Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao

Engenharia da Computao

ELT303 Eletrnica Analgica I

Diodos Especiais
(LED, Varicap, Schottky, Fotodiodo e Zener)

Prof. Paulo Csar Crepaldi

Prof. Leonardo B. Zoccal

Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao
Engenharia da Computao

Ateno
O material constante destas notas de aula foi preparado com base na
bibliografia recomendada e destina-se a servir como um apoio ao
acompanhamento da disciplina.
Em alguns slides so utilizados recursos coletados da INTERNET e
considerados de domnio pblico.

LED (Light Emitting Diode): Fundamentos

Os diodos emissores de luz foram desenvolvidos na dcada de 1960 e so utilizados,
basicamente, como dispositivos indicadores em funo da baixa potncia que
manipulam. Considerando-se que um diodo polarizado diretamente dissipa energia,
parte dela pode ser na forma de luz (visvel ou no espectro infravermelho). Para
tanto necessrio alterar o tipo material semicondutor de que so fabricados os
cristais N e P. A tabela a seguir ilustra alguns exemplos de LEDs com os seus
respectivos comprimentos de onda de emisso e tipo de semicondutor:
A corrente tpica, na polarizao direta,
para estes dispositivos da ordem de
10mA a 20mA. Observar que a tenso de
joelho maior que os 0,7V dos diodos de
sinal e depende, tambm, do tipo de
material semicondutor. Outra diferena
significativa, em relao aos diodos de
sinal, que os LEDs apresentam um valor
de tenso de ruptura (polarizao reversa)
muito baixo (algo em torno de 4V a 6V).
Tenso e Corrente em diferentes LEDs

LED (Light Emitting Diode): Encapsulamento e Smbolo

O encapsulamento do LED deve ser transparente ou
da cor da emisso e a forma de sua lente (clear ou
diffuse) permite que se tenha diferentes ngulos de
abertura ou de espalhamento:

Exemplos de Encapsulamento

Detalhe do domo de um LED

ngulo de Espalhamento Diferentes

Smbolo do LED

LED (Light Emitting Diode): Resistor Limitador de Corrente

Para se utilizar um LED com segurana recomendvel o uso
de um resistor para limitar a sua corrente direta (I D) na faixa de
10mA a 20mA com j mencionado. Observe que o
equacionamento bastante simples e envolve a tenso de joelho
(VD) e a mxima tenso aplicada (V).
RS

V VD
ID

Curiosidades
Organic light-emitting diodes (OLEDs) are based on organic (carbon based) materials. In contrast to LEDs,
which are small point sources, OLEDs are made in sheets which provide a diffuse area light source. OLED
technology is developing rapidly and is increasingly used in display applications such as cell phones and PDA
screens. However, OLEDs are still some years away from becoming a practical general illumination source.
Additional advancements are needed in light output, color, efficiency, cost, and lifetime.

Bi-Colour LED

Multi-Colour LED
5

LED (Light Emitting Diode): Folha de Dados

LED: Display de Sete Segmentos

O catodo comum possui dois de seus pinos (os centrais em cima e
baixo) ligados ao terra, ou seja, para que voc escreva qualquer
segmento ter que acionar nvel alto (1) para o respectivo pino.
O anodo comum possui os dois pinos centrais ligados ao VCC
(5v), ou seja, para formar um caractere temos que acionar nvel
lgico baixo (0) nos respectivos segmentos que o formam.

