Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao

Engenharia da Computao

ELT303 Eletrnica Analgica I

Transistores Bipolares
(Introduo)

Prof. Paulo Csar Crepaldi

Prof. Leonardo B. Zoccal

Universidade Federal de Itajub

Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologias da Informao
Engenharia da Computao

Ateno
O material constante destas notas de aula foi preparado com base na
bibliografia recomendada e destina-se a servir como um apoio ao
acompanhamento da disciplina.
Em alguns slides so utilizados recursos coletados da INTERNET e
considerados de domnio pblico.

Transistores Bipolares: Introduo

Os transistores bipolares so dispositivos de 3 terminais que podem atuar tanto
em circuitos analgicos (normalmente que envolvem a amplificao do sinal)
quanto em circuitos digitais. Pelo fato de apresentar um terminal adicional em
relao aos diodos, por exemplo, oferecem um mecanismo que permite controlar
a corrente entre dois terminais a partir de um terminal de controle. Podem ser
fabricados como dispositivos discretos ou fazer parte de um circuito integrado
que pode conter at milhares destes elementos. Os conceitos desenvolvidos para
a juno PN sero fundamentais para a anlise deste dispositivo. Desenvolvido
por Bardeen, Brattain e Shockley em 1947 representou uma grande revoluo
na indstria eletrnica. Os conceitos aqui analisados e desenvolvidos so muito
importantes por servirem de base (ainda que de forma qualitativa) de estudo para
um outro grupo de dispositivos que tambm provocaram um grande impacto na
indstria eletrnica que so os Transistores de Efeito de Campo (FETs).

Transistores Bipolares: Estrutura e Modos de Operao

A figura a seguir ilustra, de forma simplificada, a estrutura de um transistor bipolar.
Algumas literaturas referem-se a este dispositivo como Transistor Bipolar de Juno
(BJT Bipolar Junction Transistor).

John Bardeen (1908-1991)

Os terminais so nominados de Emissor, Base e

Coletor. Observar que as dopagens e os
tamanhos dos cristais so diferentes e que existem
duas junes PN; juno Base-Emissor (JBE) e
Juno Base-Coletor (JBC).

Walter Houser Brattain (1902-1987)

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Transistores Bipolares: Estrutura e Modos de Operao

A regio do Emissor fortemente dopada (N+) enquanto
que a regio da Base e fisicamente estreita e fracamente
dopada (P-). O Coletor a regio que apresenta o maior
volume de silcio e tem uma dopagem tpica.
Os terminais conectam-se a estas regies atravs de
contatos hmicos. O dispositivo ilustrado anteriormente
dito ser NPN em funo do tipo de dopagem dos seus
cristais. Tambm existe a possibilidade de fazer um
transistor do tipo PNP. As diferenas entre eles sero
discorridas ao longo do texto. Para efeito de anlise das
caractersticas eltricas ser considerado o transistor NPN.
A juno JBE tambm chamada de diodo emissor e a
juno JBC de diodo coletor.

Primeiro Transistor (1947)

The Point-Contact Transistor

The first point-contact transistor consisted of a germanium crystal placed on a metal plate.
The germanium was of n-type with a so-called p-type inversion layer. Pressing down on this
crystal was a plastic wedge, which was kept in place by a modified paper clip. On this
wedge a thin gold foil, cut in two halves with a razor blade, had been cemented. The slit was
very important to be able to make this point-contact device to work.

The only regret I have about the transistor is its use for rock and roll
W. H. Brattain
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Transistores Bipolares: Estrutura e Modos de Operao

Existem 4 possibilidades de polarizao (Modos de Operao ou Regies de
Operao) considerando-se as junes JBE e JBC.
Modo de
Operao

JBE
(Diodo Emissor)

JBC
(Diodo Coletor)

Saturao

Direta

Direta

Chave Fechada

Aplicaes

Corte

Reversa

Reversa

Chave Aberta

Digitais

Ativa ou Linear

Direta

Reversa

Aplicaes Analgicas

Inverso

Reversa

Direta

Regies de Operao do BJT

Em circuitos analgicos (principalmente em amplificadores) a regio ativa a mais

usada. Em circuitos digitais o transistor opera no corte ou saturao passando
rapidamente atravs da regio ativa. O modo inverso o menos usual de todos.
Observar que estando na regio de corte, o transistor tem 2 junes polarizadas
reversamente o que significa, idealmente, uma chave aberta. J na regio de saturao
ele tem 2 junes polarizadas diretamente o que representa, tambm idealmente, uma
chave fechada. Existem transistores de sinal (baixa potncia) e transistores de potncia.
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Transistores Bipolares: Polarizao

Inicialmente, ser estabelecido uma topologia que permita a polarizao do
transistor na regio ativa. Para tanto esto representadas duas fontes de tenso (VEE
e VCC) que podem ser equivalentes Thvenin de circuitos mais complexos.

