Capitulo 1

INTRODUCCIN

1.1 Aplicaciones de la electrnica de potencia

La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de electrnica de
estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica, como controles
de temperatura, de iluminacin, de motores, fuentes de poder, sistemas de
impulsin de vehculos y sistemas de control directa en alto voltaje. En la electrnica
de potencia se combina la potencia, la electrnica y el control con las caractersticas
de estado estable y dinmicas de sistemas de lazo cerrado.
La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de
estado solido para le control y la conversin de la energa elctrica. En la siguiente
imagen se muestra la relacin entre electrnica de potencia, potencia, electrnica y
control

1.1 Historia de la electrnica de potencia

La historia de la electrnica de potencia inicia en 1900 con la introduccin del
rectificador de arco de mercurio. Despus se introdujo el rectificador de tanque
metlico. En 1950 se introdujo el tubo de vaco controlado por la rejilla, el ignitron, el
fanotron y el tiratron. La primera revolucin electrnica comenz en 1948, con la
invencin del transistor de silicio por bardeen, brattain y shockley. El siguiente
adelanto fue en 1956 con la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini
como tiristor, o rectificador controlado de silicio (SCT). La segunda revolucin
electrnica comenz en 1958, con el desarrollo del tiristor comercial, por general
eletectric company. Desde entonces se han introducido muchas clases distintas de
dispositivos semiconductores de potencia y de tcnicas de conversin. La revolucin
de la potencia ha adquirido impulso desde las postrimeras de la dcada de 1980 y a
principios 1990.

1.2 Dispositivos semiconductores de potencia

Los tiristores convencionales se haban usado exclusivamente para el control de
potencia en aplicaciones industriales. A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos
de dispositivos semiconductores de potencia, lo semiconductores de potencia se
clasifican por silicio o carburo como se muestra en la siguiente tabal. Sin embargo,
los dispositivos de carburo de silicio todava estn en desarrollo, y la mayor parte de
los dispositivos se fabrican con silicio. Estos dispositivos se pueden dividir en forma
general en tres clases.

a) diodos de potencia
b) transistores
c) tiristores

1.2.1 Diodos de potencia

Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Y son de tres tipos: de propsito
general, de alta velocidad o recuperacin rpida y de schottky.

1.

De estado general: se consiguen de hasta 6000V y 4500A

2.

De recuperacin rpida: se consigues de hasta 6000Vy 1100A, pero con un

tiempo de recuperacin entre 0.1 y 5 s, conmutan a alta velocidad

3.

Schottky: se consiguen de 100V a 300A, pero con un tiempo de recuperacin

y bajo voltaje de estado activo

.La corriente de fuga, o corriente de prdida. Aumenta al subir la capacidad de

voltaje,
La cada de voltaje directo de un diodo de potencia es muy pequea, en caso normal de
0.5 a 1.2. Si el voltaje de ctodo es mayor que el del nodo, se dice que el diodo esta en
modo de bloqueo.

1.2.2 Tiristores
Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo y una compuerta. Cuando hace
pasar una corriente por la terminal de la compuerta, hacia el ctodo, el tiristor
conduce siempre que la terminal de nodo tenga mayor potencia que el ctodo.

Existen 11 tipos de tiristores:

Tiristor conmutado
forzado
Tiristores conmutados
por lnea
Tiristor de abertura de
compuerta (GTO)
Tiristor de conduccin
inversa (RCT)
Tiristor de induccin
estatica (SITH)
Tiristor de abertura de
compuerta asistida

Rectificador fotoactivado
controlado de silicio
(LASCR)
Tiristor abierto por
emisor (ETO)
Tiristor conmutado por
compuerta integrada
(IGCT)
Tiristores controlados por
MOS (MCT)

