SEMICONDUCTORES, UNIN PN, DIODOS

Conduccin Elctrica
La corriente elctrica es debida al arrastre de electrones en presencia de un campo E.

El flujo de corriente depende de:

La Intensidad del campo elctrico
Cantidad (concentracin) de electrones libres en el material
Movilidad de los electrones en ese material.

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Materiales Semiconductores
Materiales con una conductividad del orden de 101. Tienen gran cantidad de
portadores de carga libre, lo que posibilita la conduccin elctrica. Los principales son:
Simples (materiales del grupo IV):
Silicio (Si)
Germanio (Ge)
Compuestos:
Arseniuro de Galio (GaAs)
Enlaces covalentes

Segn las caractersticas principales, un clasificacin puede ser:

Conductores

Aislantes

Semiconductores

(.cm)

10-5

1010

101

n (cm-3)

1020

102

1010

Para romper uno de los enlaces covalentes hay que aplicar una energa de 0.7 eV (Si)
1.1 eV (Ge) > Energa de ionizacin.

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Semiconductores Intrnsecos
Tienen estructura cristalina. Existen el mismo nmero de portadores positivos
(huecos) que negativos (electrones). Es un semiconductor puro (sin impurezas, sin
dopado).
n > concentracin electrones
p > concentracin de huecos

n = p = ni
(concentracin intrnseca)

Su conductividad es debida a los electrones y a los huecos:

n q n p q p ni q ( n p )
En los semiconductores intrnsecos:

T ni

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Semiconductores extrnsecos
Se introducen en el material mediante un proceso de dopado impurezas donadoras
(tipo n, tomos del grupo V) o aceptoras (tipo p, tomos del grupo III).
Donadoras:

ND=ND++ e-

Tipo n

n = p + ND +
La conductividad viene ahora dada por:

Tipo n:

=nqn y Tipo p: =nqp

Aceptoras:

NA = NA- + h+

Tipo p

p = e + NA -

Aparecen las corrientes de difusin. Las partculas tienden a dispersarse desde

regiones de alta concentracin a regiones de baja.
Ocurre cuando no es
homognea la distribucin de
portadores en la pastilla
semoconductora.

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Se produce una difusin de portadores y un campo elctrico que se opone a esta

corriente de difusin. Cuantas ms cargas se difundan, mayor ser este campo hasta
que llegue un momento en el que se produce el equilibrio dinmico.
DIFUSIN = ARRASTRE

UNIN PN
Se puede considerar como un semiconductor con
distribucin no homognea de portadores.

ND(x)>0 zona n
ND(x)<0 zona p
ND(x)=0 unin metalrgica

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Corrientes de difusin
Son debidas al gradiente de concentracin en el dopado del semiconductor. Es un
fenmeno estadstico debido a la agitacin trmica y no a repulsin de cargas de distinto o
igual signo.
x=0

Jp

Esta corriente de difusin va desde el sector de mayor

concentracin al de menor. La densidad de corriente se
puede calcular por:

J p qD p

dp
dx

Donde Dp es la constante de difusin de huecos (m2/seg)

p(0)

p(x)

Relacin de Einstein: Tanto como D son fenmenos estadsticos y no son

independientes. Se relacionan por:
y:

Dp

Dn
VT
n

VT

KT
q

Donde VT es el potencial equivalente de temperatura, k es la constante de Bolzman y q la

carga del electrn. A T=300K (temperatura ambiente), VT=0.026 volts.

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Corriente total
Cuando existen simultneamente un gradiente de potencial y un gradiente de
concentracin en un semiconductor, aparecen la corriente de difusin y la de arrastre. Para
el caso de los huecos viene dada por:

J p q p pV qD p

dp
dx

J n q n nV qDn

dn
dx

Y para los electrones:

Ecuacin de continuidad
La concentracin de electrones y huecos es funcin del espacio y del tiempo.

p po p 1 J p

t
p
q x
Siendo igual para el caso de los electrones

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Inyeccin de carga de portadores minoritarios

Consideremos una barra de semiconductor que se dopa uniformemente con tomos donadores, de manera
que n=ND (la concentracin) es independiente de la posicin. Si, debido a una radiacin, se generan
portadores minoritarios (tipo p). Como varia la concentracin de estos en fucin de x.

p(x)

radiacin
Tipo n (n=ND)

p(0)

x=0

Se asume que Ip se debe por entero a la

difusin, mientras que en los e aparece la
corriente de desplazamiento. La longitud de
difusin de huecos es:

L p D p p
Siendo p el tiempo de vida media de los
huecos.

p' ( x) p ' (0)e

x / Lp

p ( x ) p0

p(x)

Po

p(x)=p(x)-p0 es la concentracin inyectada

La concentracin de minoritarios inyectados
(exceso de minoritarios)

p ' (0) Pno (e ( qV / KT ) 1)

