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n
La cermica porosa se prepar con polvo de carburo de silicio como el
agregado, resina de silicona como aglutinante y agente formador de poros por
el proceso de mezcla, moldeo por presin isosttica, y calcinacin.
Las propiedades mecnicas y microestructurales de las muestras se
caracterizaron con una mquina universal de pruebas, de difraccin de rayos X,
exploracin por microscopio electrnico, y de inyeccin de mercurio.
Hay dos factores principales, a presiones de moldeo y la relacin masa de
resina de silicona se han estudiado en los experimentos.
Soportes de catalizadores
Filtros de gas caliente o metal fundido
En reactores de membrana de alta temperatura
Materiales aislantes trmicos
Sensores de gas
Propiedades mecnicas
Las muestras con nombre SP0, SP2, SP4, SP6 y se prepararon utilizando una
relacin de masas de resina de silicona DC249TM y SiC, 0:100, 01:49, 01:24, y
03:47 respectivamente.
Las resistencias a la compresin de las muestras (Tabla 1) variaron de 14,3 MPa
a 19,4 MPa, y aumentaron con el aumento de presiones de moldeo, pero
disminuy con el aumento de la relacin masa de resina de silicona DC249TM /
SiC.
La resistencia a la compresin de las muestras (Tabla 1) vari de 14,3 MPa a
19,4 MPa, y se incrementaron con el aumento de las presiones de moldeo, pero
disminuyeron al aumentar la proporcin de la masa de resina de silicona
DC249TM / SiC.
Microestructuras
Las fases de las muestras SP2-80, SP4-80, y SP6-80 detectado por difraccin
de rayos X en las figuras 1-3 son -SiC (moissanita) y cuarzo.
El cambio de la relacin de masa de resina de silicona DC249TM / SiC no
caus influencia obvia en las fases de las muestras.
Las fases en nuestras muestras estn en conformidad con la dada por Dey et
al. Pero la fase de cuarzo no apareci, y la fase -SiC fue reemplazado por
4H-SiC y 6H-SiC informado por Bai et al. para una temperatura alta de
sinterizacin a 2250 C.
Conductividad trmica
Las conductividades trmicas de SP2, SP4, y SP6 son listados en la Tabla 1.
Las conductividades trmicas cambiaron de 0,65 Wm^-1K^-1 a 1,07 Wm^1K^-1.
Las conductividades trmicas aumentaron con el aumento de las presiones
de moldeo y la relacin masa de resina de silicona DC249TM / SiC.
El factor principal que influye en la conductividad trmica es la porosidad
de las muestras.
Conclusin
La Cermica porosa de SiC fue preparado con polvo de carburo de silicio
como el agregado, resina de silicona como aglutinante y agente formador
de poros por el proceso de mezcla, moldeo por presin isosttica, y
calcinacin.
Las resistencias a la compresin de las muestras eran entre 14,3 MPa y
19,4 MPa. Las porosidades alcanzaron hasta 30%, y dimetros de poro
variaron de 5,27 micras a 5,45 micras.
La conductividad trmica de 0,65 W m-1 K-1 cambiaron a 1,07 W m-1
K-1, y aument con el aumento de las presiones de moldeo y la relacin
masa de resina de silicona DC249TM / SiC.
Las conductividades trmicas, influenciados principalmente por las
porosidades, aumentaron de 0,68 W m-1 K-1 a 1,03 W m-1 K-1 con la
porosidad disminuyendo del 41,96% al 31,30%.