1.2.3 Transistores de potencia

Los transistores dipolares tiene tres terminales: base. Emisor y colector. Mientras la
base de un transistor NPN este a mayor potencia que el emisor, y la corriente de la
base tenga el valor suficiente para activar el transistor en la regin de saturacin, el
transistor permanece cerrado, en caso normal funciona como un interruptor en
configuracin emisor comn. Mientras que los transistores bipolares de alta potencia
se suelen usar en convertidores de potencia con frecuencias menores que los 10 KHz y
se aplican bien en capacidades hasta de 1200V y 400A
Los transistores de potencia son de cuatro clases
MOSFET de potencia: se usan en convertidores de potencia y se consiguen con
capacidades relativamente bajas de potencia de 1000V y 100
IGBT: son transistores de potencia de voltaje controlado y son ms rpidos que los BJT,
pero no tan rpidos que los MOSFET y se consiguen con capacidades de 1700V y
2400A con una frecuencia de 20KHZ

SIT: es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia y son ms adecuados

para aplicaciones de gran potencia en alta frecuencia. Se consiguen de hasta
1200V a 300A con una frecuencia de 100KHZ
Los COOLMOS es una nueva tecnologa para los MOSFET de potencia con alto
voltaje, e implementa una estructura de compensacin en la regin vertical.
COOLMOS es capaz de manejar dos o tres veces ms potencia de salida en
comparacin con el MOSFET. La resistencia de un COOLMOS de 600V,47A es 70
m
En la siguiente imagen se muestra los intervalos
de potencia de semiconductores que se
consiguen en el mercado

1.3 Caractersticas de control de los dispositivos

de potencia
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden trabajar como
conmutadores, aplicando seales de control a la terminal de compuerta de
los tiristores a la base de los transistores bipolares. La salida necesaria se
obtiene haciendo variar el tiempo de conduccin de estos dispositivos de
conmutacin. En la siguiente tabla se muestra los voltajes de salida y las
caractersticas de control de los dispositivos conmutadores de potencia
En la siguiente imagen se muestra dos casos
de control de la compuerta en los tiristores

1.4 Caractersticas y especificaciones de los

interruptores
Hay muchas clases de dispositivos conmutadores de potencia, cada uno tiene sus ventajas y
desventajas, y se adecuado para aplicaciones especficas.
Las caractersticas ideales de un interruptor ideal con las siguientes:
1.

En el estado cerrado, debe tener

a) la capacidad de conducir una gran corriente directa I F

b) una cada de voltaje baje VON y una baja resistencia en estado cerrado R ON que cause una
baja perdida de potencia P ON
2.

En estado abierto, debe tener la capacidad de

a) resistir un voltaje alto, directo o inverso, V BR

b) una baja corriente de fuga IOFF,
c) y una gran resistencia en estado abierto R OFF. Una gran Roff causa baja perdida de potencia Poff.

Las caractersticas ideales de un interruptor ideal con las

siguientes
3. Durante el proceso de cerrado y abertura, debe ser instantnea, de modo que pueda
funcionar con altas frecuencias
a) tiempo de corte de demora td
b) tiempo corto de subida tr
c) tiempo corto de almacenamiento ts
d) tiempo corto de cada tf
4. Para el cerrado y la abertura debe necesitar
a) poca potencia de activacin de compuerta PG
b) un bajo voltaje de activacin de compuerta V G
c) una corriente pequea de activacin de compuerta I G

Las caractersticas ideales de un interruptor ideal con las

siguientes
5. debe tener dv/dt grande, que tienda a infinito debe ser capaz de manejar
cambios rpidos de voltaje a travs de l.
6. debe tener di/dt grande, que tienda a infinito debe ser capaz de manejar
cambios rpidos de voltaje a travs de l.
7. Requiere impedancia trmica muy pequea entre unin interna y temperatura
ambiente RJA. Que tienda a cero, para poder transmitir con facilidad calor
ambiente
8. Se necesita la capacidad de sostener corriente de falla durante largo tiempo,
debe tener un valor alto de i2t
9.Se requiere un coeficiente trmico negativo para la corriente conducida, para
obtener una divisin igual de corriente cuando los dispositivos se conectan en
paralelo.

