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POLARIZACN DC EN LOS

BJT
Semana IV

PUNTO DE OPERACIN
La corriente de dc y el voltaje resultantes
establecen un punto de operacin sobre las
caractersticas que define la regin que ser
empleada para la amplificacin de la seal
aplicada.
El punto de operacin es un punto fijo sobre las
caractersticas, o tambin un punto de reposo
(punto Q: quiescent point)
El circuito de polarizacin puede disearse para
establecer la operacin del dispositivos en
cualquiera de los puntos dentro de la regin activa
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PUNTO DE OPERACIN

PUNTO DE OPERACIN
La corriente mxima del colector I Cmax y con
una lnea vertical para el voltaje mximo
del colector emisor VCEmax. La restriccin de
mxima potencia definida por PCmax en el
extremo inferior de las escalas, se
encuentra la regin de corte (IB0 A), y la
regin de saturacin (VCEVCEsat).
El trabajo en estos extremos recortar la
vida til del dispositivo.
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CIRCUITO DE POLARIZACIN
FIJA
Proporciona una introduccin
relativamente directa y simple al
anlisis de la polarizacin en dc de
los transistores

CIRCUITO DE POLARIZACIN
FIJA

Polarizacin directa de base-emisor


Considere la malla del circuito baseemisor de la fig., al escribir la
ecuacin de voltaje de Kirchhoff,
Al resolver la ec. Para la corriente IB
el resultado es:

Malla colector-emisor
Se presenta la
seccin colectoremisor de la red,

Malla colector-emisor
El cambio de RC no afectar
el nivel de IB o IC siempre y
cuando se permanezca en
la regin activa del
dispositivo.
El nivel de RC determinar
la magnitud de VCE
Aplicando la ley de voltaje
de Kirchhoff

Malla colector-emisor
Recuerde que:
dado que VE = 0V

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Saturacin del transistor


Cuando los niveles alcanzan los
valores mximos.
El transistor que opera en la regin
de saturacin, la corriente es el
valor mximo para el diseo
particular., el nivel de saturacin
ms alto lo define la corriente
mxima del colector.
Las condiciones de saturacin se
evita, la unin base-colector no se
encuentra en polarizacin inversa y
la seal amplificada de salida se
distorsionar.
La corriente es relativamente alta,
El voltaje VCE se a sume cero

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Saturacin del transistor

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Anlisis por medio de la recta de


carga

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Anlisis por medio de la recta de


carga
El anlisis se ha efectuado utilizando
un nivel de correspondiente con el
punto Q resultante.
Los parmetros de la red definen el
rango posible de puntos Q.

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Anlisis por medio de la recta de


carga
Las caractersticas de salida del transistor
tambin relacionan las mismas dos
variables IC y VCE como se muestra en la fig.
Se tiene una ecuacin de red y un conjunto
de caractersticas que utilizan las mismas
variables.
La solucin comn de las dos se presentar
cuando las restricciones establecidas por
cada una, se satisfacen de manera
simultnea.
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Anlisis por medio de la recta de


carga
En la fig. 4.11b se proporcionan las
caractersticas del dispositivo de IC en
funcin de VCE. Ahora deberemos sobreponer
la lnea recta definida por la ec. 4.12 sobre
las caractersticas. El mtodo ms directo
para graficar la ec 4.12 sobre las
caractersticas de salida es utiliza el hecho
de que una lnea recta se encuentra definida
por dos puntos. Si decidimos que I C sea igual
a 0 mA en la ec 4.12

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Anlisis por medio de la recta de


carga

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Anlisis por medio de la recta de


carga
Si el nivel de IB se
modifica al variar el
valor de RB, el
punto Q se mover
hacia arriba o
abajo.
Si VCC se mantiene
fijo y RC cambia la
recta de carga se
desplazar
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Anlisis por medio de la recta de


carga
Si VCC se mantiene
fijo y RC cambia, la
recta de carga se
desplazar como se
muestra en la fig.
Si IB se mantiene
fija, el punto Q se
mover con se
aprecia en la fig.
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Anlisis por medio de la recta de


carga
Si RC se
mantiene fija y
VCC vara, la recta
de carga se
desplazar como
se muestra en la
fig.

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CIRCUITO DE POLARIZACIN
ESTABILIZADO EN EMISOR
La red de polarizacin de dc de la fig.
contiene un resistor en emisor para
mejora el nivel de estabilidad de la
configuracin en polarizacin fija.
Para el anlisis se examina
primeramente la malla base-emisor,
y la malla colector emisor.

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CIRCUITO DE POLARIZACIN
ESTABILIZADO EN EMISOR

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Malla base-emisor

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Malla colector-emisor
Utilizando la ley de voltaje de
Kirchhoff.

