C A P T U LO

1.
FSICA
S E M I C O N D U C TOR E S

DE

LOS

Historia:
1782: Alexander Volta introdujo el nombre de semiconductores para denominar una
categora de materiales de resistividad intermedia entre los conductores y los aislantes
1873: Willoughby Smith descubre que el selenio aumenta su conductividad al ser
iluminado
1906: Greenleaf Pickart descubre que el silicio, la galena i otros cristales se pueden
usar como detectores de ondas de radio presionando sobre ellos un hilo metlico

1938: Walter Schottky publica la teora del diodo metal-semiconductor

1942: El norteamericano de origen austraco Karl Lark-Horovitz consigue obtener
cristales de germanio de alta pureza y calidad.

CONCEPTOS BSICOS DE LA FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Semiconductores: elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un
buen conductor y la de un aislante
los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases:
un solo cristal (un solo material)
germanio (Ge)
silicio (Si)
Tienen una estructura cristalina repetitiva
compuesto (dos o mas materiales)
arseniuro de galio (GaAs)
sulfuro de cadmio (CdS)
nitruro de galio (GaN)
fosfuro de galio
arsnico (GaAsP) se
Se componen de dos o ms materiales semiconductores de diferentes
estructuras atmicas

Los tres semiconductores ms frecuentemente utilizados en la

construccin de dispositivos electrnicos son Ge, Si y GaAs.
Afectacin de las caractersticas elctricas del material que
componen los semiconductores
Se utilizan modelos de Bohr:
Para el Ge hay 32 electrones en rbita y para el Si 14 electrones en varias
rbitas, pero solo 4 electrones estn en la rbita exterior (valencia) siendo el
potencial de ionizacin menor para mover estos electrones en la estructura.

El galio 31 y
el arsnico
33

En un cristal puro estos electrones de valencia estn unidos a cuatro tomos

adjuntos denominndose esta unin covalente.

Material intrnseco: El trmino intrnseco se aplica a cualquier material

semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el
nmero de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo ms puro posible
que se pueda fabricar utilizando tecnologa actual
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

MODELO DE BOHR Y BANDAS DE ENERGA

Dentro de la estructura atmica de cada tomo aislado hay niveles
especficos de energa asociados con cada capa y electrn en rbita
Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor es su estado
de energa y cualquier electrn que haya abandonado a su tomo
padre tiene un estado de energa mayor que todo electrn que
permanezca en la estructura atmica.

El modelo atmico de Bohr

establece que cada electrn gira
entorno al ncleo del tomo con un
nivel de energa determinado. Si un
electrn pasa de un nivel de
energa a otro se irradia o absorve
un fotn.

NIVELES DE ENERGA : Mientras ms distante se

encuentre el electrn del ncleo mayor es el estado de
energa, y cualquier electrn que haya dejado su tomo,
tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn
en la estructura atmica.

Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda
prohibida
Eg > 5 eV

Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41
eV

Banda de conduccin
Banda de valencia

Banda de valencia
Banda de valencia

Aislante

Semiconducto
r

Conductor

La energa asociada a cada electrn se mide en electron volts (eV). Se

calcula como [medido en eV]
donde: 1 eV J

MATERIALES EXTRNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado
(contaminado adicionar impurezas) se conoce como material extrnseco
Hay dos materiales extrnsecos tipo n y tipo p
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio.
Material tipo n: Un material tipo n se crea introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el
antimonio, el arsnico y el fsforo

Existe, un quinto electrn adicional

debido al tomo de impureza, el cual
no est asociado con cualquier
enlace covalente particular. Este
electrn
restante,
enlazado
de
manera poco firme a su tomo padre
(antimonio), est en libre para
moverse dentro del material tipo n
recin formado, puesto que el tomo
de impureza insertado ha donado un
electrn relativamente libre a la
estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se
conocen como tomos donadores.