LED: Display de Sete Segmentos

CONTROLANDO DISPLAYS DE 7 SEGMENTOS
ATRAVS DA PORTA PARALELA

Pesquise a respeito da Matriz de LEDs

OLED: LED Orgnico

An OLED (organic light-emitting diode) is a light-emitting diode (LED) in which the emissive electroluminescent
layer is a film of organic compound which emits light in response to an electric current. This layer of organic
semiconductor material is situated between two electrodes. Generally, at least one of these electrodes is transparent.
This process is called electrophosphorescence. Even with the layered system, these systems are very thin, usually
less than 500 nm (0.5 thousandths of a millimeter). When used to produce displays, OLED technology produces selfluminous displays that do not require backlighting. These properties result in thin, very compact displays. The
displays also have a wide viewing angle, up to 160 degrees and require very little power, only 2-10 volts. There are
two main families of OLEDs: those based on small molecules and those employing polymers. Adding mobile ions to
an OLED creates a light-emitting electrochemical cell or LEC, which has a slightly different mode of operation.
OLED displays can use either passive-matrix (PMOLED) or active-matrix addressing schemes. Active-matrix OLEDs
(AMOLED) require a thin-film transistor backplane to switch each individual pixel on or off, but allow for higher
resolution and larger display sizes. An OLED display works without a backlight. Thus, it can display deep black
levels and can be thinner and lighter than a liquid crystal display (LCD). In low ambient light conditions such as a
dark room an OLED screen can achieve a higher contrast ratio than an LCD, whether the LCD uses cold cathode
fluorescent lamps or LED backlight. Due to its low thermal conductivity, an OLED typically emits less light per area
than an inorganic LED. OLEDs are used in television screens, computer monitors, small, portable system screens
such as mobile phones and PDAs, watches, advertising, information, and indication. OLEDs are also used in largearea light-emitting elements for general illumination.

1.
2.
3.
4.
5.

Schematic of a bilayer OLED:

Cathode ();
Emissive Layer;
Emission of radiation;
Conductive Layer;
Anode (+).
9

OLED: LED Orgnico

10

OLED: Exemplo (Mdulo OLED DD-160128FC-2A)

11

Varicap (Varactor): Fundamentos

Este diodo largamente utilizado em receptores de televiso, de rdio e outros
equipamentos de comunicao que necessitam de circuitos de sintonia. Trata-se de
um dispositivo semicondutor otimizado para atuar como um capacitor varivel
dependente da tenso.
Sua operao esta baseada na capacitncia de juno que existe quando o diodo est
polarizado reversamente. Este efeito capacitivo modelado como um capacitor de
placas paralelas em que a distncia entre as placas dada pela largura da regio de
depleo. Esta largura depende da intensidade da polarizao reversa e,
conseqentemente, ao se modificar este valor de tenso o valor da capacitncia
tambm se altera.

Smbolo do Varicap

A faixa de capacitncias que podem ser obtidas situa-se,

tipicamente, entre 2 a 100 pF (para uma variao de
tenso reversa tambm, tipicamente, na faixa de 20 V)
dependendo do tipo de varicap. Para garantir uma corrente
de fuga pequena, estes dispositivos so fabricados com
silcio.
12

Varicap (Varactor): Fundamentos

As folhas de dados destes dispositivos informam um valor de referncia da
capacitncia medida para um determinado nvel de tenso reversa. Por exemplo, o
diodo 1N5142 apresenta uma capacitncia de 15pF em 4V (o sinal de menos pode
ser omitido pois simplesmente refora a condio de polarizao reversa). Alm
deste valor de referncia, as folhas de dados fornecem uma faixa de sintonia e o
alcance de tenso. Para o diodo 1N5142 citado, tem-se uma faixa de sintonia de 3:1
para um alcance de tenso de 60V.

Valores Limites e Caractersticas Eltricas para o Varicap 1N5142

13

Diodo Schottky (Hot-Carrier Diode, HCD) : Fundamentos

O diodo Schottky tem uma aplicao muito importante em sistemas de alta
freqncia e tambm em sistemas de alta potncia. Sua construo diferente dos
diodos semicondutores discutidos at ento. Trata-se da juno entre um metal
(prata, tungstnio ou cromo) e um material semicondutor (normalmente um cristal
do tipo N). O fator limitante nas aplicaes que envolvem altas freqncias o
tempo de recuperao reverso trr. Para um diodo de sinal, como o 1N4148, o trr
est por volta de 4 nS que o permite operar at algumas unidades de MH Z.

Smbolo do Schottky

O diodo Schottky, pelo seu aspecto construtivo,

diminui o trr para a faixa de pS possibilitando, assim,
operaes em centenas de MHZ a unidades de GHZ. O
ponto fundamental deste dispositivo o fato dos
eltrons ao serem injetados no metal (polarizao
direta) no serem portadores minoritrios. Na
realidade, no se consegue distinguir quem so os
eltrons que j existiam no metal dos que foram
injetados. Ento, ao se dar o comando para a condio
de polarizao reversa, o retorno dos eltrons ao cristal
N ser facilitado diminuindo sensivelmente o tempo de
14
recuperao.