1.4.2 Caractersticas de los dispositivos prcticos

Durante el proceso de cerrado y abertura, requiere un tiempo de demora (t d) un
tiempo de subida (tr), tiempo de almacenamiento (ts) y tiempo de bajada (tf) finitos. Al
aumentar la corriente isw por el dispositivo durante el cerrado. El voltaje v sw a travs
del mismo baja. Al bajar la corriente por el dispositivo durante la abertura o apagado,
aumenta el voltaje a travs del mismo. En la siguiente imagen se muestra algunas
formas caractersticas de onda de voltaje vsw y de corriente isw. El tiempo de cerrado
(tenc) de un dispositivo es la suma del tiempo de retardo y el tiempo de subida.
En la siguiente imagen se muestra
algunas formas caractersticas
de onda de voltaje

1.4.2 Caractersticas de los dispositivos prcticos

El
tiempo de abertura (tapag) de un dispositivo, es la suma del tiempo de almacenamiento y
del tiempo de bajada, un dispositivo prctico de interrupcin disipa algo de energa al
conducir y al conmutar. La prdida promedio de potencia en la conduccin, p ENC, se
determinacin:
En la que TS es el periodo de conduccin
P es la perdida instantnea de potencia, es decir el producto de la cada de voltaje V sw a
travs del interruptor y de la corriente conducida i sw Y las prdidas de potencia por
conmutacin (PSw), durante los periodos de cerrado y abertura se determina con:
Fs = 1/TS es la frecuencia de conmutacin, t r ts y tf son los tiempo de subida,
almacenamiento y bajada
La disipacin de potencia es un dispositivo de conmutacin se determina con:}

Donde PG es la potencia de activacin de la compuerta.

1.4.3 Especificaciones de interruptor

Las caractersticas de los dispositivos semiconductores prcticos con distintas de las
de los elementos ideales. Hay parmetros importantes; los ms importantes entre
ellos son
Capacidad de voltaje: voltaje pico repetitivos directo e inverso y cada de voltaje
directo en estado cerrado
Capacidades de corriente: corriente promedio, raz cuadrtica media (rms), de pico
repetitivo, de pico no repetitivo y de fuga en estado abierto.
Velocidad o frecuencia de interrupcin: transicin de un estado totalmente no
conductor hasta un estado cerrado, y de uno cerrado a uno abierto, so parmetros
muy importantes. El periodo Ts y la frecuencia fs de interrupcin se definen por:
En la que tapag es el tiempo durante el cual el interruptor permanece abierto

1.4.4 Opciones de dispositivo

Existen dispositivos semiconductores de potencia, pero ninguno de ellos son
ideales, para aplicaciones de alta potencia en la red de 50 a 60 Hz, los
tiristores de control de fase y los bidireccionales son las opciones ms
econmicas. Los COOLMOS y los IGBT con los reemplazos potenciales de
MOSFET y BJT en aplicaciones de potencia intermedias. Los GTO y los IGCT
son ms adecuados para aplicaciones de gran potencia.

1.5 tipos de circuitos electrnicos de potencia

El control o acondicionamiento de la potencia, es necesaria la conversin de
potencia elctrica de una a otra forma, los convertidores estticos de
potencia hacen esas funciones de conversiones de potencia. Los circuitos
electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos.
Rectificadores de diodos: un circuito rectificador de diodos convierte el
voltaje de ca en voltaje cd

Clasificacin de los circuitos electrnicos de

potencia
Convertidor de ca-cd: un convertidor monofsico con dos tiristores conmutados.
El voltaje promedio de salida V0 se puede controlar variando el tiempo de
conduccin de los tiristores.

Clasificacin de los circuitos electrnicos de

potencia
Convertidor de ca-ca: se usa pata obtener un voltaje variable de ca con una
fuente fija de ca. El voltaje de la salida se controla variando el tiempo de
conduccin de un TRIAC.

