Control y automatizacin

Control de Procesos
Consigna

SISTEMA
DE
CONTROL

Entrada

PLANTA
o
PROCESO

Salida

Operador

Consigna

Operador

SISTEMA
DE
CONTROL

Seales de
mando

DISPOSITIVOS DE POTENCIA

ACTUADORES

DISPOSITIVOS DE SEAL

Potencia

ITES-Paraninfo

PLANTA
o
PROCESO

Salida

Control de Procesos

Seal de
error

Consigna
Nodo
suma

Operador

SISTEMA
DE
CONTROL

Seales de
mando

ACTUADORES

Perturbaciones

Variable regulada

Lazo de realimentacin

ITES-Paraninfo

PLANTA
o
PROCESO

Salida

Control de Procesos
Visualizador

SISTEMA DE MEDIDA

Seal
elctrica

Variable
fsica

ACONDICIONAMIENTO

PROCESO

SENSOR

Seal
medida

TRANSMISOR

Medio de
transmisin

ACTUADOR
Seal
mando

SISTEMA DE CONTROL

ITES-Paraninfo

RECEPTOR

Sensores
potenciomtricos

Sensores potenciomtricos
(1)

R2
R = R1+R2

cursor
(3)
R1

(2)

Potencimetros lineales y angulares

Elemento
resistivo

Carcasa

Elemento
resistivo

Cursor

Carcasa
Zona
muerta

Junta estanca y
cojinete

Cursor
Junta estanca
y cojinete

Eje de giro
Eje

ITES-Paraninfo

Tipos de potencimetros

pista resistiva

hilo bobinado

ITES-Paraninfo

Tipos de potencimetros

Tornillo sin-fin

Muelle
Cable
flexible

C
Bobina

POTENCIMETRO

ITES-Paraninfo

CCW

CW

Comparativa de potencimetros
Plstico
conductivo

Hilo bobinado

Hbridos

Resolucin

Infinita

Limitada

Infinita

Potencia

Baja

Alta

Baja

Estabilidad
trmica

Pobre

Excelente

Muy buena

Ruido

Muy bajo

Bajo

Bajo

Vida media

106-108 ciclos

105-106 ciclos

106-107 ciclos

Comportamien
to en alta
frecuencia

Buena

Pobre

Buena

ITES-Paraninfo

Parmetros de potencimetros
Parmetro

Potencimetro de precisin
(plstico conductivo)

Potencimetro de precisin
(hilo bobinado)

Pista

Plstico conductivo

Hilo bobinado

Tolerancia de la resistencia

10%

5%

Linealidad

1% (independiente)

1% (independiente)

Potencia nominal

1 W (de 0C a 70C)

2W a 40C

Rigidez dielctrica

750V rms

1000Vrms

Resistencia de aislamiento

1.000M

1.000M a 500 vdc

Rotacin elctrica

340 4

320 5

Rotacin mecnica

340 5

330 5

Par de funcionamiento

1,8g-cm

14,4g/cm

Temperatura de
funcionamiento

de -65C a +125C

de -55C a +125C

Resolucin

infinita

limitada

Coeficiente de temperatura

600ppm/C (max)

20ppm/C

Vida til rotacional

5.000.000 ciclos

500.000

ITES-Paraninfo

Acondicionamiento de potencimetros
Vcc
Cursor

Salida

VARILLA
Magnitud fsica
(FUERZA)

+
POTENCIMETRO
Vo
MUELLE
V

SEAL ELCTRICA
DE SALIDA

ITES-Paraninfo

Sensores de
temperatura de
resistencia metlica

Sensores de temperatura de resistencia metlica.

RTD (I).

+T

+t
SMBOLO

ASPECTO

l
A

Sensores de temperatura de resistencia metlica.

RTD (II).