Diodo Schottky: Fundamentos

Outro parmetro importante do diodo Schottky a sua barreira de potencial ou
tenso de joelho. Seu valor algo em torno de 0,2V. Aplicaes em que o diodo
est submetido a altas correntes e precisa ser rpido (caso de uma fonte chaveada
em que a corrente direta pode ser 100A com chaveamentos tipicamente na ordem
de 20 a 50 KHZ) tem neste dispositivo uma soluo bastante interessante.
Como desvantagens deste dispositivo cita-se a sua maior corrente reversa (na
ordem de A como nos diodos de Germnio) e a sua menor tenso de ruptura
(comparativamente ao diodo de silcio).

Caractersticas Eltricas para Alguns Diodos Schottky

15

Diodo Schottky: Outras Informaes

I I0 e

VD I RS V
t

1N5817 THRU 1N5819

16

Fotodiodo: Fundamentos
Uma juno PN polarizada reversamente apresenta uma corrente muito pequena por
se tratar de um fluxo de portadores minoritrios (gerao trmica de pares eltronslacunas). Se for permitido que um outro tipo de energia (luz, por exemplo) alcance a
regio da juno ser possvel a produo de pares eltrons-lacunas adicionais alm
daqueles gerados termicamente. Portanto, possvel aumentar-se o fluxo de
portadores minoritrios e, conseqentemente, a intensidade da corrente reversa.
O fotodiodo um dispositivo otimizado para apresentar esta sensibilidade luz.
Neste diodo, uma janela permite que a luz atravesse o seu encapsulamento e atinja
diretamente a juno PN. Normalmente, esta janela tem o formato de uma lente
convergente.

Smbolo do Fotodiodo

Circuito Equivalente de um Fotodiodo

Exemplos de Encapsulamento
17

Fotodiodo: Fundamentos
Um dado apresentado pelo fabricante a chamada dark current (corrente no
escuro) e representa a corrente que existe no fotodiodo sem a presena da energia
luminosa incidente. Esta corrente nada mais que a corrente reversa devida
unicamente aos portadores minoritrios gerados termicamente.

Caractersticas Eltricas para o Fotodiodo VTP1332

18

Diodo Zener: Fundamentos

Este diodo est otimizado para atuar na regio de ruptura (polarizao reversa).
Apesar de existirem dois mecanismos de ruptura (avalanche e Zener) o diodo
recebe o nome de Zener. Quando polarizado diretamente tem as mesmas
caractersticas de um diodo de uso geral. O estudo do diodo Zener e do circuito
Regulador Zener constituem os fundamentos bsicos do princpio de Regulao de
Tenso.

Smbolo do Diodo Zener

Exemplos de Encapsulamento

A localizao do valor da tenso de ruptura controlada pelos nveis de dopagem

dos cristais N e P, sendo disponveis valores que vo 1,8V a 200V. As potncias
podem variar de W at 50W. Normalmente o silcio utilizado tendo em vista a
sua maior capacidade de operar em temperaturas de juno mais elevadas
(tipicamente 1500C).
19

Diodo Zener: Curva Caracterstica

Na seqncia, uma ilustrao da curva caracterstica de um diodo Zener e uma lista
de alguns parmetros importantes (base: diodo 1N961):

O terceiro quadrante a regio de

interesse e, normalmente, atribui-se
para alguns parmetros o sub-ndice
Z como um indicativo de se tratar de
um diodo Zener.

