no circula corriente elctrica a
travs de la unin; la zona de deplexin acta como el
dielctrico de un capacitor y las secciones de
semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las
placas de un capacitor.

La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es
del orden de los pico o nanofaradios.

Esta capacidad se llama Capacidad de
Transicin (C
T
).


Notar, que al aumentar la tensin inversa aumenta la
zona de transicin. Un efecto parecido al de separar
las placas de un condensador (C
T
disminuye).


Tenemos pues una capacidad dependiente de la tensin
inversa.

C
T
V
I
30 pF
10 V
+ +
+ +
+ +
+ +
Aplicaciones:
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre
todo, en la sintona de TV, modulacin de
frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los
osciladores controlados por voltaje (oscilador
controlado por tensin).



En tecnologa de microondas se pueden utilizar
como limitadores: al aumentar la tensin en el
diodo, su capacidad vara, modificando la
impedancia que presenta y desadaptando el
circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
DIODO EMISOR DE LUZ(LED):
DIODO EMISOR DE LUZ
Caractersticas:
Tambin conocido como LED(acrnimo del
ingles de Light-Emitting Diode).

Es un dispositivo semiconductor(diodo) que
emite luz incoherente de espectro reducido
cuando se polariza de forma directa la unin
PN del mismo y circula por el una corriente
elctrica.

El color depende del material semiconductor
empleado en la construccin del diodo, puede
variar del ultravioleta hasta el infrarrojo.

Los diodos ultravioleta tambin reciben el
nombre UV LED Y los que emiten luz infrarroja
reciben el nombre de IRED.


Formas de determinar la polaridad de un
LED de insercin:
Existen tres formas principales de
conocer la polaridad de un led:
La pata ms larga siempre va a ser el
nodo
En el lado del ctodo, la base del led
tiene un borde plano
Dentro del led, la plaqueta indica el
nodo. Se puede reconocer porque
es ms pequea que el yunque, que
indica el ctodo

DIODO EMISOR DE LUZ
Aplicaciones:

Equipos de aire acondicionado
Equipos de msica
Control remoto
Los LEDs se emplean con profusin en todo tipo de
indicadores de estado (encendido/apagado).
DIODO EMISOR DE LUZ
DIODO LASER:
El diodo lser es un dispositivo semiconductor que bajo condiciones
adecuadas emite luz laser.

light amplification by stimulated emission of radiation.





DIODO LASER
Caractersticas:
Radiacin electromagntica
Emisin estimulada
Mono cromaticidad
Coherencia espacial
Haz colimado

DIODO LASER
Diferencias entre el LED y el diodo Laser



Lser
Led
Ms rpido
Potencia de salida mayor
Emisin coherente de luz
Construccin es mas
compleja
Actan como fuentes
adecuadas en sistemas de
telecomunicaciones
Modulacin a altas
velocidades, hasta GHz





Mayor estabilidad trmica
Menor potencia de salida
Mayor tiempo de vida
Emisin incoherente
Mas econmico
Se acoplan a fibras pticas
en distancias cortas de
transmisin
Velocidad de modulacin
hasta 200MHz
DIODO LASER
Luz emitida en forma
unidireccional
Lser
Led
Luz emitida en mltiples
direcciones
Aplicaciones:
o CD-DVD
o Impresora laser
o Soldadura laser
o Usos medicinales
o Usos militares

DIODO LASER
Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia.
Solo tiene regiones del tipo N, existen tres regiones dos de ellas
fuertemente dopadas y una intermedia ligeramente dopada.
Se fabrican de arseniuro de galio (GaAs) para oscilaciones de 200 GHz
mientras que los de nitruro de galio(GaN) pueden alcanzar los 3 Terahertz.
Fue descubierto por John B. Gunn en 1963.

DIODO GUNN

Aplicaciones:

Se utilizan principalmente en frecuencias de
microondas y superiores.

Su uso mas comn es en los osciladores y tambin en
los amplificadores para amplificar las seales de
microondas

El diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene la unin PN.
Produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa.
Tambin se lo conoce como diodos Esaki .
Tiene resistencia negativa a un determinado intervalo de voltaje de polarizacin
directa.
Es un dispositivo de baja potencia.

DIODO TUNEL O ESAKI

Aplicaciones:

No se puede utilizar como rectificador debido a que
tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn
polarizados inversamente.
El diodo tnel puede funcionar como amplificador,
como oscilador o como biestable.
Es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones
que involucran microondas y que estn relativamente
libres de los efectos de la radiacin.