Mais adiante sero detalhados circuitos especficos que tem a responsabilidade de

polarizar o transistor para que ele atue na regio de interesse. A presena de
resistores nos terminais de Emissor e Coletor faz com que se tenha algum tipo de
limitao de corrente. Os sentidos das correntes ilustrados no circuito externo (IE,
IC e IB) convencional. Na estrutura do transistor, as setas em azul indicam o fluxo
de eltrons e as setas em vermelho de lacunas.
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Transistores Bipolares: A Ao Transistor

Como conseqncia da polarizao direta da J BE (a largura da regio de
depleo foi diminuda), eltrons so difundidos do Emissor para a Base
(corrente IEN ilustra o movimento real dos eltrons) e lacunas so difundidas
da Base para o Emissor (IEP ilustra o movimento real das lacunas). Existe,
ento uma corrente de Emissor (IE no terminal correspondente) que ser a
soma destas duas correntes.
Maior ateno deve ser dada a corrente IEN. Ao penetrar na Base estes eltrons
encontram uma regio P em que os portadores majoritrios so lacunas e,
portanto, devero sofrer um processo de recombinao. Contudo, esta
recombinao pequena porque a Base fracamente dopada e, alm disto,
fisicamente estreita. Esta pequena corrente chamada de corrente de
recombinao (IREC) e contribuir para a corrente total da Base (I B no terminal
correspondente).
Capturados pelo campo eltrico presente na JBC (a largura da regio de depleo
foi aumentada) os eltrons so acelerados em direo ao coletor. Juntamente
com a corrente reversa (ICBO) presente nesta juno iro compor a corrente de
Coletor (IC no terminal correspondente).
.

Transistores Bipolares: A Ao Transistor

Matematicamente, estas correntes podem ser expressas:
Algumas aproximaes podem ser feitas. Como
o Emissor fortemente dopado e a Base
fracamente dopada tem-se que IEN >> IEP.

I E I EN I EP
I C I EN I REC I CBO
I B I EP I REC I CBO
por KCL: I E I B I C

(ponto X)

Aproximaes

I E I EN

I EN I EP

I C I EN I REC I CBO
I EN I REC DC .I EN
I C DC I EN I CBO

I B 1 DC I EN I CBO

O parmetro DC quantifica a quantidade de

portadores que, emitidos do emissor,
efetivamente chegaram ao coletor. Portanto,
um nmero menor que 1. Tipicamente entre
0,95 e 0,998.

Alm disto, ICBO e IREC so correntes com ordens de

grandeza muito pequenas se comparadas com as
outras correntes e aproximaes adicionais podem
ser feitas. O objetivo final manter os
equacionamentos apenas em funo das correntes
nos terminais.
I C DC I E

I B 1 DC I E

Ao Transistor
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Transistores Bipolares: A Ao Transistor

Os resultados das equaes anteriores esto em consonncia com os aspectos fsicos
da ao transistor, ou seja, o fluxo de corrente produzido no Emissor chega
praticamente em sua totalidade ao Coletor. Para a ao transistor ser efetiva
fundamental que a base seja estreita e pouco dopada. Esta ao seria impossvel de
ser alcanada se, no laboratrio, se unissem, por exemplo, dois diodos. Mesmo
estando prximos um do outro, esta distncia ainda seria muito maior que a
largura da Base (WB) de um transistor. WB, na prtica, situa-se na casa de algumas
unidades a algumas dezenas de mm. Com uma largura de Base muito grande haveria
uma grande probabilidade para que os portadores emitidos pelo Emissor se
recombinassem em sua totalidade. Esta corrente, praticamente constante,
transferida de um circuito de baixa resistncia (J BE polarizada diretamente) para um
circuito de alta resistncia (JBC polarizada reversamente). Justifica-se, assim o nome:
TRANFER RESISTOR = TRANSISTOR
Transistor
"small electronic device," 1948, from transfer + resistor, so called because it transfers an electrical
current across a resistor. Said to have been coined by U.S. electrical engineer John Robinson Pierce
(1910-2002) of Bell Telephone Laboratories, Murray Hill, N.J., where the device was invented in
1947. It that took over many functions of the vacuum tube. Transistor radio is first recorded 1958.
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Transistores Bipolares: Porque ICBO

Avaliao de ICBO

Variao ICBO com a temperatura

Sem polarizao em JBE e medindo-se a

corrente de coletor (IC) o que se verifica
uma corrente entre coletor e base com o
emissor aberto (open), ou seja, a prpria
corrente reversa que est sendo produzida
na JBC. Da o termo ICBO.
Lembrar que, por se tratar de uma corrente
reversa, ela aproximadamente dobra de
valor para cada 100C de aumento na
temperatura. Para transistores de sinal seu
valor da ordem de nA.

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Transistores Bipolares: O Parmetro DC

mais comum expressar uma relao entre as correntes I C e IB. Esta relao nos
d a idia que o dispositivo tem a sua corrente de Coletor (que praticamente
igual a corrente de Emissor) controlada pela corrente de Base. Veja que o terminal
de controle (Base) consome pouca corrente e capaz de interferir em uma
corrente muito maior. Pensando em uma funo de transferncia, a corrente de
Coletor considerada uma grandeza de sada e a corrente de Base uma grandeza
de entrada.