Tenso Zener
Nominal
(VZ @ IZT)

Corrente
de
Teste
(IZT)

Impedncia
Dinmica
Mxima
(ZZT @ IZT)

Corrente
Reversa
Mxima
(IR @ VR)

Corrente
Mxima
(IZM)

Coeficiente
de
Temperatura
(TC)

10V

12,5 mA

8,5

10 A

32 mA

+0,072 %/0C

Caractersticas Eltricas @ 250C

Parmetros para o Diodo Zener 1N961 (10V20%, 500mW)
20

Diodo Zener: Curva Caracterstica

O termo nominal para VZ indica um valor mdio tpico para este valor de tenso.
Observar que o 1N961 tem uma tolerncia de 20% o que significa que de se
esperar: 8V < VZ < 12V. Existem diodos com especificaes mais precisas com
tolerncias de 10% e 5%.
A corrente de teste IZT definida para o ponto em que o dispositivo dissipa de
sua potncia nominal e ZZT a impedncia dinmica (reta tangente no ponto) para
este nvel de corrente. Algumas literaturas colocam Z ZT como a sendo uma
resistncia dinmica e a representam como r Z.
IZM a corrente mxima (limite imposto pela dissipao de potncia) e caso no
seja fornecida pode ser avaliada dividindo-se a potncia mxima pelo valor
mximo de VZ. Alguns projetistas colocam ainda uma margem de segurana de
pelo menos 10%, ou seja, IZM = 0,9.PZ/VZMAX
TC reflete a porcentagem de variao em VZ com a variao da temperatura.
Assume valores positivos e negativos e eventualmente zero. A faixa de mudana
prxima de 5V para VZ. Acima desta tenso os coeficientes so positivos e abaixo
so negativos
A corrente IR fornecida para um valor particular de tenso reversa V R.
21

Diodo Zener: Exemplo de Folha de Dados

22

Diodo Zener: Modelos

Assim como o diodo de uso geral possvel estabelecer modelos para o
comportamento do diodo Zener. A seguir esto identificados 2 modelos: Modelo
ideal representado por uma bateria de valor VZ e uma segunda aproximao que
inclui a presena da resistncia dinmica.

Regulador Zener
Um circuito bsico muito importante o chamado Regulador Zener. Tem por
princpio fundamental o fato de que no Zener, quando polarizado na sua regio de
ruptura, a tenso entre seus terminais fica praticamente constante e, dentro de certos
limites, independente da corrente. Atua, portanto, como um regulador de tenso. Este
circuito o ponto de partida para o desenvolvimento de outros circuitos, mais
sofisticados, denominados de Fontes de Referncia de Tenso (utilizados, por
exemplo, nos reguladores de tenso de trs terminais).
23

Regulador Zener: Circuito Bsico e Reta de Carga

Para efeito de anlise do Regulador Zener considerar a topologia a seguir:
O regulador atua no sentido de fazer
com que a tenso sobre a carga (VL)
fique constante a despeito de
variaes que ocorram no sinal de
entrada (Vi) e na demanda de
corrente da carga (IL).
IS IZ IL

Vi VZ
V
IZ Z
RS
RL

1
Vi
1

VZ

RS
R
R
L
S
VR
ponto A (I Z 0) VZ i L
RL RS
IZ

ponto B (VZ 0) I Z

Vi
RS

Reta de Carga para o Regulador Zener

I Z( MIN) I ZQ I Z(MAX)

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Zener:
Bsico
e Reta
de Carga
Se Vi e IL Regulador
variam, existem
quatro Circuito
situaes limites
a serem
exploradas:
aumento de
Vi com diminuio de IL, aumento de Vi com aumento de IL, diminuio de Vi com
aumento de IL e diminuio de Vi com diminuio de IL. Dois casos, entretanto, so
os mais crticos:
Aumento de Vi (ViMAX) com diminuio de IL (ILMIN) O Zener dever absorver a
diferena de corrente (aumenta IZ) e no se pode permitir que este aumento faa
com que o valor de IZMAX seja excedido. Tem-se o menor valor para R s (RSMIN).
Diminuio de Vi (ViMIN) com aumento de IL (ILMAX) O Zener perde corrente e no
se pode permitir que ele saia de sua regio de ruptura pois deixaria de atuar como
regulador de tenso passando a ser uma chave aberta (I R muito pequena,
idealmente zero).. Tem-se para RS o seu valor mximo (RSMAX).
Na prtica, adotar um valor de resistor comercial cuja resistncia se situe entre
RS(MIN) e RS(MAX) (incluindo-se a sua respectiva tolerncia).
Utilizando-se o equacionamento do slide anterior e incluindo o impacto da
tolerncia da tenso Zener, chega-se a:
RS( MIN)

