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INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
Resistencia nula
Resistencia nula
DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales
semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el
resto del circuito.
Formacin de la unin PN
Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una
frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y
la otra de tipo N.
Polarizacin inversa
Tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P se retiran portadores
mayoritarios prximos a la unin. Aumenta la anchura de la zona de depleccin.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la
unin crea una corriente, aunque muy pequea.
Caracterstica tensin-corriente
La figura muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.
BIESTADO
Conduccin
Corte
Modelo
Condicin
La corriente:
Aproximacin de Shockley
DIODOS ZENER
Se aprovecha la tensin inversa de ruptura mediante el control de los niveles de
dopado. Se consiguen tensiones de ruptura de 2 200 Voltios y potencias
mximas de entre 0.5 W y 50 W.
El diodo zener se utiliza para trabajar en
la zona de ruptura, ya que mantiene
constante la tensin entre sus
terminales (tensin zener, VZ).
Estabilizacin de tensiones
Corriente mxima en inversa
Tensin Zener
Estado
Conduccin P.D.
Corte
Conduccin P.I.
Modelo
V=VON
I=0
V=VZ
Condicin
I>0
VZ<V<VON
I<0
Tecnologa Electrnica
Universidad de La Laguna
Tecnologa Electrnica
Universidad de La Laguna
VO = Vi -VON
Para Vi< 0 el diodo est en corte = no existe
corriente
Tecnologa Electrnica
Universidad de La Laguna
Funcionamiento en vaco
VD 0. El diodo nunca
conducir > C no descarga.
Tecnologa Electrnica
Universidad de La Laguna
Funcionamiento en carga
I de carga del Condensador (muy pequea).
Para vi entre 0<wt</2
I de la resistencia
Descarga de C a travs de RL
Circuito equivalente