Metales

Resistividad
(), -m

Coeficiente
trmico, (K)-1

Platino, Pt

10,610-8

3,910-3

Nquel, Ni

6,8410-8

710-3

Wolframio,
W

5,610-8

4,510-3

Cobre, Cu

1,6810-8

4,310-3

Curvas de calibracin (I).

RT, Ohm
250

200

150

100

R0

50

-200

-100

100

200

300

400

T, C

Curvas de calibracin (II).

RT/R0
4
3,5

Pt100
Cu100

Ni120

2,5
2
1,5
1
0,5

-200

-100

100

200

300

400

T, C

Tipos de RTD (I).

TUBO DE ACERO
INOXIDABLE

AISLAMIENTO DE
MICA

TERMINALES DE
ALEACIN DE Pt

SELLO DE CEMENTO ALAMBRE DE

CERMICO
Pt

VIDRIO (SOPORTE
DE TERMINALES)

AISLADOR CERMICO

PELCULA DE
Pt
DEPOSITADA

BOBINADA
TERMINALES

SUSTRATO
CERMICO
CAPA PROTECTORA
DE VIDRIO

AISLAMIENTO DE MICA
TERMINALES DE
ALEACIN DE Pt

POLVO CERMICO

SELLO DE
VIDRIO

SELLO DE
VIDRIO

PELCULA METLICA

(b)
BOBINA DE Pt

AISLADOR CERMICO DE
ALTA PUREZA

BOBINA SUSPENDIDA
(a)

Tipos de RTD (II).

Metal

Margen til de
temperatura, (C)

Valores de R0, ()

Platino

-260 900

25,100,400,500,1000 y
2000

Tungste
no

-100 1200

10, 50, 100, 1000 y

2000

Nquel

-200 430

120, 1000

Cobre

-200 260

10, 100, 1000

Balco

-100 230

100, 1000 y 2000

Galgas
extensomtricas

Principio de funcionamiento
d
(a)
l

l
R
d2
4

d d

R l
d

2
R

l
d

(b)

l l

KR
R
F
EA
ITES-Paraninfo

Galgas de hilo metlico

FY

Pelcula de proteccin
Soporte

FX
Hilo de medida
(adherido al soporte)

Afecta al hilo

Terminales de conexin
(a)

(b)

ITES-Paraninfo

Galgas de pelcula metlica

Zonas ms anchas para
reducir el efecto de
tensiones transversales

Pelcula de proteccin

FY

Soporte
Pad de conexin
Seccin
AY

FX
Seccin Ax

R K

(a)

(b)

ITES-Paraninfo

R YFY
EA Y

R XFX
EA X

R YFY
EA Y

RX<<RY
AX>>AY

Galgas semiconductoras
GALGA
Silicio

Pad de
conexin

ITES-Paraninfo

Materiales para galgas

Materiales metlicos sensores
Material

Caractersticas

Aplicaciones

Constantn

-Medidas estticas
- No usar en aplicaciones extremas
- Seleccin compleja (pocos criterios)
- Material ms usado y muy barato
- Autocompensacin trmica sencilla

- Grandes elongaciones
(estado plstico de
deformacin)

Isoelastic

- Gran relacin S/N

- Precisan control de temperatura

- Medidas dinmicas
- Medida de fatiga

Karma

- Autocompensacin trmica sencilla

- La soldadura de terminales es
compleja

- Medida a temperaturas bajas

- Medida con temperaturas
variables o no controladas

Aleacin Pt

- Coste alto

- Medida a altas temperaturas

ITES-Paraninfo

Materiales
para
galgas
Materiales para galgas
Materiales para el soporte
Material

Caractersticas

Aplicaciones

Poliamida

- Es el soporte estndar
- No soporta condiciones extremas de
trabajo
- Espesor habitual de 0,025mm