Material tipo p: El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o

silicio puro con tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia.
Los elementos ms utilizados para este propsito son boro, galio e indio. El
efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio

el
nmero
de
electrones
es
insuficiente para completar las
bandas covalentes de la estructura
recin formada.
el vaco resultante se llama hueco y
se denota con un pequeo crculo o
un signo ms, para indicar la
ausencia de una carga positiva. Por
lo tanto, el vaco resultante aceptar
con facilidad un electrn libre:
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se
llaman tomos aceptores.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para
romper su enlace covalente y llenar el vaco creado por un hueco,
entonces se crear un vaco o hueco en la banda covalente que
cedi el electrn.
Existe, por consiguiente, una transferencia de huecos hacia la
izquierda y de electrones hacia la derecha

En un material tipo n el electrn se llama portador mayoritario y el hueco

portador minoritario.
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y
el electrn el minoritario.

LA UNIN P - N
En el material semiconductor la conductividad est controlada por la
concentracin de impurezas. Al unir un material tipo p con uno tipo n se
forma una unin en la que se crea una regin denominada de
agotamiento.
Esta regin se forma debido a que
huecos y electrones se combinan dando
como resultado una falta de portadores
mayoritarios en la regin cercana a la
unin.
El elemento as formado se denomina
DIODO SEMICONDUCTOR
Cuando este dispositivo se conecta a un circuito externo se puede hacer
variar la diferencia de potencial en la regin de agotamiento

El voltaje en la unin depender del tipo de polarizacin que se presente

al conectar el dispositivo al circuito externo.
La aplicacin del voltaje en los terminales del dispositivo permite tres
posibilidades:
-

Sin Polarizacin
Polarizacin Inversa
Polarizacin Directa

El tipo de polarizacin define el funcionamiento del diodo. Por ejemplo la

polarizacin directa permite al diodo trabajar como un DIODO
RECTIFICADOR

SIN POLARIZACIN APLICADA

Cerca de la unin los portadores minoritarios del material tipo n pasarn
al material tipo p, y viceversa los portadores minoritarios del material tipo
p pasarn al material tipo n.
Los portadores mayoritarios del material
tipo n deben sobrepasar la regin de
agotamiento si desean establecer un
flujo de portadores hacia la regin del
material tipo p.
Algo semejante ocurre con los portadores mayoritarios en el material tipo
p. Esto puede llevar a una cancelacin de flujo de portadores en el
dispositivo semiconductor y la corriente para ser cero.
En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de
la carga en cualquier direccin para
un diodo semiconductor es cero

POLARIZACIN INVERSA
Al conectar una fuente externa de voltaje
el nmero de iones positivos aumenta
en la regin tipo n y el de iones
negativos en la regin tipo p. El
resultado es un ensanchamiento de la
zona de agotamiento.
Este fenmeno hace que sea ms difcil el flujo de portadores de uno a
otro tipo de material, y por lo tanto establecer un flujo de corriente es ms
difcil, pero el nmero de portadores minoritarios no cambia hacia la
regin de agotamiento.
A esta corriente que existe bajo las condiciones de
polarizacin inversa se le denomina corriente de
saturacin inversa .
tiene valores de los micro y nanoamperios y alcanza
su mximo nivel rpidamente pero no cambia
significativamente con el incremento del voltaje.

POLARIZACIN DIRECTA
La condicin de polarizacin en directa o
encendido se establece aplicando el
potencial positivo al material tipo p y el
potencial negativo al tipo n

La polarizacin directa hace que los iones positivos y

negativos se recombinen en la regin de agotamiento,
teniendo como consecuencia la reduccin de la zona.
Mientras mayor es el voltaje menor ser el ancho de la
zona lo que conlleva a que los portadores mayoritarios
del material tipo n puedan viajar con mayor facilidad al
material tipo p.

CARACTERSTICAS V - I
La caracterstica del diodo se puede definir mediante las
ecuacines:

EJEMPLO A una temperatura de 27C (temperatura comn para

componentes en un sistema de operacin cerrado), determine el
voltaje trmico VT.

CARACTERSTICAS DE VOLTAJE Y CORRIENTE

DIODO SEMICONDUCTOR

Analizando la grfica se
puede
observar
la
caracterstica exponencial
creciente que tiene la
corriente y su tendencia
lineal a cumplir la ley de
Ohm.
Para
el
valor
comercial la curva se
encuentra desplazada unas
dcimas a la derecha esto
debido principalmente a la
resistencia
interna
del
dispositivo y la resistencia
externa del contacto.

