El transistor Bipolar de

Puerta Aislada

EL IGBT DE POTENCIA

Insulated Gate Bipolar

INTRODUCCION:
Transistor (IGBT)
Durante muchos aos se ha buscado la forma de crear un
dispositivo que fuese lo sufrientemente veloz y que pudiese
manejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la
unin de un mosfet como dispositivo de disparo y un BJT de
dispositivo de potencia y de esta forma se lleg a la invencin
del IGBT el cual ser expuesto en el siguiente documento
Transistor IGBT. Componente electrnico diseado para
controlar principalmente altas potencias, en su diseo est
compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
Este dispositivo aparece en los aos 80
Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla
por tensin y no por corriente
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EL IGBT DE POTENCIA

QUE ES EL IGBT?
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar
transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se
alternan (PNPN) que son controlados por un metal-xidosemiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una accin
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n
vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye
con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea
vertical del transistor de unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de
puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control
y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las
del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un
IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y
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Colector (C).

EL IGBT DE POTENCIA

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido

que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una
compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el
MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la
figura. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe
el fenmeno de ruptura secundario como el BJT.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo
electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto
ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y
un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son
como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de
conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas
aplicaciones
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C
MOSFET

Bipolar

G
E

EL IGBT DE POTENCIA

SIMBOLOGIA:
Es un componente de tres terminales que se denominan
GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su
smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

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ESTRUCTURA Y
FUNCIONAMIENTO

EL IGBT DE POTENCIA

Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el
sustrato N

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COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado
inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje
aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT
enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el
voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA
corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en
el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D
debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal
S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es
aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso
de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente
de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as
por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud
del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es
muy baja.
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EL IGBT DE POTENCIA

EL IGBT DE POTENCIA

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje

VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al
estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo
que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los
50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS (TH) para el estado de
cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente
de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se
mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de
corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles
de potencia que exceden los 50 kW.

PROS

Entrada como MOS, Salida como BJT.

Velocidad intermedia (MOS-BJT).
Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V400Amp).
Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n- mas
ancha y menos dopada).
Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT
Tiristor parsito no deseado
Existen versiones canal n y canal p

CONTRA:
Presenta el efecto denominado Latch-Up

EL IGBT DE POTENCIA

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EL IGBT DE POTENCIA

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:

IDmax Limitada por efecto Latch-up.

VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito
sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla
durante
unos 5 a 10 us y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como ; es muy baja,
ser
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200,
1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).

La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se

esperan
valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o
600 Amp.
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EL IGBT DE POTENCIA

La tensin VDS apenas vara con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en

paralelo fcilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con
facilidad,
p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

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EL IGBT DE POTENCIA

APLICACIONES

El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se

aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la
conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los
Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos
acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso: Automvil, Tren, Metro,
Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico,
Televisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.
Algunas aplicaciones mas:

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EL IGBT DE POTENCIA

Control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida,

sistemas de soldadura, iluminacin de baja frecuencia y alta
potencia.
Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes,
metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los
electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de
diversos IGBT que controlan los motores elctricos.
generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren
circuitos de electrnica realmente potentes y con velocidades de
conmutacin de hasta 20 KHz.
Los IGBTs han estado en todo momento con nosotros y han sido
claves en el desarrollo de la electrnica de potencia.

Algunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los estn

utilizando para mejorar sus dispositivos o darles nuevas
capacidades. Un ejemplo de las ltimas aplicaciones es que
estos transistores ha permitido integrarlos en los telfonos
mviles para dotar a sus cmaras de un flash de xenon
realmente potente.
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EL IGBT DE POTENCIA

Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su

utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas
tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de
edificios o centrales de conmutacin telefnica. Incluso ya
existen algunos desfibriladores que incorporan IGBTs.
Ventajas del transistor IGBT
Se puede controlar su encendido como si fuera un MOSFET.
Cuando conduce sus perdidas son menores que un MOSFET,
se comporta
mas como un bipolar.
Es mas rpido que un bipolar BJT pero menos que un MOSFET.

Para mejorar la operacin se usan circuitos snubbers que

mejoran la
potencia disipada en los transistores IGTB pero no
necesariamente mejoran
la eficiencia del circuito completo.
En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y MOSFET.
Tiene alta impedancia de entrada, como los MOSFET y pocas
perdidas por
conduccin en estado activo, como los BJT.
Un IGBT es mas rpido que un BJT. Sin embargo, la velocidad

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EL IGBT DE POTENCIA

Los IGBT estn encontrando aplicaciones crecientes en

potencias intermedias , relevadores de estado solido, propulsor
de motor CD y contactores.
Los IGBT requieren cuidados especiales para parear sus
caractersticas, debido a las variaciones de los coeficientes de
temperatura con la corriente del colector.
El IGBT es un cruce, un hibrido entre los transistores
MOSFET y BJT o bipolares que aprovecha las bondades de
ambas tecnologas.

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EL IGBT DE POTENCIA

A continuacin se presentan algunas de las presentaciones ms comunes de un IGBT.

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Encapsulados de IGBT
Mdulos de potencia

EL IGBT DE POTENCIA

TO 220

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