Laboratorio Electrnica

Docente: Christian Aros Bobadilla.

Objetivo de la clase:

Verificar la estructura del transistor bipolar y su principio de operacin.

Relaciona tipos de transistores BJT con sus respectivos terminales, a travs de

mediciones e informacin presente en datasheet.

* Complemento: Uso de hojas tcnicas de Transistores seleccionados. Identificacin de

parmetros.

+ Alumnos utilizaran estaciones de Pc en laboratorio para investigar:

Para que se utiliza un Transistor BJT

Porque se llaman BJT

Estructura de los Transistores de unin bipolar.

Smbolo del Transistor.

Investigue los Tipos de Transistores existentes en el mercado comercial.

Modelos comnmente utilizados.

Investigue cual es la Curva de operacin.

Sentido del Flujo de corriente.

Busque una hoja tcnica de un transistor e investigue 7 parmetros que sean

importantes.

 Circuitos con transistores.

Objetivos
- Familiarizarse con los transistores, la identificacin de sus
terminales y la forma como se emplean en circuitos prcticos.
- Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de
polarizacin y comprobar las caractersticas de los transistores.
- En esta prctica analizaremos un circuito en el que el
transistor se comporta como interruptor, es decir, su punto de
trabajo (Q) se mueve entre saturacin y corte.

PRACTICO DE LABORATORIO.
Material utilizado.
- Multmetro digital
- Fuente DC
- Protoboard
- Transistor 2N3904 (1)
- Transistor TIP31 (1)
- LED rojo (1)
- Resistencias varias.
- Fotoresistencia o fotocelda (1)

Trabajo previo (preinforme)

1.

Investigar en los manuales de componentes los

parmetros ms importantes de los transistores 2N3904
y TIP31 (transcribir los valores mximos de corriente y
voltaje Ic y Vce, Vce(sat), hfe, etc.). Adems, dibuje el
transistor indicando la distribucin de sus pines.

2.
Investigar la forma en que se pueden identificar los
pines de un transistor utilizando un multmetro digital.

3.
Realice los clculos tericos correspondientes para
los circuitos de polarizacin que se presentan a
continuacin. En los clculos utilice hfe = 100. Dibuje la
recta de carga y ubique sobre ella el punto Q.

1. Circuito con fotocelda (Prctico)

Circuito con fotocelda (Prctico)

Procedimiento.
1. Con el multmetro identifique los terminales de cada uno de los
transistores solicitados (2N3904, TIP31) y verifique si
concuerdan con los datos del manual.
2. Con el multmetro especial mida el hfe de los transistores y
verifique si concuerda con los datos del manual.
3. Monte el circuito de la figura anterior. Note que en l se utiliza
una fotocelda o fotoresistencia.
La idea es que al pasar la mano por encima de la fotocelda el LED
cambie de estado (on off).
a. Compruebe el funcionamiento del circuito.
b. Calcule la corriente del colector si Vce=0,3V y en el LED
encendido caen 1,8V.
c. Halle el valor de resistencia de la fotocelda en el momento en que
el LED est encendido
plenamente (saturacin) y en el momento en que est apagado
(corte).

2. Circuito de polarizacin fija (Prctico y simulado)

2. Circuito de polarizacin fija (Prctico y simulado)

Procedimiento
a) Monte el circuito y mida Ib, Ic y Vce colocando ampermetros y
voltmetros en el sitio correspondiente. Compare estos valores
con los que obtuvo haciendo los clculos tericos del preinforme.
Concluir sobre las posibles diferencias.
b) Cambiar la resistencia de 330K por una de 10K. Realizar el
mismo procedimiento que en el punto anterior. Concluir.

3. Circuito con polarizacin de emisor (Prctico y simulado)

Procedimiento
a) En este circuito medir tambin Ic, Ib y Vce, comparar con
los datos tericos y concluir.
b) Concluir sobre el efecto de la resistencia de emisor.

4. Circuito de polarizacin por divisor de tensin

(Prctico y simulado)

a)

En este circuito medir tambin Ic, Ib y Vce, comparar con los datos
tericos y concluir.

Informe
1. Consignar todos los valores medidos y su respectiva comparacin con los
clculos tericos
realizados en el preinforme.
2. Escribir las conclusiones que obtiene.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:
unin BE
unin BC

IP
IP

IP
DP

DP
IP

DP
DP

Distinguir entre E y C?

Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C

E y C no son exactamente iguales a nivel fsico
Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC
Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC
Habitualmente: funcionamiento directo
Posible con tres de las cuatro opciones
Tres zonas de funcionamiento
Corte
Regin Activa Normal (R.A.N.)
Saturacin

1. Corte
BE y BC en I.P.
Por tanto VBE 0,7 V y VBC 0,7 V (se suele comprobar slo VBE 0,7 V)
En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)
Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
Resumiendo:

condicin
VBE 0,7 V

ecuacin

IC = 0 , IB = 0

2. Regin Activa Normal (R.A.N.)

BE en D.P., BC en I.P

Slo una unin en D.P. pero corriente en ambas. An as IB << IC

BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuacin ms)
Otra ecuacin: analizando las curvas caractersticas del transistor
Conclusin anlisis: IC/IB = ( nueva ecuacin, ganancia de
corriente)
Vara segn el tipo de transistor. Consideraremos 100
Verificacin de esta zona implica comprobar unin BC en I.P:
comprobar VBC 0,5 V (no 0,7 como en una unin aislada). Equivalente:
VCE 0,2 V

condicin
VCE 0,2 V

ecuacin
VBE = 0,7 V ,

IC

IB

3. Saturacin
BE y BC en D.P.
Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
No relacin constante anterior
Verificacin de esta zona implica comprobar IC/IB

condicin

IC

IB

ecuacin

VBE = 0,7 V
VCE = 0,2 V

Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica

mA IC

IB 100 mA

12

Saturacin

10

IB 80 mA
IB 60 mA

R.A.N.

IB 40 mA

IB 20 mA

Corte
0

10

VCE V

20/11/2014

Ejemplo de aplicacin BJT:

Alarma por lser

20/11/2014