TRANSISTORES

JFET

CONSTRUCCIN

FUNCIONAMIENTO
(Controlado con VGS)

PARMETROS DE
IMPORTANCIA
Al igual que cualquier otro dispositivo, el transistor JFET tiene algunos
parmetros de suma importancia, estos son:

VGS

VDS

ID

VGS (off) = Voltaje de corte

VP = Voltaje de estrangulamiento

IDSS = Corriente de saturacin (mxima)

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VGS(off))

FUNCIONAMIENTO
(VGS(off) Curva de
transferencia)

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO
(Parmetro VP)

FUNCIONAMIENTO
(VP Curva de transferencia)

FUNCIONAMIENTO
(Curva de transferencia
completa)

VOLTAJE DE
ESTRANGULAMIENTO
(VP)
Como se habr podido notar, VDS inicialmente aumenta ms rpido que
la resistencia del canal, y por lo tanto la corriente de drenaje (I D)
aumenta.
Eventualmente, llegar un punto donde al incrementar el valor de V DS
estar a la misma proporcin que la resistencia del canal. El valor de
VDS en donde ocurre esto, se llama voltaje de estrangulamiento (V P).
En consecuencia, el valor de ID permanece constante, cuando VDS
incrementa ms all del valor de VP.

CORRIENTE DE
SATURACIN
(IDSS)
Cuando VGS = 0 V, las terminales de compuerta y fuente se encuentran
cortocircuitadas, y la corriente de drenaje alcanza su mximo valor, I DSS.
El valor de IDSS , en la hoja de especificaciones es medido bajo esta
condicin:
VGS = 0 V

VDS = VP

La corriente a travs del JFET no puede exceder el valor de IDSS.

VOLTAJE DE CORTE
(VGS(off))
Cuando VGS es ms negativo que 0 V:

El JFET pasa a un estado de apagado a un voltaje menor que su

voltaje de corte.

La corriente ID cae por debajo del valor de IDSS.

El valor de VGS que causa que ID caiga a un valor de aproximadamente

cero, se llama voltaje de corte (VGSS(off)).

RELACIN ENTRE VGS(off)

y VP
Los valores de Vp y VGS(off) son los mismos en magnitud pero con
polaridad opuesta. Por ejemplo, si un JFET tiene un valor de V GS(off) =
-12 V, entonces tendr un valor de VP = 12 V.
Debido a esto, slo el valor de VGS(off) es dado en la hoja de datos del
dispositivo.

POLARIZACIN DEL JFET

La unin compuerta-fuente del JFET nunca debe de polarizarse en

directa, porque el material de la compuerta para soportar
cantidades significativas de corriente.

Si se llegase a polarizar en directa la unin compuerta-fuente, la

corriente de compuerta podra destruir el componente.

POLARIZACIN DEL JFET

El JFET tiene la caracterstica de tener una alta impedancia en la

compuerta, en el orden de los M. Esta alta impedancia, hace que la
compuerta tenga una corriente muy pequea, lo que ayuda a que
los

circuitos

integrados

se

mantengan

relativamente

permitiendo ubicar ms elementos en un espacio reducido.

fros,

COMPONENTE DE
CONTROL

As como en el BJT, la corriente de colector era controlada por la

corriente de base. La corriente de drenaje del JFET es controlada por
el voltaje compuerta-fuente (VGS).

ID est dado por:

RESISTOR CONTROLADO
POR VOLTAJE

Cuando VDS < VP, se dice que el JFET opera en la regin hmica. Este
nombre recibe porque entre el drenaje y la fuente se forma una
resistencia que depende del voltaje VGS. As se obtiene la siguiente
ecuacin:

DIFERENCIAS ENTRE
JFET Y BJT

DIFERENCIAS ENTRE
JFET Y BJT

EJEMPLO

Determine:
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VD
e) VG
f) VS

EJEMPLO

REFERENCIAS
BIBLIOGRFICAS
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2009). Electrnica: Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos. Mxico, Mxico: PEARSON.
Paynter, R., & Boydell, T. (2009). Electronics Technology Fundamentals.
Upper Saddle River, New Jersey, United States: PEARSON.