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Estabilidad de polarizacin
mejorada
El incorporar el resistor del emisor
para la polarizacin de dc ,
proporciona una mejora en la
estabilidad, es decir, la corriente y el
voltaje en polarizacin dc
permanecern cercanos a los niveles
establecidos por el circuito a pesar
de cambios en las condiciones
exteriores como la temperatura y la
betas del transistor.

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Nivel de saturacin
El nivel de saturacin del colector o
corriente mxima del colector, para un
diseo de polarizacin en emisor.
La incorporacin del resistor del emisor,
redujo el nivel de saturacin del colector
por debajo del que se obtuvo con una
configuracin de polarizacin fija que
utiliza el mismo resistor del colector

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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
En polarizacin previas, la corriente ICQ y el
voltaje VCEQ de polarizacin eran en funcin de
, pero como es sensible a la temperatura,
especialmente para los transistores de silicio, y
a que el valor real de beta normalmente no se
encuentra bien definido.
Se tiene un circuito que sea menos
dependiente de o mejor independiente de beta
del transistor
La sensibilidad a los cambios de beta es muy
pequea.
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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE

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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
Anlisis exacto

La red equivalente de Thvenin


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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
Calculando el voltaje
Thevenin
Al sustituir IE=(+1)IB y
resolver para IB tenemos:

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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
Anlisis aproximado
La resistencia Ri es la resistencia
equivalente entre la base y la tierra para
el transistor con un resistor en el emisor.
Ri=(+1)RE. Si Ri>>R2 la IB ser menor
que I2, I2I1
Si IB es cero entonces I1=I2 y R1 y R2 en
serie
Por divisor de voltaje
Considerando que

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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
La condicin que definir si el
enfoque aproximado puede aplicarse
ser:
Determinado el VB, el nivel de VE
ser:

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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
Dado que IEIC
En los clculos, beta no aparece y
que IB no fue calculada. El punto Q
(segn se determin por ICQ y
VCEQ)ser por lo tanto independiente
del valor de beta.
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POLARIZACION POR DIVISOR DE


VOLTAJE
Saturacin del transistor
La corriente de saturacin (donde VCE se
hace cero) ser:

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POLARIZACIN CON
RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE
Para obtener un mejor nivel de
estabilidad se introduce una
trayectoria de retroalimentacin
desde el colector a la base,
A pesar que el punto Q no es
completamente independiente de
beta, la sensibilidad ante cambios de
beta, temperatura, es menor que en
configuracin Fija, polarizacin en
emisor.

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POLARIZACIN CON
RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE

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POLARIZACIN CON
RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE
Malla base - emisor
IC=IC+IB donde ICIC
ICIC=IB e IEIC

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POLARIZACIN CON
RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE
Malla colector
emisor

Es igual al obtenido
para las
configuraciones de
polarizacin en emisor
y de divisor de voltaje.
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POLARIZACIN CON
RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE
Condiciones de saturacin
Si IC=IC, la corriente de saturacin ser:

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Diseo de un circuito de polarizacin con


un resistor de retroalimentacin en emisor

Consideremos el diseo de los


componentes en polarizacin de dc
que cuenta con estabilizacin por
resistor en emisor.
El voltaje de la fuente y el punto de
operacin fueron seleccionados de la
informacin del fabricante.

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Diseo de un circuito de
polarizacin con un resistor de
retroalimentacin en emisor

41

Diseo de un circuito de
polarizacin con un resistor de
retroalimentacin en emisor
El voltaje del emisor a tierra es
normalmente de cerca de una cuarta
parte a una dcima parte del voltaje
de alimentacin. Con una decima
parte nos permitir calcular la RE y RC
En el siguiente ejemplo efectuaremos
un diseo completo de la red.

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Diseo de un circuito con ganancia


de corriente estabilizada
(independiente de beta)
El circuito proporciona estabilizacin
ante cambios provocados tanto por
fugas de corriente como por
ganancia en sta
Se debe de obtener los valores de los
cuatro resistores mostrados para el
punto de operacin sealado.
Los pasos para el diseo se muestra
en el siguiente ejemplo
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Diseo de un circuito con ganancia de


corriente estabilizada (independiente de beta)

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Redes de conmutacin con


transistores
La utilizacin de los transistores no
se limita a amplificadores.
Mediante un diseo apropiado se
utiliza como interruptores

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Redes de conmutacin con


transistores
El punto de operacin alterna entre corte y
saturacin
Asumiremos que IC=ICE0=0mA cuando IB=0A
Adems VCE=VCEsat=0V
Cuando Vi = 5V el transistor estar
encendido, garantizar que la red esta
altamente saturada por un nivel de I B mayor
que el asociado con la curva de I B.
El la fig. IB>50A. El nivel de saturacin ser:
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Redes de conmutacin con


transistores
El nivel de IB en la regin activa justo
antes de que ocurra la saturacin
puede aproximarse:
Para el nivel de saturacin se debe
de satisfacer:

47

Redes de conmutacin con


transistores

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Redes de conmutacin con


transistores

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