Clasificacin de los circuitos electrnicos de

potencia
Convertidor de cd-cd: o recortador de picos. El voltaje promedio de salida V o se
controla haciendo variar el tiempo de conduccin t del transistor

Clasificacin de los circuitos electrnicos de

potencia
Convertidores de cdca: o tambin inversor. El voltaje de salida se puede
controlar variando el tiempo de conduccin de los transistores.

Clasificacin de los circuitos electrnicos de

potencia
Interruptores estticos: se puede hacer trabajar como interruptores estticos o
contactores y se pueden alimentar de ca o cd. Y los dispositivos se llaman
interruptores estticos de ca o interruptores de cd.

1.6 Diseo de equipo de electrnica de potencia

El diseo de un equipo de electrnica de potencia se puede dividir en cuatro
partes.
1.

Diseo de los circuitos de potencia

2.

Proteccin de los dispositivos de potencia

3.

Determinacin de la estrategia de control

4.

Diseo de los circuitos lgicos y de compuerta

Se analizaran distintos tipos de circuitos electrnicos de potencia. En el

anlisis los dispositivos son interruptores ideales, a menos que nos diga lo
contrario, y se desprecia los efectos de inductancia parasita, las resistencias
del circuito y la inductancia de la fuente.

1.7 Determinacin del valor cuadrtico medio de

las formas de onda
Para
determinar con exactitud las prdidas por conduccin en un dispositivo, asi como las

capacidades de corriente de este u de los componentes, se deben conocer los valores rms de
las formas de onda de corriente .el valor rms de una forma de onda i(t) se puede calcular con:
Donde T es el periodo
Si se descompone una forma de onda en armnicas cuyo valores rms se puedan calcular en
forma individual, los valores rms se pueden aproximar, al combinar, los valores rms de las
armnicas. Esto se puede calcular con la ecuacin:
Donde Idc = la componente de cd.
Irms(1) e Irms(n) son los valores rms de los componentes fundamentales y de la n-esima armnica,
respectivamente.

En la siguiente imagen se muestra los valores de

rms de distintas onda

1.8 Efectos perifricos

Los convertidores de potencia se basan principalmente en la conmutacin de
dispositivos semiconductores de potencia, esos convertidores introducen
armnicas de corriente y voltaje en el sistema de suministro y en la salida de los
convertidores. Esas armnicas pueden causar problemas de distorsin del voltaje
de salida. En el caso normal es necesario instalar filtros a la entrada y salida del
sistema convertidor, para reducir el valor de las armnicas. Los convertidores
podran ser tanto de ca como de cd. Factores como distorsin armnica total
(THD), factor de desplazamiento (DF) y factor de potencia a la entrada (IPF). Los
convertidores de potencia pueden causar interferencia de radiofrecuencia,
debida a la radiacin electromagntica, y los circuitos de compuerta pueden
generar seales errneas. Estas interferencias se pueden evitar con blindaje a
tierra.

En la siguiente imagen se muestra un convertidor

de potencia

1.9 Mdulos de potencia

Con frecuencia, un convertidor de potencia requiere dos, cuatro o seis
dispositivos, dependiendo de su topologa. Los mdulos tienen la ventaja de
menos prdidas en estado cerrado, buenas caractersticas de conmutacin
de alto voltaje y corriente, y mayor velocidad que las de los dispositivos
convencionales.

1.10 Mdulos inteligentes

Los mdulos inteligentes o potencia astuta. Integran el mdulo de potencia y
el circuito perifrico, el circuito perifrico consisten en el seccionado de la
entrada o salida respecto a interconexiones con el sistema de seales de alto
voltaje, basado en un circuito de excitacin, un circuito de proteccin y de
diagnstico. La tecnologa de potencia astuta se puede considerar como una
caja que conecta la fuente de poder a cualquier carga. La interconexin de la
caja se realiza con circuitos lgicos de semiconductores de xido metal
complementarios de alta densidad (CMOS) su funcin de deteccin y
proteccin con circuitos bipolares analgicos y de deteccin, y su funcin de
control de potencia con dispositivos de potencia.

En la siguiente imagen se muestra el diagrama

funcional de bloques de un sistema de potencia
inteligente.