REGION ZENER: La aplicacin de un voltaje negativo mayor dar

como resultado un cambio drstico en las caractersticas de la curva.

El voltaje de Zener es aquel que produce

un cambio drstico en la corriente
haciendo
que
esta
crezca
muy
rpidamente.

El aumento de portadores en genera la corriente de avalancha en la

regin Zener. Los diodos que aprovechan estas caractersticas se
denomina Diodos Zener.

El mximo potencial de polarizacin inversa que se puede aplicar antes

de entrar a la regin Zener se denomina voltaje pico inverso (PIV de las
iniciales Peak Inverse Voltage o PRV de las iniciales Peak Reverse
Voltage).
PIV silicio cerca a 1000 V
PIV germanio cerca a 400 V

Para los diodos de Si y Ge las

caractersticas pueden variar.

VD 0,7V Si
VD 0,3V Ge

EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Las caractersticas del diodo tambin dependen de la temperatura.
La corriente de saturacin
inversa Is ser casi igual al doble
en magnitud por cada 10C de
incremento en la temperatura.
El silicio puede utilizarse para aplicaciones
en las cuales la temperatura puede aumentar a
cerca de 200 grados C. Mientras que el
germanio tiene un valor mximo mucho
menor (100 grados C.)

RESISTENCIA EN DC O ESTTICA
La resistencia en DC o esttica de un diodo se puede calcular de la curva
caracterstica para un determinado punto de operacin.

RD

VD
ID

Si se aprecia la curva caracterstica

se puede concluir que para valores
de voltaje pequeos la resistencia del
diodo es pequea, mientras que para
voltajes negativos la resistencia
puede ser muy grande.
Ejemplo: Determine los niveles de resistencia DC para un diodo, con (a) ,
(b) y (c) .

RESISTENCIA EN AC O DINMICA
MTODO GRFICO

La resistencia AC o dinmica se obtiene

considerando que el punto de operacin Q ya no
se encuentra fijo, Q se desplaza y para calcular
la resistencia se puede aplicar:

rd

VD
I D

Mientras mayor es la pendiente menor

es el voltaje para una determinada
corriente y menor ser la resistencia. La
resistencia AC es alta en niveles bajos
de corriente.
Ejemplo: Determine los niveles de
resistencia ac para un diodo, con (a) , (b)
y (c) Comparar los resultados con los
obtenidos en el clculo de la resistencia
dc.

rdV

Vd
I d

punto por punto

Mtodo diferencial
El clculo anterior es un mtodo aproximado pero la pendiente de la
lnea tangente (en dicho punto) buscada se puede determinar usando la
derivada de la ecuacin caracterstica.

d
d KVD Tk
I D I s e
1
dVD
dV

dI D
k
ID Is
dVD Tk
dI D
38,93I D
dVD

Con los valores de:

rd

26 mV
ID

Ge
Si
n 1
K 11,600
Tk TC 273 25 273 298
Is 0

Si se consideran la resistencia interna del elemento (resistencia del

cuerpo) y de los terminales de contacto (resistencia de contacto), la
ecuacin real de la resistencia de un diodo es:

r 'd rd RB

RESISTENCIA EN AC PROMEDIO (SIN PUNTO DE CARGA)

Se considera esta resistencia cuando la
seal de entrada es grande y es la
determinada por una lnea recta dibujada
por los valores mximos y mnimos del
voltaje de entrada.

rdV

Vd
I d

punto por punto

Disipacin de potencia
suele presentarlos el fabricante de dos maneras
1. El voltaje directo (a una corriente y temperatura especificadas)
2. La comente directa mxima (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturacin inversa (a una corriente y temperatura
especificadas)
4. El valor de voltaje inverso PIV o PRV
5. El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en
particular
6. Los niveles de capacitancia
7. El tiempo de recuperaci6n inverso
8. El rango de temperatura de operacin
=
donde , son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de
operacin en particular.