- Medidas estticas
- Aplicaciones habituales

Epoxy

- Minimiza el error introducido por el

soporte
- Instalacin delicada
- Requiere mano de obra especializada

- Medidas precisas

Fibra de vidrio
reforzada con
epoxy

- Soporta temperaturas moderadas

- Soporta muy bien el trabajo a fatiga

- Medidas cclicas y de
fatiga

ITES-Paraninfo

Caractersticas de las galgas

extensiomtricas
Tipo

Metlica

Hbridas de capa
fina
Semiconductor

TCR
(10-6/K)

TCGF
(106/K)

Deriva
Temporal

10

100

Muy baja

3 a 20

50

300

Baja

30 a 120

1500

2000

Media

ITES-Paraninfo

Utilizacin de las galgas

GALGA
PEGAMENTO

HILOS
SOLDADURA

MATERIAL PASIVO

ITES-Paraninfo

Otras formas constructivas

ITES-Paraninfo

Circuitos de medida
R1

RG

R3
R2

v AB E

R 3 R G R1 R 2

B
E
R2

R3

VAB

R
1
v AB
E
4 R R
2
K 1
K
v AB
E
E
4 1 K
4
2

ITES-Paraninfo

Aplicaciones de las galgas

F

ITES-Paraninfo

Criterio
Tipo de trabajo

Tipos de clula
Traccin
Compresin
Traccin/compresin
Fatiga

Aplicaciones
Medida de peso
Medidas on-line
Uso general
Ensayos dinmicos

Impacto
Margen de medida
Comportamiento
dinmico

Microclulas de carga

Alta precisin

Margen amplio

Uso general

Fatiga

Sistemas sometidos a fatiga

Alta velocidad

Vibracin
Ensayos dinmicos

Aplicaciones de las galgas

P2 < P1
P2

Reposo (P2 = P1)

B
A

P1

B
Compresin

Traccin
A
B

B
A

A: R+ R
B: R- R

ITES-Paraninfo

vo

Termistores

NTC
Tecnologa de fabricacin
TERMISTOR DE CRISTAL EN FORMA DE GOTA
(glass bead o epoxy bead)

TERMISTOR EN FORMA DE DISCO

(disk)
CABLES DE
CONEXIN

METALIZACIN
RECUBRIMIENTO DE
CRISTAL O EPOXY

CABLES DE
CONEXIN

SEMICONDUCTOR
SEMICONDUCTOR

(a)

(b)

ITES-Paraninfo

NTC
Caracterstica R-T y modelo
RT R 0e

Resistencia,

20000

15000

NTC

1 dR T
B

2
R T dT
T

10000
RTD

5000

0
262

1 1
B( )
T T0

298

334

370

406

Temperatura, K
ITES-Paraninfo

NTC
Aplicaciones
R bobina

R
RESPUESTA
CONJUNTA

R1

cobre

NTC
NTC
T
R

-t

AC

-t

RECTIFICADOR

-t

ITES-Paraninfo

Posicin
alternativa

-t

C
CARGA

PTC caracterstica R-T

Rmx

RP

Rs
R25
Rmn
T25

TRmn

Ts Tp

Tmx

ITES-Paraninfo

PTC
Aplicaciones
PTC

Elemento a calentar

+t
Aislante electrco
termoconductivo

+t

PTC

PTC
RED
electrodos
EQUIPO A PROTEGER

CARGA INDUCTIVA

CARGA
REL

PTC

CARGA

+t
REL
PTC

+t

220V
PTC

(a)

220V

(b)

ITES-Paraninfo

LDR
L() INTENSIDAD DE RADIACIN
LUMINOSA

A
d
LDR
ELECTRODOS

(a)

(b)

R[]

Ro

ITES-Paraninfo

Lo

L[lux]

LDR smbolo elctrico

Sustrato
cermico

Contactos
metlicos

Pelcula
semiconductora

ITES-Paraninfo

LDR
Modelo
L0
RL R0
L
Parmetro
Ro

Valores tpicos
2K-200K @ 10lux

0,7-1,5

Tensin mxima

100V-150V

Potencia mxima

50mW-1W

Tiempo de respuesta

>10ms a varios s.

