UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FAC. DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

NOTAS DEL CURSO DE
CIRCUITOS DIGITALES II

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

Profesor: Guillermo Tejada Muoz.

Fecha: setiembre 2014

Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada

Muoz

__________ DEFINICIONES ____________

Memoria semiconductora: Dispositivo LSI y VLSI que almacena gran cantidad de informacin en nmeros
binarios.
Celda de memoria: Dispositivo semiconductor o circuito elctrico utilizados para almacenar un slo bit
de informacin ( 0 1). Ejemplo: un FF, un capacitor.
Palabra de memoria: Son agrupaciones de 4 bits, 8 bits, 16 bits, etc.
Byte: es una palabra de 8 bits.
Capacidad de memoria: Nmero total de bits que es capaz de almacenar una memoria.
Ejemplos:.
Memoria de 1Kx32 (1024 palabras de 32 bits cada una), equivale a tener una capacidad de 1024 x 32
bits=32768 bits o celdas de memoria.
Memoria de 1Mbyte (1048526 palabras de 8 bits cada una), equivale a
tener una capacidad de = 8388208 bits o celdas de memoria.
Densidad: Nmero de bits almacenados por unidad de espacio.
Direccin: Nmero binario que identifica la ubicacin de
una palabra en la memoria.

Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz

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Tejada Muoz

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CMO CARGAR Y RETIRAR CARGA DE LA PUERTA FLOTANTE

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SRAM - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

CELDA SRAM

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CARACTERSTICAS MEMORIA SRAM

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SRAM 6116

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CICLO DE LECTURA SRAM

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CICLO DE ESCRITURA SRAM

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DRAM - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

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CELDA DRAM

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ORGANIZACIN INTERNA
DEL CHIP

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CICLO DE LECTURA DRAM

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CICLO DE ESCRITURA DRAM

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Memoria 64KB con pines de datos en paralelo

Memoria 64KB con pin de datos en serie

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EJEMPLO DE CONEXIN CON MEMORIA SERIE

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DDR: Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory

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EJERCICIOS
1. Describa, con esquemas del sustrato semiconductor, el proceso de almacenamiento y borrado de
datos en una celda de memoria: FAMOS, FLOTOX y FLASH.
2. De acuerdo a la figura 1: (a) Determine el rango de direcciones que el CPU necesita enviar para leer
toda la informacin del mdulo 2 de memoria. ( b ) Qu modificaciones hara en el circuito si se
adicionan dos mdulos? ( c ) Cuntas lneas de direccin se necesitarn si las memorias fueran de
1Gigax 8?

Fig. 1 Ejercicio 2
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3. Muestre cmo se puede organizar con mdulos de memorias de 16Kx4 una capacidad de 64Kx8.
4. Utilizando memorias y otros circuitos que considere necesarios, disee un circuito lgico que controle tres
display de 7 segmentos para que progresivamente aparezca letra por letra la palabra FIE y desaparezca del mismo
modo. La secuencia se muestra en la Fig. 2. Cuando se llega a la secuencia mostrada en (a6) se debe repetir
nuevamente las secuencias desde ( a1 ). Especificar el tamao y contenido de la(s) memoria(s).

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5. Cierta memoria tiene una capacidad de 1 Gigax32bits, responder: a) Cuntas palabras

puede almacenar?, b) Cul es el nmero de Bytes de cada Palabra?, b) Cul es el nmero de
lneas de direccin?, c) Cul es el nmero de lneas de datos?, d) Cuntas celdas posee?.
6. Encontrar las palabras que se tienen que grabar en la PROM que se muestra en la figura 3, si
se desea obtener por D2 y D5 la formas de ondas mostradas. Tambin encontrar el valor de T
de la seal del clock. (5 pts.)

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7. Disear un circuito combinacional con una memoria EEPROM. El circuito acepta un nmero
de 3 bits y genera un nmero binario igual al cuadrado del nmero introducido. Se pide realizar
la tabla lgica, enumerar los requerimientos de la memoria y dibujar el circuito.

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