=0,7
=0,3
CAPACITANCIA DE TRANSICION Y DIFUSION

Los dispositivos electrnicos son sensibles a las frecuencias muy altas.

Casi todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a
bajas frecuencias, debido a que su reactancia:
Xc en bajas frecuencias
Xc en altas frecuencias

En el diodo semiconductor tipo p-n existen dos efectos de capacitancia

que deben considerarse. Ambos tipos de capacitancia se encuentran
presentes en las regiones de polarizacin directa y polarizacin inversa,
pero una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada regin solo se
consideran los efectos de una sola capacitancia

En la regin de polarizacin inversa: capacitancia de la regin de transicin o de

agotamiento ()
en la regin de polarizacin directa se tiene la capacitancia de difusin o de
almacenamiento (

Capacitancia
de
un
condensador
de
placas
paralelas esta definida por
C
=
permitividad
dielctrico

del

A=rea de las placas del

condensador
d= distancia entre las placas

(altas potencias)

NOTACIN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES

DIODOS ZENER
El diodo Zener es un diodo construido para que funcione en zonas de rupturas,
recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener.
El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin (estabilizador,
mantiene el voltaje constante en sus terminales)
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado
inversamente
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre
se utiliza polarizado inversamente

La ubicacin de la regin Zener se controla variando los niveles de

dopado.

Un incremento del dopado que aumenta la cantidad de impurezas

agregadas reducir el potencial Zener.
Estn disponibles diodos Zener con potenciales de 1.8 V a 200 V y
coeficientes de potencia de 1/4 W a 50 W.
Por sus excelentes capacidades de corriente y temperatura, el silicio
es el material preferido en la fabricacin de diodos Zener

Caractersticas principales de los diodos Zener

son diodos que estn diseados para mantener un voltaje constante
en su terminales, llamado Voltaje o Tensin Zener (Vz) cuando se
polarizan inversamente, es decir cuando est el ctodo con una
tensin positiva y el nodo negativa
Cuando se polariza inversamente hasta llegar al Vz el diodo conduce
y mantiene la tensin Vz aunque sta siga aumentando. La corriente
que pasa por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente
inversa (Iz).
Es un estabilizador de voltaje
Cuando est polarizado directamente el diodo zener se comporta
como un diodo normal de rectificacin

Mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin zener, el diodo no

conduce
Se logra tener la tensin constante Vz, cuando est conectado a una
tensin igual a Vz o mayor.

Diodos especiales: Varactor, Schottky, Tunel, LED, fotodiodo

Diodos Varactor
Conocidos como varicap, (manejan VVC, capacitancia variable dependiente del voltaje) Su modo
de operacin depende de la capacitancia que haya en la unin p-n cuando se polariza de manera
inversa.

Se emplea
una
red
sintonizacin

en
de

Diodo Tnel
El diodo tnel (polarizacin directa) se fabrica dopando los materiales semiconductores que
formarn la unin p-n a un nivel de 100 a varios miles de veces el de un diodo semiconductor
tpico
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la corriente empieza
a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto
despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al
punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente
continuar aumentando conforme aumenta la tensin.
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de
fuga muy grande cuando estn polarizados en inversa.

aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia

Fotodiodos
El fotodiodo (funcionamiento en funcin de luz) es un dispositivo de unin p-n semiconductor
cuya regin de operacin se limita a la regin de polarizacin en inversa.

fotodiodo
se
emplea en sistemas
de alarmas, como
sensores

Diodo LED
El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor que emite
luz de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin p-n en la cual circula por
l una corriente elctrica

Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio.

Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en
las regiones P y N, respectivamente.
Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los portadores de carga
(electrones y huecos).
El diodo LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la
gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los
diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros diodos LEDs.

Diodo Schottky
Llamado diodo de barrera Schottky, en honor del fsico alemn Walter H. Schottky. Estos
diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje cuando
estn polarizados en directo (0.25 a 0.4 voltios)
El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal

Se aplican en circuitos de alta velocidad como en computadoras

En estas aplicaciones se necesitan grandes velocidades de
conmutacin y su poca cada de voltaje en directo causa poco gasto
de energa