ITES-Paraninfo

LDR
Acondicionamiento
vo

R
L
R Ro o
L

L
R(L)

1
R
R LC
1
R
V 2 1
S( LC )
Lc 4

V 2 TR

ITES-Paraninfo

Vo

Sensores
Capacitivos

Geometras bsicas de
condensadores
r2

Dielctrico

d-x

A
1

r1

d+x

A
C=
d

A
C1 =
d- x

A
C2 =
d+x

ITES-Paraninfo

C=

2 h
r2
ln
r1

Condensador plano simple

l
x

placa
fija

placa
mvil

Cx

A
x

Cx

A - wx
d

ITES-Paraninfo

w
Cx o 2l - 2 - 1 x
d

Condensador plano diferencial

C2

C1

C1 =

C2 =

x
d-x

C1

x0
x
3

A
d+x

C1 - C 2

2A
x
d2

d+x

2
x0

A
d-x

C2

w x0 - x
d

w x0 x
d

C1 - C2 -

ITES-Paraninfo

2
x
d

Circuitos de acondicionamiento
R
C2

C1

Vo -V

Vo

C1
C2

R2
C1
R1

Vo

Vo

N=1

C2

ITES-Paraninfo

V C1 C2

2 C1 C2

Detector de proximidad
capacitivo
rea
activa
Cabeza
sensora

Salida

Cabeza
sensora
Oscilador

(a)

Detector

Amplificador

(b)

Dielctrico

Material conductor

B_

A+

B_

A+
(b)

(a)

ITES-Paraninfo

Sensores capacitivos en silicio

Polvo, suciedad y aceites
no afectan al sensor

Polmero

V0 VCC 0,0062x %HR 0,16

Platino
Polmero
Platino
Sustrato de silicio

Placas del
condensador

PRESIN

Diafragma

Salida (V)

4,95
VDD =5,5V
4,05
2,75
2,25

VDD =4,5V

0,55
0,45

Sustrato de silicio

ITES-Paraninfo

50
100
Presin (%FS)

Sensores capacitivos en silicio

F = kx
F = ma

k
x
m
aceleracin

Celda
unitaria

C1 C2

Capacidades
C 1 y C2

ITES-Paraninfo

Sensores
inductivos

Principio de funcionamiento
Ae
le

N espiras

Ae N2
L
g le

0Ae N2
L
g
ITES-Paraninfo

Otros sensores inductivos

Sensores de proximidad
C
L

BOBINA

OBJETO
METLICO

SALIDA

+
COMPARADOR

vL

RECTIFICADOR DE
PRECISIN

REF

(a)
Objeto ausente

Objeto presente

SALIDA
REF

ITES-Paraninfo

(b)

Otros sensores inductivos

Sensores de proximidad
ITES-Paraninfo

SENSOR INDUCTIVO

CABLE DE CONEXIN

+Vcc
SALIDA

+Vcc

+Vcc

CARGA

CARGA

SALIDA
CARGA

CARGA

0V
PNP

SALIDA

0V
NPN

0V
NPN-PNP

Otros sensores inductivos

Sensores de proximidad
Cpsula
metlica
Bobina

Bobina apantallada
Ncleo de
ferrita

(a)

Sobj/Sst

ITES-Paraninfo

Bobina no apantallada
(b)

Factor de correccin
Bobina
apantallada

Bobina no
apantallada

0,25

0,56

0,50

0,50

0,83

0,73

0,75

0,92

0,90

1,00

1,00

1,00

Sensores
electromagnticos

Sensores electromagnticos lineales

e
v
N

Sensores electromagnticos rotativos (I).

estator
N
S

escobillas

colector

rotor
bobinado
N
S

Sensores electromagnticos rotativos (II).

a
Rotor con
polos
magnticos

b
N

estator
bobinado

Sensores electromagnticos rotativos (III).