Diodos PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de
tres capas, siendo la
intermedia semiconductor intrnseco, y
las externas, una de tipo P y la otra tipo
N (estructura P-I-N que da nombre al
diodo). Sin embargo, en la prctica, la
capa intrnseca se sustituye bien por
una capa tipo P de alta resistividad ()
o bien por una capa n de alta
resistividad ().
P(material P)
I(zona
intrnseca)
N(material N)
Smbolo del Diodo PIN
Caracterstica de Diodos PIN
En virtud de las caractersticas del diodo
PIN se le puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud en
frecuencias de microondas ya que para
todos los propsito se le puede presentar
como un corto circuito en sentido directo
y como un circuito abierto en sentido
inverso. Tambin se le puede utilizar para
conmutar corrientes muy intensas y
tensiones grandes
Diodo rectificador
Sean semiconductores de
estado slido, vlvulas al vaco
o vlvulas gaseosas como las
de vapor de mercurio, son tipos
de diodo que constituyen el
elemento o circuito que
permite convertir la corriente
alterna en corriente continua.
Smbolo de Diodo rectificador
Caracterstica de Diodo rectificador
El diodo rectificador es uno de los mecanismos
de la familia de los diodos ms sencillos. El
nombre diodo rectificador deriva de su
aplicacin, la cual reside en separar los ciclos
positivos de una seal de corriente alterna. Si
se aplica al diodo una tensin de corriente
alterna durante los medios ciclos positivos, se
polariza en forma directa; de esta manera,
permite el paso de la corriente elctrica.
Diodo de Cristal
Es un tipo de diodo de contacto consiste de
un cable de metal afilado presionado contra
un cristal semiconductor,
generalmente galena o de una parte
de carbn.
El cable forma el nodo y el cristal forma el
ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran
aplicacin en los radio a galena. Los diodos
de cristal estn obsoletos, pero puede
conseguirse todava de algunos fabricantes.
Diodo de corriente constante
Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y funciona
como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el
cual limita el voltaje. Ellos permiten una corriente a travs de ellos para
alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico.
Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de
corriente.
Diodo Schottky
Constituido por una unin metal-semiconductor.

Es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario".

La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas
frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

Tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V.
Stabistor
Tensin en directa extremadamente estable.

Diseados para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones
(necesario mantener tensin estable dentro de un amplio rango de
corriente y temperatura).

Otras aplicaciones: estabilizacin de la polarizacin de etapas de salida
(amplificadores clase AB, recortadores, fijadores de nivel, proteccin de
intrumentos de medicin, etc.)
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en
1938 por Walter H. Schottky
DIODOS TERMICOS

CONCEPTO:
Este trmino tambin se usa para los
diodos convencionales usados para
monitorear la temperatura a la variacin
de voltaje con la temperatura, y para
refrigeradores termoelctricos para la
refrigeracin termoelctrica.
DONDE ACTUAN LOS DIODOS TERMICOS:
Los refrigeradores
termoelctricos se hacen
de semiconductores,
aunque ellos no tienen
ninguna unin de
rectificacin, aprovechan
el comportamiento distinto
de portadores de carga
de los semiconductores
tipo P y N para transportar
el calor.
FUSIBLES TERMICOS
El modelo SEFUSE diseado por NEC SCHOTT
Components, es un fusible trmico diseado para
proteger aparatos electrodomsticos y equipos
elctricos industriales del fuego.
INTERRUPTOR TERMICO
Un interruptor trmico es un dispositivo que normalmente se abre a una
temperatura alta y se cierra de nuevo cuando cae la temperatura.
El interruptor trmico es una tira bimetlica, a menudo encerrada en una
ampolla de vidrio tubular para protegerlo del polvo o cortocircuito. A
diferencia del fusible trmico, que es reutilizable, y por lo tanto es adecuado
para la proteccin contra situaciones temporales que son comunes y fcil de
corregir.
FOTODIO

CONCEPTO:
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a
la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta
circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.
PRINCIPIO DE OPERACION
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de
suficiente energa incide en el diodo, excita un electrn dndole
movimiento y crea un hueco con carga positiva.
FOTODIODOS DE AVALANCHA
Tienen una estructura similar,
pero trabajan con voltajes
inversos mayores. Esto permite a
los portadores de carga foto
generados ser multiplicados en
la zona de avalancha del diodo,
resultando en una ganancia
interna, que incrementa la
respuesta del dispositivo.
COMPOSICION:
MATERIAL LONGITUD DE ONDA (NM)
Silicio 190 - 1100
Germanio 800 - 1900
Indio, Galio, Arsnico 800 - 2600
Sulfuro de Plomo <1000 - 3200
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un
factor crtico para definir sus propiedades.
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de objeto
Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED
Fotodetector

LED azul

LED verde

LED rojo
Fotodiodo

Objetivo


LED