MABLES

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R
G
O
R
P
M
O
R
S
MEMORIA

QUE SON LAS MEMORIAS ROM

PROGRAMABLES
Las memorias ROM programables o PROM (es el acrnimo en ingls de
programmable read-only memory, que significa memoria de solo lectura
programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende
del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la
memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola
vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas
memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades
menores a las ROM, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos
los casos.

ESTRUCTURA FAMOS

La estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS), es un

transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada totalmente por dixido
de silicio. Para grabar la memoria, el drenador se polariza para alcanzar
tensin de avalancha y los electrones de avalancha se inyectan en el
xido. Esta carga modifica la tensin umbral del transistor.

ESTRUCTURA MIOS

La estructura MIOS (Metal-Insulator-SiO2-Si) es un transistor MOS con

dos capas de dielctricos distintos en la puerta. La clase ms popular
es la MNOS (Metal-Nitruro de silicio-Oxido de silicio-Silicio). Los
electrones cruzan el SiO2 por efecto tnel y la capa de nitruro por
emisin de Frankel-Poole. Los MIOS se pueden borrar elctricamente, y
son la base de las memorias EAROM (Electrically alterable ROM)

ESTRUCTURA SAMOS

La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) proviene

de la FAMOS, aadindole una segunda puerta. Esta segunda puerta,
adems de permitir el borrado elctrico, facilita la escritura. Esta
estructura es la base de las memorias EEPROM

APLICACIONES DE LAS PROM

PROM han venido utilizndose como generadores de funciones,

normalmente en conjuncin con un multiplexor.
A veces se preferan a las ROM porque son bipolares, constaban de
diodos habitualmente Schottky, consiguiendo mayores velocidades.

PROGRAMACIN

Una PROM comn se encuentra con todos los bits en 1 como valor por
defecto del fbricante; el quemado de cada fusible, cambia el valor del
correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de
altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a
21 voltios). El trmino read-only (solo lectura) se refiere a que, a
diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al
menos por el usuario final).

EPROM

Las EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory

(ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no
voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel . Est formada
por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los
cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 1 (por eso,
una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).

EEPROM
las EEPROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo
de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada
elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante
un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no voltiles. Las
celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor
MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado
normal est cortado y la salida proporciona un 1 lgico. Aunque una
EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser
borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces. Estos
dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y
Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como
microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.

GRACIAS POR SU ATENCIN