PARMETRO

MAGNITUD

Dimetro exterior

25 250mm

Constante de
tiempo

< 100s

Rizado de la salida

0,03%

Mrgenes de
entrada

1 6000rpm

Margen dinmico

1 5000mV/rpm

Sensores electromagnticos rotativos (IV).

() a b cos
, R
Reluctancia R

Flujo

e b m sen(mt )
b

180

Sensores electromagnticos rotativos (V).

eE1

eR2

eR1 eE1 cos

E1

R2

eR 2 eE1sen
E2

R1
eR1

eE2

Termopares

Principio de funcionamiento
Metal 1
T1

Metal 1
T1

Flujo de
corriente

T2
Metal 2

T2

Metal 1

Metal 2
(a)

T2

T1

T2

Metal 2
V
(b)

ITES-Paraninfo

Ley de los circuitos homogneos

Metal 1
T1
V1
Metal 2

Metal 1

T2

T3

T1

T2

V2=V1
Metal 2

ITES-Paraninfo

T2

T2

Ley de los metales intermedios

Metal 1
T1

T2
V1

Metal 2

Metal 1

T3

T1

T3

Metal 1

T2

Metal 3
V2=V1

T2

Metal 2

ITES-Paraninfo

T2

Ley de las temperaturas intermedias

Metal 1

T2

T1

Metal 1
T2

(a)

T2

Metal 1

T3

T1

VT1,T2
Metal 2

T3
VT2,T3

Metal 2

T3

(b)

ITES-Paraninfo

VT1,T2+VT2,T3
Metal 2
(c)

T3

Necesidad de circuitos asimtricos

Metal 1

B
0

VAB
T1

Temperatura
T2

VBC=0
VAC=VAB
C

Voltmetro

ITES-Paraninfo

Tipos de termopares
Tipo

Composicin
(terminal positivo - negativo)

Campo de
medida
recomendado

Sensibilidad (a 25C)

Fe - Constantn*

0 a 760C

51,5 V/C

Cromel* - Alumel*

-200 a 1250C

40,5 V/C

Nicrosil* - Nisil*

0 a 1260C

26,5 V/C

Cu - Constantn

-200 a 350C

41,0 V/C

13%Pt 87%Rh - Pt

0 a 1450C

6 V/C

10%Pt 90%Rh - Pt

0 a 1450C

6 V/C

30%Pt 70%Rh - 6%Pt 94%Rh

800 a 1800C

9 V/C (a 1000 C)

ITES-Paraninfo

 ITES-Paraninfo

Tipos de termopares

Tipo

Aplicabilidad

Apropiado para atmsferas inertes o reductoras. Las atmsferas oxidantes

disminuyen la vida til debido a la presencia de hierro en el termopar que,
adems, se oxida muy rpidamente por encima de 538C. No es adecuado
para bajas temperaturas (por debajo de 0C).

Muy utilizado por encima de 538C debido a las limitaciones del termopar de
tipo J. El cromo tiende a oxidarse ante la presencia de oxgeno lo que puede
llevar a importantes derivas en el margen de 816 a 1038C.

Se utiliza en aplicaciones donde el termopar de tipo K tiene problemas de

oxidacin.

Adecuado para atmsferas oxidantes, inertes y reductoras.

R, S

Recomendados para altas temperaturas. El de tipo R se utiliza

industrialmente mientras que el S en laboratorios. El uso continuado a altas
temperaturas provoca el crecimiento del granulado y puede sufrir una
ruptura mecnica. Deben protegerse con tubos no metlicos y aislantes
cermicos. Tienden a descalibrarse debido a la difusin del rodio a la rama
de platino puro y a su volatilizacin.

Semejante a los tipos R y S aunque el lmite de temperatura es mayor y es

menos susceptible al crecimiento del granulado.