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As pues, las corrientes quedan:

Corrientes de difusin
La corriente de difusin de huecos (minoritarios) es IP=AJP . Luego:

I p ( x)

AqD p p ' (0)

Lp

x / Lp

AqD p
Lp

p(0) p0 e x / L

Este resultado se emplea para hallar la corriente en un diodo semiconductor. Y se puede

demostrar que la corriente de difusin de electrones es:

I De AqDn

dn
dp Dn
AqDn

Ip
dx
dx D p

Corrientes de desplazamiento
Como la barra semiconductora se encuentra en circuito abierto, la corriente total debe ser 0.
Debe existir una corriente de mayoritarios (electrones):

Dn I p

0
I p I nd

D p

O sea que

I nd

Dn

1 I p
D

Con lo que la corriente de desplazamiento de los electrones tb disminuye exponencialmente

con la distancia x.

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Variacin de potencial
Se considera ahora el caso de una unin abrupta. La mitad de la barra es de tipo n
(concentracin ND) y la otra mitad de tipo p (NA). Como la densidad de carga cambia
bruscamente en la unin > dopado en escaln
Aparece un potencial entre
las dos secciones:

NOTA: En equilibrio
trmico

NA

np=n

2
i

Potencial de contacto V0

ND

V0 VT ln
Unin metalrgica

p p0
pn 0

Como pp0= concentracin de huecos en el equilibrio en el lado p y pn0 = concentracin de

huecos en el lado n. Y pn0 =ni2/ND

V0 VT ln

NAND
2
ni

p ' (0) Pno (e ( qV / KT ) 1)

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Unin p-n en circuito abierto

Inicialmente slo hay portadores tipo p en la
parte positiva de la unin y portadores tipo n
en la negativa. Debido al gradiente de
concentracin en la unin, los huecos se
difunden hacia la parte negativa y viceversa.
Aparece la zona de transicin o de carga
espacial.

Densidad de carga

Campo Elctrico

Potencial Elctrico

dx

V dx

El campo se opone a que siga habiendo

corriente de difusin

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La caracterstica esencial de la unin p-n es que permite con facilidad el paso de
cargas en un direccin y se opone en otra debido a esa barrera de potencial.

Polarizacin Inversa
La corriente es debida a las pocas partculas de tipo p del lado n y las negativas del lado p
(minoritarios). Es la corriente inversa de saturacin del diodo (I0).
La altura de la barrera de potencial aumenta.

Polarizacin Directa
P

Se reduce la barrera de potencial (se estrecha la zona de carga

espacial. Se incrementa la corriente de huecos desde el lado p al lado
n y electrones desde el lado n al p > corrientes de minoritarios de
inyeccin.

Las corrientes de desplazamiento o arrastre de minoritarios pueden despreciarse. O sea

que la corriente de minoritarios se debe a la difusin. Esta corriente decrece
exponencialmente al alejarnos de la unin.

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Componentes de corriente en un diodo p-n

I

V
p

Ipn(0)
Inp(x) = corriente de

Corriente total en el
diodo

Ipn(0)+Inp(0)

difusin de electrones

Ipn(x) = corriente de
difusin de huecos

Inp(0)
x=0

Y la corriente de difusin de minoritarios viene dada por:

I pn (0)

AqD p
Lp

p n ( 0) p n 0

Adems, pn(0) depende del potencial de la unin ya que el potencial

disminuye y van mas portadores a la unin.
Corriente total del diodo Ipn(0)+Inp(0)
Sustituyendo en la anterior:

pn (0) pn 0 eV / VT
I pn (0)

AqD p pno
Lp

(eV / VT 1)

I I 0(eV / VT 1)

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Dn 2

ni
L N

p D Ln N A

I 0 Aq

Dp

Corriente inversa de saturacin

Componentes de la corriente de mayoritarios

En cualquiera de las dos regiones del diodo la corriente total es constante varia
exponencialmente con la distancia a la unin. Por ello debe existir una corriente de
mayoritarios. En la regin tipo n:

I nn ( x) I I pn ( x)
Esta corriente de mayoritarios tiene una componente debida a difusin y otra al
desplazamiento.
Corriente total

Regin de transicin (0,5m)

Ipp, corriente huecos

Inp, corriente difusin electrones

Regin p

Inn, corriente electrones

Ipn, corriente difusin huecos

Regin n

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Caracterstica Tensin-corriente
La corriente I se relaciona con la tensin V mediante la expresin:
V / VT

I I 0 (e

1)

Donde:

T
VT
11.600

A temperatura ambiente, T=300K, VT= 0.026 = 26 mV. Para el Germanio =1 y para el

silicio =2.
I

I0
V

I0

0.1

VZ
Diodo Ideal

Diodo real