(transistor de unijuntura)

Tambin llamado transistor monounin, uniunin.

Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un
funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es
un dispositivo de disparo.

Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos
circuitos industriales, incluyendo temporizadores,
osciladores, generadores de onda, y ms
importante an, en circuitos de control de puerta
para SCR y TRIACs.

El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o
UJT esta constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos: dos
bases y un emisor.








El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p
(pocos huecos en su estructura) y la regin n
dbilmente dopado con n ( pocos electrones libres
en su estructura).

Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o
resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K,
estando el emisor abierto).
El modelo equivalente
representado en la siguiente figura
esta constituido por un diodo que
excita la unin de dos resistencias
internas, RB1 y RB2.

MODELO EQUIVALENTE
Tambin la resistencia interna total
es conocida como resistencia
interbase: RB1+RB2 = RBB
MODO DE OPERACION
Cundo el voltaje entre emisor y base1
(VEB) es menor que un valor llamado
voltaje pico (Vp) el UJT esta apagado, no
hay flujo de corriente de E a B1.
Cuando (VEB) es mayor que (Vp), el UJT se
dispara o enciende. Al ocurrir esto el
circuito de E a B1 es casi un cortocircuito.
Y en la mayora de los casos la descarga
de corriente de E a B1 es de corta
duracin, y el UJT se vuelve a apagar.
Al aplicar voltaje entre B2 Y B1 DEL UJT (VB2B1), el VP ser
entonces un porcentaje fijo del voltaje aplicado entre las bases
B1 y B2 (VB2B1), mas 0.6v de la unin PN, ese porcentaje fijo se
llama, razn intrnseca o de inactividad (n) del UJT.
Donde Vp = (n VB2B1) + o.6v
Anlisis con la grafica
En la siguiente grafica se describen las caractersticas elctricas
de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de
emisor (IE) con la corriente de emisor(IE).

Se definen tambin dos puntos crticos , punto de pico Vp,Ip y
punto de valle Vv, Iv que a su vez definen a otros tres puntos
mas que se explicaran a continuacin.
Regin de corte.
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la
tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo
emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE
< VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por
la siguiente ecuacin:


Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de
0.5 V. El UJT en esta regin se comporta como un elemento
resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Regin de resistencia negativa.
Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de
emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin
e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la
resistencia R1 debido a procesos de recombinacin.

Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia
interna con un comportamiento similar a la de una resistencia
negativa (dV
E
/dI
E
< 0). En esta regin, la corriente de emisor
esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (I
P
< I
E
<
I
V
).

Regin de saturacin.
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas
corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una
relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la
corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es
mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las
condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a
la regin de corte.
As, por ejemplo, si un UJT posee una
relacin intrnseca caracterstica
igual a 0,55 y queremos determinar la
tensin que aparecer entre el
terminal de emisor y la base 1 al
aplicar 20V entre bases, bastar con
operar de la siguiente forma:
Vp = ((0.55 x 20v )+(0.6v))= 11.6v
Vp = (n VB2B1) + o.6v
Aplicaciones del UJT
Oscilador de Relajacin
Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de
control de potencia como Tiristores o TRIACs

El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del
transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a travs de
la unin E-B1.

El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se
llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios.

Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y
B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la lnea verde
en el siguiente grfico)

El grfico de lnea negra representa el voltaje que aparece
en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el
capacitor se descarga.
Si se desea variar la frecuencia de oscilacin se puede modificar
tanto el capacitor C como el resistor RE R1 y R2 tambin son
importantes para encontrar la frecuencia de oscilacin.
La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por:
F = 1/REC
Es muy importante saber que RE debe tener valores que deben
estar entre lmites aceptables para que el circuito pueda oscilar.
Estos valores se obtienen con las siguientes frmulas:
RE mximo = (Vs - Vp) / Ip
RE mnimo = (Vs - Vv) / Iv
VS-VP = ES EL VOLTAJE DISPONIBLE A TRAVES DE
RE EN EL MOMENTO DEL DISPARO.
Se necesita REmax para que pase una corriente mnima de
algunos MicroAmpers por el Emisor, para disparar con xito
el UJT aun, si se alcanza el voltaje de pico Vp.

Cuando el UJT se dispara la resistencia interna RB1 cae casi
a 0 volts, causando la aparicin de un voltaje de pico, en
la terminal B1.
REmin es para asegurar el apagado del UJT despus del
disparo, ya que el UJT se apaga cuando el capacitor se
descarga al punto al que ya no puede entregar una
corriente al emisor igual a la corriente de valle Iv.

OTRO PUNTO IMPORTANTE ES QUE EL UJT
REPRESENTA UNA GRAN ESTABILIDAD FRENTE A LA
TEMPEPERATURA.
TEMPORIZADOR CON UJT
ESTE ES UN CIRCUITO DE TEMPORIZACION CON UJT Y
FUNCIONA DE LA SIGUIENTE MANERA.
Cuando se cierra el interruptor se produce un retardo ajustado
por medio de RE.

En si al momento del cierre del interruptor los 24v de la fuente
se aplican a R3, pero R3 esta ajustada para que no pase
mucha corriente y energice la bobina del relevador pero lo
suficiente para mantener la bobina energizada despus de
haber sido esta encendida.

El capacitor se carga a travs de REF y el potencimetro REV, a
una razn determinada por el potencimetro y cuando el
capacitor alcanza un voltaje bastante alto el UJT se dispara,
descargando el capacitor en la bobina del relevador. El pulso
en la bobina cesa casi instantneamente pero la corriente de
R3 es ahora suficiente para mantener el relevador encendido.

El retardo esta dado por la formula siguiente:
T=(REF+REV)CE
Circuito de disparo para SCR
Como se puede apreciar en la imagen este es un circuito de
disparo para un SCR y tambin este mismo funciona para
disparar TRIACS, su funcionamiento es como sigue:
Hay dos tipos de transistores monounin:
El transistor monounin original, o UJT.
(El 2N2646 es la versin ms utilizada del UJT).




El transistor monounin programable o PUT , es
un primo cercano del tiristor (El 2N6027 es un
ejemplo de tal dispositivo).
Sabias que?
El PUT
TRANSISTOR DE UNIUNION PROGRAMABLE
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn)
cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de
tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por
nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT,
se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es
ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un
divisor de tensin que permita variar la frecuencia del
oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
El ctodo de un PUT corresponde a la base 1 de un
UJT. Adems como en un UJT el ctodo del PUT es
la terminal de referencia donde se miden todos los
voltajes.

El nodo del PUT corresponde al Emisor del UJT. El
voltaje del nodo de un PUT aumenta hasta
alcanzar un valor critico determinado llamado
voltaje de pico que dispara la PUT.

La puerta de un PUT tiene una correspondencia
aproximada con la base 2 del UJT. Tratndose del
PUT este recibe un voltaje de un circuito externo
que determina el voltaje de pico de acuerdo con
la formula: Vp=Vg +0.6v.



Un PUT es diferente de un UJT en que su VP es determinado por
un circuito externo en lugar de una razn de inactividad
intrnseca asociada al transistor emisor, esto es lo que hace al
dispositivo programable; por medio de ajuste de un circuito
externo se puede seleccionar el VP deseado.
VG= 20v(R4/(R4+R2))
VP=VG+0.6V