Tipos de termopares

Vaina protectora

(a)

Aislante

(b)

ITES-Paraninfo

(c)

Curvas de calibracin
60

K
50

J
Tensin (m V )

40

30

20

S
B

10
0
10
200

200

400

600

800

1000 1200 1400 1600 1800 2000

Temperatura (C)

ITES-Paraninfo

Efecto de las uniones a los equipos de

medicin
Metal 1

Tf

Cu

Metal 2

Tf

Cu

T3

Tc

Voltmetro

VTc ,0 VTc ,Tf VTf ,0

ITES-Paraninfo

Carcasa y conectores isotrmicos

Conector isotrmico
Vaina protectora

ITES-Paraninfo

Sensores
piezoelctricos

ITES-Paraninfo

- -

- - +

- - +

- -

- +

- - -

- - -

ITES-Paraninfo
Ti
Zr
O
Pb

Introduccin

Introduccin

- +

- +

- - -

- +

- +

- - +

- - +

CRISTAL ANISTROPO
ORDENADO

T<TCurie

ENFRIAMIENTO

CALENTAMIENTO

T=TCurie
CRISTAL ISTROPO

ITES-Paraninfo

T<TCurie
CRISTAL ANISTROPO
DESORDENADO

Fabricacin
MOLIENDA

MEZCLA

PRECALENTAMIENTO
SINTERIZADO
PULIDO
POLARIZADO

TERMINAL

SPUTTERING
DISPOSICIN DE
ELECTRODOS

ELECTRODOS

MATERIAL PIEZOELCTRICO
TERMINAL

ITES-Paraninfo

-+ -+ -+ -+ +-

Comportamiento elctrico
F

d x
dx
Fm 2 r
sx
dt
dt

+
e

RP

+
F

r
K

LP

m
K

CP

K
s

m di r
s
F
i idt
K dt K K

ITES-Paraninfo

Uso de sensores piezoelctricos

Sensor

Sujeccin

+Vcc

C1

Cc

Ce

C2

Vo

+Vcc

+
X

Re
GND
GND

ITES-Paraninfo

Uso de sensores piezoelctricos

v
F

Respuesta en
vaco

S1
S'1
log f

fc

Respuesta en
carga

ITES-Paraninfo

f'o fo

Medidas estticas
CONTROL

CA
R

Vo

t
Vo

Intervalo de medida

(a)

(b)

ITES-Paraninfo

Retardo de medida

Ultrasonidos

ESPECTRO AUDIBLE DEL SER

HUMANO
ULTRASONIDOS
15Hz

20kHz

500MHz

MICROSONIDOS

INFRASONIDOS

ITES-Paraninfo

Ultrasonidos
Tcnica impulso-eco
Emisor
d

Emisor

Pulso
t

Objeto
Receptor
Eco

t
t1

Receptor

ct1
d
2
ITES-Paraninfo

Ultrasonidos
Tcnica impulso-eco

ZONA DE
DETECCIN

EMISOR/
RECEPTOR

EMISOR/
RECEPTOR

ITES-Paraninfo

Sensores
piroelctricos

ITES-Paraninfo

Construccin
Flujo de radiacin

ELECTRODOS

DIELCTRICO

(a)

ITES-Paraninfo

(b)

 ITES-Paraninfo

Principio de funcionamiento
Material sin
polarizar

Material
polarizado

+
-

+
+ -+
+ - +

dp
dT

+
- +
+ -

dp
dT

+
+
-

(a)

(b)

T1

(c)

T2

Tc

Material

Coeficiente
piroelctrico C/cm2K

Constante
dielctrica

Temperatura de
Curie

TGS (Sulfato de triglicina)

3,0 10-8

11

49C

TaO3Li (Tantalato de litio

1,7 10-8

46

600C

PVDF (Polivinilideno)

