El diodo de unin

Dispositivos electrnicos

Smbolo y presentacin fsica de un

diodo

A = nodo
K = Ctodo

1N4148

Polarizacin
directa
A
K

Polarizacin
inversa
A
K

Cortocircuito

Circuito abierto

ID

VD

Caractersticas de los diodos reales

iD
Regin de
ruptura

Regin
inversa

vBRvZK

Regin directa

Izk

vTD

Voltaje grande

Voltaje pequeo

Corriente
pequea

Corriente
grande

vD
vTD = Umbral de
voltaje
I = Corriente inversa
zk

Vzk = Voltaje inverso

vBR= Voltaje de Ruptura

e( 1)

Ecuacin de Shockley
iD I s (e

Donde:

vD
nVT

1)

iD

= corriente que circula en el

v D diodo [A]
= tensin en el diodo [V]

= constante emprica

VT = voltaje trmico [V]

Is

= corriente de saturacin inversa

[A]

La ecuacin en correspondencia al funcionamiento del

diodo se puede interpretar de la siguiente forma:
La ecuacin se puede escribir as:

iD I s e

vD
nVT

Is

La polarizacin directa ocurre cuando la tensin

supera la tensin de VTD, llamada tensin de umbral o de
encendido del diodo. En los Diodos de Silicio esa tensin
es aproximadamente 0.7 V. En los de germanio 0.3 V.
La influencia de Is en la ecuacin de arriba, en este caso,
es decir, en polarizacin directa, es despreciable. El
estudiante puede ver que en condiciones normales
(n1.5 y VT=25.8 mV) y vD= 0.1V el error sera del 1%,
la ecuacin por tanto, se puede asumir como:

iD I s e

vD
nVT

La polarizacin inversa ocurre cuando la tensin es menor

a la tensin de umbral VTD.
La influencia de Is en la ecuacin de arriba, en este caso,
es decir, en polarizacin inversa, es preponderante. El
primer trmino de la ecuacin se puede anular, el
estudiante puede ver que en condiciones normales (n1.5
y VT=25.8 mV) y vD= -0.1V la importancia del primer
miembro sera casi nula, por tanto, la ecuacin de puede
iD I s
escribir as:

Determinacin experimental de las constantes

n e Iss de un diodo
Dado el siguiente circuito con polarizacin
directa:

En este caso se puede usar la ecuacin simplificada de

Shockley

iD I s e

vD
nVT

Para
Para obtener
obtener las
las constantes
constantes se
se pueden
pueden realizar
realizar los
los siguientes
siguientes pasos
pasos

Desarrollamos la ecuacin
simplificada de Shockley:

ln iD ln( I s e
ln iD

vD
nVT

vD
ln I s
nVT

vD
ln iD ln I s
nVT
ln

iD
v
D
I s nVT

iD
vD nVT ln
Is

Entonces, tomando dos datos

de tensin y corriente en el
circuito presentado lneas
arriba, se tiene:
iD1
i
vD1 nVT ln
vD2 nVT ln D 2
Is
Is

vD2 vD1 nVT ln

iD2

vD2 vD1

Is

nVT ln

iD1

nVT ln
ln
Is
Is

iD2

iD2

vD2 vD1 nVT ln

I
D
1

iD1
Is

Esa es la ecuacin que nos

permite el clculo de las
constantes de un determinado
diodo, veamos un ejemplo:

Reemplazando los datos, el valor

de n es:

Del experimento se han obtenido

los siguientes datos:
VD1=
ID1=

Y tomando cualquiera de las

ecuaciones de un datos, por
ejemplo el primero, se tiene:

VD2=

n=

vD1 nVT ln

ID2=

Se puede despejar n, suponiendo

la tensin VT=25.8mV.
Se tiene entonces:
v v

D2

D1

iD2

VT ln

I
D
1

iD1
Is

Despejando Is, se puede obtener su

valor reemplazando los datos:
Is =
De manera experimental hemos
obtenido el valor de n y de Is
para un diodo cualquiera.

Efectos de la temperatura en los diodos

La corriente de fuga incrementa con

la temperatura.

La razn del incremento es

aproximadamente 7.2%/oC.
Qu ocurre cuando se incrementa
10oC?

Por tanto se puede obtener

una ecuacin emprica que
muestre lo obtenido:

IS(Tf)=ISo2(Tf
iD

IS(T1)=ISo(1+0.072)
IS(T2)=ISo(1+0.072)2
IS(T3)=ISo(1+0.072)3
.
.
.

