Clasificacion de

amplificadores

EL AMPLIFICADOR DE POTENCIA
CLASE A.

Disipacion de potencia
clase A
Los transistores de salida (FET o bipolar)
disipan gran cantidad de potencia, la cual al
convertirse en calor eleva la temperatura
de la unin (Tj max). Esta temperatura nunca
debe exceder la mxima especificada por el
fabricante (Tj adm) para que el dispositivo no
sufra danos irreversibles. Para el silicio Tj adm
esta en el rango de 150C a 200C.
Tj max = TA max + ja PC max

donde ja representa la resistencia trmica de la unin al

ambiente trabajando sin emplear radiador y es un dato que
siempre da el fabricante. Este parmetro que depende del
tipo de encapsulado utilizado, da una idea de la capacidad
que tiene el dispositivo en transferir el calor generado en
su interior al ambiente y viene expresado en oC/W. En la
figura 6.8, se muestra una curva dada por el fabricante
donde se especifica la variacin de la disipacin de
potencia mxima permisible en dependencia del valor de la
temperatura ambiente (TA) cuando el transistor opera al
aire libre sin radiador (power-derating curve). A medida que
aumenta TA menor ser la PC adm permisible, de forma que
para TA = Tj max no se puede disipar ninguna potencia en el
transistor pues lo danaria.

Para mejorar la respuesta trmica del

dispositivo de potencia se le adiciona un
radiador, que no es mas que un medio
metlico que se emplea para facilitar la
transferencia de calor del envase al
ambiente. La resistencia trmica ja puede
expresarse como:
ja = jc + cs + sa

donde jc es la resistencia trmica de la

unin al envase (con radiador infinito), cs es
la resistencia trmica de la mica aislante
con grasa silicona (tpicamente 0.5 C/W) y
sa es la resistencia trmica del radiador. El
parmetro jc es un dato que da el
fabricante junto con la grfica mostrada en
la figura 6.9. Valores tpicos para un
transistor de 600mW encapsulado en TO-39
son: ja = 200 C/W y jc = 35 C/W.

AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE

B CON SIMETRIA COMPLEMENTARIA.

Una variante de amplificador de potencia que no

emplea transformador, es la de simetra
complementaria con transistores de salida similares
NPN y PNP. En la figura 6.10 se muestra esta etapa de
salida clase B con dos bateras. Esta integrada por un
par de transistores complementarios en configuracin
colector-comn, conectados de forma que ambos no
pueden conducir simultneamente. La ganancia de
voltaje de este paso es cercana a uno y su resistencia
de salida es muy baja, lo que permite un acoplamiento
adecuado con RL

En su operacin, cuando el voltaje de entrada V i

es cero, ambos transistores estn cortados y el
voltaje de salida Vo es cero. Cuando Vi sea positivo
y superior a V 0.5V, QN conduce y opera como
un seguidor de voltaje; en esta condicin V o sigue
a Vi y QN suministra la corriente a la carga. La
unin base-emisor de QP estar polarizada
inversamente por el VBEN 0.7V y QP estar en
corte. Si Vi se hace negativo por mas de 0.5V, Q P
conducir en configuracin seguidor de voltaje
suministrando la corriente a la carga mientras que
QN se cortara.

En conclusin, los transistores estn

polarizados en clase B con cero corriente de
reposo (ICQ = 0) y la etapa opera
dinmicamente en contrafase: QN suministra
corriente a la carga en el semiciclo positivo
con IEN = IL y QP recibe la corriente de la
carga durante el semiciclo negativo con IEP
= -IL.

En la figura 6.10 se muestran las lneas de cargas

esttica y dinmica en la caracterstica de salida
de QN con sus correspondientes pendientes (mlce =
y mlcd = -1/RL). Tambin se muestran las formas
de onda de la corriente pico de salida (IM) y del
voltaje pico de salida (VM) entregadas por cada
transistor.

Se debe destacar que para polarizacin

clase B existe un rango de valores de Vi
centrado alrededor de cero donde ambos
transistores estn cortados y el voltaje de
salida Vo es nulo, apareciendo la distorsin
de cruce por cero mostrada en la figura
6.11 para el caso de una seal de entrada
sinusoidal. El efecto de este tipo de
distorsin ser ms pronunciado a medida
que la amplitud de la seal sea menor.

Continuando con el anlisis de la etapa de salida

complementaria clase B y despreciando el efecto de la
distorsin cruzada, para calcular la eficiencia de
conversin de potencia se debe evaluar la potencia
promedio entregada por las dos bateras del circuito
(PCC). Con seal de entrada sinusoidal, la corriente
promedio entregada por cada batera en su
correspondiente semiciclo y P CC se calculan de:
IS = (1/ 2) IM sen wt d(wt) = IM/ = VM / RL
PCC = 2VCC(IM / )
La eficiencia de conversin de potencia de esta etapa
de salida clase B ser:
B = PL/PCC = 100(VMIM / 2) / (2VCC IM/ ) %

AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE A-B

CON SIMETRA COMPLEMENTARIA.