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ModelosdelDiodo

MODELOREALDELDIODO
nodo

Ctodo

(a)Smbolodelcircuito

Regin
deruptura
inversa

Reginde
polarizacin
inversa

Reginde
polarizacin
directa

(b)Curvacaractersticatensincorriente

MODELOREALDELDIODO

VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga
del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K).

Codo

0,6V

Curvacaractersticadetensincorrienteparaundiodotpicodesiliciodepequea
sealaunatemperaturade3000K.Tengaencuentaloscambiosdeescala.

Anlisisdelalneadecarga

Anlisisdelalneadecarga
PuntoB
Curvacaractersticadeldiodo
Puntodetrabajo

Lneadecarga

PuntoA

Elinterceptoxdelloadlineeselvoltajedecircuitoabiertoyelinterceptoyesla
corrientedecortocircuito.
ElquiescentpointorQpoint(puntodeoperacinDC)eslainterseccindela
caractersticaIVdeldiodoconelloadline.

Aproximacionesomodelosdeldiodo
1aproximacin:diodoideal
Enelmodelodeldiodoidealseequiparasteauncortocircuitooaun
circuitoabierto,segncmoestconectado.

Anlisisusandoelmodeloideal
Hacerunasuposicinrazonabledelestadodecada
diodo
Redibujarelcircuitosustituyendolosdiodosen
conduccinporcortocircuitosylosdiodosencortepor
uncircuitoabierto.
Medianteelanlisisdecircuitosdeterminarla
corrienteencadadiodoenconduccinyelvoltajeen
cadadiodoabierto.

Anlisisusandoelmodeloideal(2)
Comprobarlassuposicioneshechasparacadadiodo.Si
haycontradiccinunacorrientenegativaenundiodoen
conduccin,unvoltajepositivoenundiodoencorteen
cualquier lugar del circuito, entonces regresar al primer
pasoconunasuposicinmejorada.
Cuandonohaycontradicciones,lascorrientesy
valoresenelcircuitoseaproximanbastantealas
verdaderas.

Ejemplomtododeestados
asumidos

Aproximacinlineal(2)
Se considera que el diodo conduce sin resistencia
porencimadelatensinumbral,ynoconducepor
debajodelamisma.Estoequivaleaconsiderarun
diodo como un interruptor o un diodo ideal en
serieconunafuentedevoltajeDC.

VU=0.3VparaeldiododeGe
VU=0.7VparaeldeSi.

VU
V0=6V

R=1k
I

V0=6V

R=1k
I

VU=0.7V

V0 VU 6 0.7

5.3 mA
R
1k

Aproximacinlineal(3)
La3aproximacinesun
diodoidealconuna
resistenciaenserieyuna
fuentedetensin.
(mA)
I I(mA)

0,15
0,15

V=Vu+IRd
Rd=V/I

0,05
0,05

IIoo
-0,05
-0,05

V
0,2

0,4

0,6

Vu

0,8

VV (V)
(V)

Modelodeldiodoparapequeaseal(confuentededc
yac)
Dosmodelos:
Degranseal(CD)
Depequeaseal(AC)
Modelodegranseal:
Enunpuntodeoperacin
especfico
puntodeoperacinQ
Modelodepequeaseal
Pequeavariacinalrededor
deunpuntodeoperacin
Considerasloelefectode
fuentesdeCA
Aplicacionesdemodelode
pequeaseal
AnlisisdeCA,respuestade
frecuencia

Tresmodelosdediodo
ID

Diodoideal
(1aproximacin)
VD
ID

VU

Modelosimplificado
(2aproximacin)
VD

VU

ID
VU

RD

RD

Modelolineal
(3aproximacin)
VU

VD

Diodoideal0,7V
Vmsen(t)

(a)Diagramadelcircuito

Diodo
real
(b)Tensindelafuente
(c)Tensindelacarga
enfuncindeltiempoenfuncindeltiempo

Figura3.11.Rectificadordemediaondaconcargaresistiva.

(a)PuertaOR

(b)PuertaAND

Figura3.23.Puertaslgicascondiodos.

PuntoQ

Figura3.31.Curvacaractersticadeldiodo,mostrandoelpuntoQ.

Figura3.32.Corrientesdelosdiodos.

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