IS(T10)=ISo(1+0.072)102ISo

vBRvZK

Izk

vTD

To)/10

La tensin de encendido disminuye con la tempertura:

VTD(Tf)=VTD(To)+KTC(Tf-To)

Donde:
To =Temperatura de la unin a 25oC
Tf= Nueva temperatura
VTD(To)= Tensin de encendido (umbral) a T o
VTD(Tf)= Nueva tensin de umbral
KTC= Coeficiente de temperatura en V/ oC;

iD
Para el Si
KTC= -2mV/oC
Para el Ge
KTC= -2.5mV/oC
Para diodos Shottky
KTC= -1.5mV/oC

vTD

vD

Caractersticas de los diodos

Mtodo
reales grfico
i

+ VD A

VS

VS/RL

K
ID

RL

vBRvZK

Se puede obtener rpidamente

que:
VS=VD+IDRL y por tanto:
ID=VS/RL VD/RL;
que es la ecuacin de una recta
que se puede graficar junto a la
curva caracterstica del diodo

Q(VDQ,IDQ)

VDQ

vTD

IDQ

VS

vD

A esta recta se le llama

recta de carga y no
depende de la
caracterstica del
dispositivo sino de la
tensin de alimentacin
y la resistencia de
carga

Los mtodos de anlisis grfico se utilizan cuando existen

dispositivos no lineales como es el caso del diodo
La solucin (los valores de corriente y tensin en el diodo)
se encuentra en la interseccin de la curva con la recta de
carga.
A ese punto de le llama punto de trabajo y se denota por Q
(Quiescent).

 Mtodo

iterativo

Este
Este mtodo
mtodo es
es poco
poco prctico
prctico para
para encontrar
encontrar la
la solucin
solucin del
del circuito
circuito
planteado
anteriormente.
Puede,
sin
embargo,
ser
usado
planteado
anteriormente.
Puede,
sin
embargo,
ser
usado
computacionalmente.
computacionalmente.

Cada uno de los puntos a, b, c, d, e,

etc. Tienen un valor de corriente y de
tensin: (vDa, iDa), (vDb, iDb), etc.
La obvia intencin es encontrar el
punto Q. (El punto de interseccin)
Para esto se usa la ecuacin de la
recta y la de Shockley,
alternativamente.
Se empieza dando un valor arbitrario
de tensin en el punto a: vDa. Para
encontrar la corriente en este punto
usamos la ecuacin de Shockley. Con
vD
lo que el punto a est
completo ((vDa,

iDa),

iD I s e nVT

iD
VS/RL
b

c
f
e

VS

vD

Dado el punto a, se puede

completar el punto b con la
ecuacin de la recta de carga:
IDb=VS/RL VDa/RL

Completado el punto b,
encontramos el c con la
ecuacin de Shockley.
Sabemos que iDc=iDb,
entonces:
iDc

vDc vDa nVT ln

VS/RL
b

c
f
e

iDa

iD

Entonces las iteraciones

continan hasta llegar a un
valor razonablemente bueno
de Q. Normalmente no se

VS

vD

Mtodo de aproximacin
Supone la curva caracterstica de la siguiente manera:

ID

VTD

VD

Entonces la resolucin de la ecuacin se plantear como sigue:

ID=VS/RL VD/RL; dado que VD=VTD entonces la ecuacin se convierte,
directamente en:
ID=VS/RL VTD/RL
VTD=0.7 (Si) y VTD=0.3 (Ge)
Este es un mtodo sencillo y de uso generalizado.

Aproximaciones del diodo 1

Aproximacin 1
Diodo Ideal

La constante emprica, n, es un nmero que depende del

material y la construccin del diodo y puede variar con los
niveles de tensin y corriente. Sin embargo algunos diodos,
en un buen intervalo, funcionan con una n constante. Si
n=1, entonces el valor de nVT=26mV. Cuando n=2,
entonces toma el valor de 52mV. Para diodos de germanio
por los comn se considera n=1, para diodos de silicio, en
teora, debera ser 2, pero n est entre 1.3 y 1.6.

Volver a la ecuacin

VT es una constante llamada voltaje trmico, y

se denota por:

kTK
VT
q
Donde:
k = constante de Boltzmann = 1.3806 x 10-23 J/oK
q = carga del electrn = 1.6022 X 10-19 C
TK= temperatura absoluta en oK
A 25o C, la tensin VT es aproximadamente 25.8 mV
Volver a la ecuacin

VT es una constante llamada voltaje

trmico, y se denota por:
kTK
VT
q

Donde:
k = constante de Boltzmann = 1.3806 x 10-23 J/oK
q = carga del electrn = 1.6022 X 10-19 C
TK= temperatura absoluta en oK
A 25o C, la tensin VT es aproximadamente 25.8 mV

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