27 10-9

12

100C

Etapas de conversin

Fs

Qp

Tp

Conversin
trmica

Conversin
trmicaelctrica

ITES-Paraninfo

up

Conversin
elctrica

Modelo trmico

sensor

Fs

Hp

As
d

1/HP

Tp

TP

F s
1/

TA

(a)

(b)

Tp
ITES-Paraninfo

F
2 H p

Aplicaciones
V+ = 5 V
47K

LIE 245&345

VDD

4K7

7
MAX
4256

6
IN
8

DOUT
SCLK
MAX 195 CS
16 bit
ADC

SHDN

REF

Interfaz
serie

4,096

VSS
SHDN
MASA

V- = -5 V

ITES-Paraninfo

Sensores
optoelectrnicos

ITES-Paraninfo

Fotodiodos. Principio de funcionamiento

V0

V0
P

nodo

Banda de
conduccin

+
+
+
+
+

Ctodo

Fotn

Banda
prohibida,
Eh

+
+
+
+
+

P
V0q

Banda de
valencia

V0
N

+
+
+
+
+

Eh

Eh

Fotn

Zona de
transicin
(a)

Zona de
transicin
(b)

ITES-Paraninfo

Zona de
transicin
(c)

Longitud de onda de corte

Semiconductor

Longitud de onda
de corte, h(nm)

Si

Energa de la
banda prohibida,
Eh(eV)
1,12

Ge

0,66

1870

InP

1,35

910

InGaAsP

0,89

1400

InGaAs

0,75

1650

1100

1240
h nm
E h eV
ITES-Paraninfo

Profundidad de penetracin
V0
P
Luz incidente de
intensidad, I0

+
+
+
+
+

Visible

Infrarrojo

10-3
N
10-4

Profundidad de
penetracin, (m)

Ultravioleta

Intensidad
de luz, I

I0

10-5

10-6

10-7
0,63.I0

0,37.I0

10-8
0

x=

400

800

600

Longitud de onda,
(nm)

(a)

I x I 0 e

200

(b)

x
ITES-Paraninfo

1000

1200

Capacidad de transicin
V0+Vi

V0
P

+
+
+
+
+
Lzt

+
+
+
+
+
Vi

+
+
+
+
+

+
+
+
+
+

(b)

(a)

ITES-Paraninfo

Tipos
Tipo

Estructura

PN

PIN

Schottky

Avalancha

Caractersticas

Buenas caractersticas generales

Au

Tensin inversa 5100V

Capacidad de transicin pequea
Muy rpidos
Buena respuesta en el ultravioleta

Tensin inversa 150200V

Ganancia 100
Muy rpidos

ITES-Paraninfo

Modelo
a

Rs
a

if

id

Ct

vd

Rp

b
Fotodiodo

b
Diodo Ideal

qvkTd

i d I s e 1

ITES-Paraninfo

Curvas caractersticas

id

id

Vd
Oscuridad

Intensidad de
luz creciente

Vd

ITES-Paraninfo

Aplicaciones de fotodiodos y
fototransistores. Diagrama de bloques
Filtro
ptico
Modulacin
(oscilador)

I-U

Demodulacin
Filtrado

ITES-Paraninfo

Detectores de proximidad
Emisor

Detector

Emisor

Detector

Objeto
(a)

Emisor

Reflector

Objeto
(b)

ITES-Paraninfo

Objeto
(c)

Detector

Codificadores pticos

Fotodetector
LED

ITES-Paraninfo

Codificadores pticos incrementales

Seal fotointerruptor
principal

t
Seal ndice

ITES-Paraninfo

Deteccin del sentido de giro

Fotodetectores

Fotodetectores

B
B

ITES-Paraninfo

LED

LED

(a)

(b)

t
B

t
B

(c)

(d)

Codificadores absolutos
Fotodetectores
0000

0001

0011

Fuente de luz
(LED) y ptica

ITES-Paraninfo

Detectores de color
Objetivo

LED azul
LED verde
LED rojo

ITES-Paraninfo

Fotodiodo

Detectores de humo

LED

Fotodetector
(a)