Vi Vi VZ %
I ZMAX I LMIN

RS(MAX)

Vi Vi VZ %
I ZMIN I LMAX

Equacionamento para RS que Garante IZMIN< IZQ< IZMAX

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Regulador Zener: Rejeio da Ondulao de Entrada

Outro ponto interessante do regulador Zener a capacidade de rejeitar (atenuar) as
ondulaes (componente AC) presentes no sinal de entrada. Substituindo-se a
segunda aproximao para o diodo Zener, verifica-se a presena da resistncia
dinmica rZ em paralelo com a carga RL. Como, normalmente, rZ de pequeno valor,
o resultado do paralelo de pequeno valor. Assim, para a componente AC do sinal
de entrada, tem-se um divisor resistivo em que o menor valor de resistncia
representa a tomada do sinal de sada. Ento, representa uma atenuao em relao
ao valor original da ondulao. Pode-se estimar a relao entre a ondulao de
entrada e a ondulao que passa para a sada da seguinte forma:

VO

Vi rZ //R L
VO
rZ

p/ rZ RL
rZ //R L RS Vi rZ RS

Ao se projetar um regulador Zener, deve-se ter em mente que o diodo deve suportar,
no mnimo, as variaes de demanda da corrente de carga, ou seja, IZ >IL e que Vi
seja maior que VZ.
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Regulador Zener: Exemplo

Projetar um regulador Zener considerando-se que a carga apresenta uma demanda de
corrente de 80mA a 100mA, uma tenso nominal de operao de 5V10% e o sinal de
entrada proveniente de um circuito retificador com filtro capacitivo:

RS(MAX) 1,22RS(MIN)

9V 5,1V 5%
11V 5,1V 5%
1,22
0,1I ZMAX 100mA
I ZMAX 80mA
3,645V
6,25V
1,22
0,1I ZMAX 100mA
I ZMAX 80mA
I ZMAX 80mA
2,1
0,1I ZMAX 100mA
I ZMAX 165mA

PZMAX 165mA 5,1V 5% 884mW

Escolher um diodo Zener adequado que

satisfaa: a condio de RS(MAX) > RS(MIN)
com uma folga suficiente para acomodar
um resistor de tolerncia 10% e a tenso
de 5V10%.
Tenso Zener mais prxima: 5V1 (5%)
Considerar IZMIN = 10% de IZMAX
27

Regulador Zener: Exemplo

O diodo 1N4733A
(PZ=1W, VZ=5,1V5% )
satisfaz as condies
apresentadas.
6,25V
24,2 Calcular os valores limites de R usando os dados de
S
178mA 80mA
corrente do Zener.
3,645V
RS(MAX)
30,9
Valor comercial: 275% 25,6< RS < 28,4
17,8mA 100mA
RS(MIN)

