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MOVIMIENTO ATMICO
Y
DIFUSION
Gases
Difusin
Lquidos
Slidos
Difusin en slidos
El fenmeno de difusin se puede demostrar mediante el par difusor
formado por la unin de dos metales puestos en contacto (Cu-Ni).
Autodifusin
En los materiales puros, los
tomos se mueven o saltan de
una posicin a otra en la red
(se detecta mediante
trazadores radioactivos).
La autodifusin ocurre de
manera continua en todos los
materiales
No se aprecia su efecto sobre
el comportamiento del material
Mecanismos de difusin
Mecanismos de difusin:
(A) Difusin por vacancia
o por sustitucin de
tomos
(B) Difusin intersticial
(C) Difusin intersticial
desajustada
(D) Difusin por
intercambio y anillo.
Difusin intersticial
Q
D D 0 exp
RT
Donde:
Q : energa de activacin (cal/mol)
R : constante del gas ideal (1.987 cal/mol K)
T : temperatura absoluta (K).
Do : constante para un sistema de difusin dado.
Temperatura
Estructura cristalina del disolvente; C en Fe
BCC o FCC (factor de empaquetamiento 0,68 o
0,74)
Tipo de defectos cristalinos (bordes de grano,
vacancias)
Concentracin de las especies que difunden
Coeficiente de
difusin D en
funcin de la inversa
de la temperatura
de diversos metales
2 ley de Fick
Universidad de Atacama Departamento de Metalurgia
La solucin ser:
Cs C x , t
erf
Cs Co
2 Dt
elemento en el slido
Cx : concentracin del elemento a la distancia
x de la superficie en el tiempo t
x : distancia desde la superficie
D : coeficiente de difusin
t : tiempo
Dislocaciones
Bordes de grano
Superficies libres
Crecimiento de grano
Pasos en la soldadura por difusin (a) unin del material a soldar (b)
aplicacin de presin para deformar la superficie (c) difusin en
bordes de grano (d) la eliminacin de huecos requiere difusin
volumtrica.
Ejercicios:
1) Una forma de fabricar transistores, dispositivos que amplifican las
seales elctricas, es la de difundir tomos como impurezas en un
material semiconductor como el silicio. Supngase una oblea de silicio de
0,1 cm. de espesor, que contienen originalmente un tomo de fsforo por
cada 10.000.000 de tomos de Si, es tratada de manera de aumentar a
400 tomos de P por cada 10.000.000 de tomos de Si en la superficie.
Calcular el gradiente de concentracin
a) En porcentaje atmico por centmetro
b) En tomos/cm3 - cm
El parmetro de red del silicio es 5.4307 A y su estructura es cbica de
diamante con 8 tomos equivalentes.
Ejercicio
a) Determinar el tiempo necesario para alcanzar una concentracin de
0,3% de carbono a 4 mm de la superficie de una aleacin hierrocarbono que inicialmente contena 0,1% C. La concentracin en la
superficie se mantiene a 0,9 %C y la probeta se calienta a 1000 C
b) El nitrgeno difunde en hierro puro a 675 C. Si la concentracin
superficial se mantiene a 0,2% N en peso cul ser la concentracin
a 2 mm de la superficie despus de 25 h?
c) Los coeficientes de difusin del cobre en el aluminio a 500 y a 600 C
son 4,8 x 10-14 y 5,3 x 10-13 m2/s, respectivamente. Determinar el
tiempo aproximado necesario para conseguir, a 500 C, la misma
difusin del Cu en Al en un punto determinado, que un tratamiento de
10 h a 600 C
Universidad de Atacama Departamento de Metalurgia