(b)

ITES-Paraninfo

Aplicaciones espectroscpicas
Rejilla mvil

ptica

I0

Fuente
de luz

Monocromador
Fotodiodo de
referencia

ITES-Paraninfo

Muestra a
analizar

Fotodiodo

CCDs. Principios bsicos

Objeto

Lente
Matriz de elementos
fotosensibles

ITES-Paraninfo

Imagen
resultante

Principios bsicos
f15
Punto f1, c1
Tensin
de salida

Incidencia de
luz

Punto f1, c15

t
f1
c15

c1

ITES-Paraninfo

Otros tipos
de sensores

ITES-Paraninfo

Espectro electromagntico
Conductores de fibras pticas
0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6

0,8 m

0,3 pm

3 pm

0,3 nm

30 nm

3 m

0,3 mm

Rayos gamma
Rayos X

UV

Infrarrojo

Visible
0,4
0,7

1,7 m

3 cm

3m

300 m

Micro
ondas Radiofrecuencia
Ondas
milimtricas

ITES-Paraninfo

Longitud
de onda

Reflexin y refraccin de la luz

Rayo
refractado
2 = 90

Medio 2 (n2 n1)

Medio 1 (n1)
1

Rayo
incidente

Rayo
reflejado
a) 1 2

b)

1 = c

ITES-Paraninfo

c) 1 > c

Propagacin de la luz
segn el tipo de FO
Pulso de
salida

Pulso de
entrada
n2
n1

Fibra monomodo de salto de ndice

n2
n1
Fibra multimodo de salto de ndice
n2
n1

Fibra multimodo de ndice gradual

ITES-Paraninfo

Diagrama de bloque de un SFO

FUENTE
DE LUZ

Fluorescente
Incandescente
Lmparas de
descarga
LED
Lser

INTERFAZ
PTICA

Lente
Polarizador
Conector
Acoplador

Fibra
ptica

MODULADOR

Fase
Intensidad
Polarizacin
Longitud de onda

ITES-Paraninfo

Fibra
ptica

DETECTOR
PTICO

Fotodiodo
Diodo de avalancha
PMT

Biosensores

Elemento
biolgico

Analito

Elemento
sensor

Biosensor

ITES-Paraninfo

Seal

Respuesta

Reacciones enzimticas
Complejo
intermedio

sustrato

sustrato
enzima

producto
enzima

B B B B B B B
Membrana

B
B
B B
B B B B

enzima

Sensor

Sensor

Sensor

Adsorcin fsica

Atrapamiento mediante
membrana semipermeable

Unin covalente

ITES-Paraninfo

Ejemplos de biosensores
glucosa

cido
glucnico
Glucosa oxidasa
(GOD)

oxgeno

Glucosa O2

perxido de
hidrgeno

GOD

H2 O2

electrodo

electrones

Luz
cable de
fibra ptica

enzima
tinte

recubrimiento

membrana
semipermeable
protectora

ITES-Paraninfo

cido glucnico H2 O2

O2+ 2H+ 2e-

Ejemplos de biosensores
Electrodo de
referencia

Solucin

Solucin

+V

Electrodo de
referencia

Membrana protectora

Capa de enzima
Encapsulado

VG
Al

n+

Fuente de
corriente

n+

Membrana de
ion selectivo

SiO2
(aislante)
Silicio tipo p
(b)

(a)
Aislante
trmico
Enzima
inmovilizada

Termistor

Muestra

ITES-Paraninfo

Vo

Ejemplo de biosensor
membrana de
acetato de
celulosa
5,0

membrana
inmovilizada
capa de
aislamiento
capa de grafito
sustrato
metlico

Corriente (A)

enzima
inmovilizada (GOD)

4,0

3,0

2,0

1,0

10

20

30

40

Concentracin (mM)

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