1.302W

Rs

540.3mW

5.226V

Rs

25.6

28.4

225.5mA
Vi
11V

5.083V

137.9mA
Vi
9V

145.5mA

37.93mA
I1
80mA

Dz
D1N4733

418.1mW

760.6mW

I1
100mA

Dz
D1N4733

508.3mW

192.8mW

Simulao para as Condies Limites

28

Regulador Zener: Exemplo

Verificar a rejeio da
ondulao. Algumas
vezes, indicada em
decibis (dB):
VO
rZ

p/ rZ RL
Vi
rZ RS
VO
7

0,2
Vi 7 27
VO
14 [dB ]
Vi

20log

Simulao para Verificar a Rejeio da ondulao

29

Conceito de Decibel
Esta forma de notao amplamente utilizada porque torna a tarefa de se calcular ganhos e perdas muito mais fcil. Atravs do uso da notao
decibel podemos substituir a multiplicao ( ganho ) e diviso ( perdas ) por adio e subtrao, respectivamente. O decibel nada mais do que
uma expresso da relao entre dois sinais. Os sinais podem ser tenses, correntes ou nveis de potencia. Quando convertido para a forma de
notao decibel, entretanto, os logaritmos das relaes so usados ao invs das taxas aritmticas simples. o uso do logaritmo das relaes que
torna possvel substituir multiplicao e diviso por soma e subtrao.
O decibel foi originalmente concebido pela indstria da telefonia para descrever os ganhos e perdas de sinais de udio nos circuitos de telefones.
A unidade original foi denominada bel aps Alexandre Graham Bell, o inventor do telefone. Na maioria das atividades da eletrnica, entretanto,
o bel provou ser uma unidade grande, logo o decibel ( um dcimo de um bel ) foi adotado como notao padro.
Uma forma prtica de se entender o conceito de decibel, atravs do ouvido humano. O ouvido responde ( mais sensvel ) a mudana na
intensidade do som em nveis mais baixos do que altos. Um acrscimo de 4Watts para 5Watts ir parecer muito mais alto do que uma mudana
de 20W para 21W, ainda que ambos incrementos sejam de 1Watt. , entretanto, as relaes de potencia que realmente importa (4W para 5W
representa um acrscimo de 25% em potencia, enquanto 20W para 21W um acrscimo de apenas 5% ). Como veremos a seguir, dobrando a
potencia de sada de um amplificador de 50W para 100W um acrscimo de 3dB; quadruplicando a potencia de sada de 50W para 200W
apenas um acrscimo de 6dB a partir dos 50W originais.
Dobrando a potencia representa um acrscimo de 3dB, enquanto dobrando a tenso ou corrente um acrscimo de 6dB. Isto se deve ao
quadrado da tenso conforme a potencia. Quando um numero elevado ao quadrado, o logaritmo dobrado, criando relaes de tenso que so
o dobro das quantidades em dB para as relaes de potencia equivalentes.
Existem trs formas de calcular o decibel, dependendo do que se trata, sendo tenso, corrente ou nvel de potencia. Lembre-se que o decibel
encontra a relao entre dois nveis de potencia, e se expressa com um numero logaritmo. Se P1 e P2 so dois nveis de sinais, ento a relao
P1/P2 . Para encontrar o equivalente decibel:

P
10log 1
P
2
As expresses decibel de tenso e corrente so similares a expresso da potencia, exceto pela constante que 20 ao invs de 10:

V
20log 1
V
2

I
20log 1
I
2
30

Conceito de Decibel
Ao longo dos anos diferentes segmentos da indstria de radio e eletrnica tem criado escalas especiais para seu prprio uso. Todos so baseados
nas trs equaes fornecidas acima. As diferenas esto nas condies especificadas sob as quais as medidas so realizadas, e do nvel especifico
usado como ponto de referencia.. A referencia padro de tenso ou potencia ser colocada no denominador da equao, e geralmente referida
como o nvel de referencia de "0 dB". Este nome vem do fato de que colocando o mesmo nvel no numerador produz uma relao de 1:1, ou 0
dB. A seguir um exemplos de escalas especiais para dB.
dBm: Estas unidades se referem aos decibis relativos a um miliwatt (1mW) de potencia dissipada em uma impedncia resistiva de 50 ohms
(definido como o nvel de referencia de 0 dB), e calculado a partir de 10.log(Pwatts/0.001). A escala dBm usada na descrio de
amplificadores e receptores. Por exemplo, um sinal de entrada ou de sada pode ser definido em termos de dBm. Similarmente, o rudo de fundo
de um receptor pode ser fornecido em dBm.
dBV: Esta unidade se refere a um sinal de tenso, medido em decibis, relativo a um microvolt (1V) desenvolvido ao longo de uma
impedncia resistiva de 50 ohm.

Alexander Graham Bell (March 3, 1847 August 2, 1922) was an eminent scientist, inventor, engineer and
innovator who is credited with inventing the first practical telephone.
Bell's father, grandfather, and brother had all been associated with work on elocution and speech, and both his
mother and wife were deaf, profoundly influencing Bell's life's work. His research on hearing and speech further
led him to experiment with hearing devices which eventually culminated in Bell being awarded the first US patent
for the telephone in 1876. In retrospect, Bell considered his most famous invention an intrusion on his real work as
a scientist and refused to have a telephone in his study.
Many other inventions marked Bell's later life, including groundbreaking work in optical telecommunications,
hydrofoils and aeronautics. In 1888, Bell became one of the founding members of the National Geographic Society.
He has been described as one of the most influential figures in human history.
31