I C DC I B

Naturalmente, o parmetro DC mantm uma dependncia

matemtica com o parmetro DC uma vez que equacionam
correntes que interagem entre si:

I B 1 DC I E 1 DC I C I B
I B I B DC I B 1 DC I C

IC
DC
DC
IB
1 DC

IC
DC
DC
IE
DC 1

Relao entre os parmetros DC e DC

Se DC varia, tipicamente, entre 0,95

e 0,998, ento DC varia,
tipicamente, entre 20 e 500.
Tambm pode aparecer na literatura
como F e nas folhas de dados como
hFE (Adendo 1)
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Transistores Bipolares: Outras Consideraes Importantes

Os terminais recebem os nomes de acordo com a funo que a respectiva
regio realiza. O terminal do Emissor representa a regio responsvel pela
emisso dos portadores majoritrios que iro constituir a corrente I E. O
terminal do Coletor representa a regio que recebeu (coletou) estes portadores.
A Base, por sua vez, tem seu nome relacionado com os primeiros dispositivos
que foram construdos. Esta regio servia como um suporte (uma base) para as
outras duas regies.
Os aspectos qualitativos aqui descritos so aplicados ao transistor PNP. Basta
inverter os sentidos das correntes e das tenses, pois, fisicamente, a corrente
de transferncia entre Emissor e Coletor passa a ser uma corrente de lacunas.
O nome bipolar sugere que na operao do dispositivo esto envolvidos,
obrigatoriamente, os dois tipos de portadores de carga presentes nos materiais
semicondutores (eltrons e lacunas).
O material semicondutor mais utilizado na fabricao dos transistores
bipolares o silcio.

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Transistores Bipolares: Simbologia

Smbolo Transistor NPN

Smbolo Transistor PNP

Os sentidos das correntes so convencionais e as diferenas de potencial indicam a

condio de operao na regio ativa. JBE est polarizada diretamente (para o NPN
a Base mais positiva que o Emissor e para o PNP a Base mais negativa que o
Emissor). JBC est polarizada reversamente (para o NPN o Coletor mais positivo
que a Base e para o PNP o Coletor mais negativo que a Base). VCE (VEC) sempre
ser a soma destas duas tenses.
Observar que a seta presente que representa o terminal do Emissor um indicativo
do fluxo de corrente convencional nesta regio. No NPN indica um fluxo de
eltrons do Emissor para a Base e no PNP um fluxo de lacunas do Emissor para a
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Base.

Transistores Bipolares: Encapsulamento

Diferentes tipos de Encapsulamento para os Transistores Bipolares

Curiosidade
Em Dezembro de 2007 foi comemorado o aniversario de 60 anos da inveno do transistor. Em 23 de Dezembro de 1947 o primeiro
transistor foi colocado em funcionamento, sendo considerado como o marco-zero de todas as tecnologias atuais. Com o
desenvolvimento do transistor foi possvel substituir de uma maneira eficiente os dispositivos eletromecnicos e as vlvulas
eletrnicas, at ento empregadas na fabricao de equipamentos. Isto foi vivel graas aos avanos proporcionados pela fsica
moderna, em particular pela formulao da mecnica quntica e o posterior desenvolvimento da chamada fsica do estado slido,
que possibilitou a compreenso dos processos envolvidos no transporte de cargas eltricas em materiais semicondutores. Os
responsveis por tal feito foram John Bardeen, Willam Shockley e Walter Brattain, que trabalhavam nos Laboratrios da Bell
Company (Murray Hill, NJ USA), sendo agraciados com o premio Nobel de Fsica em 1956. O fsico John Bardeen, que foi aluno de
Eugene Wigner (Nobel em Fsica 1963), foi tambm um dos responsveis pelo desenvolvimento da teoria da supercondutividade
(BCS) sendo novamente agraciado com o premio Nobel de Fsica em 1972, juntamente com seu orientando John Schrieffer e seu
colaborador Leon Cooper, enquanto trabalhava na Universidade de Illinois. Outro estudante ilustre de Bardeen foi Nick Holonyak,
responsvel pela criao do primeiro diodo emissor de luz (LED) em 1962, tambm na Universidade de Illinois.
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Transistores Bipolares: Curvas Caractersticas

Por ser um dispositivo de trs terminais, o transistor bipolar apresenta uma srie de
combinaes envolvendo as suas correntes e potenciais.
Para o projetista, as relaes mais importantes so as citadas a seguir, ou seja, as
caractersticas de entrada e de sada em Emissor Comum.
A configurao Emissor Comum
(EC) caracteriza-se por ter o
terminal do Emissor comum s
malhas de entrada e de sada.

II
I

Malha de Entrada I
VBB VBE I B RB
Malha de Sada II
VCC VCE I C RC

Configurao Emissor Comum (EC)

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Transistores Bipolares: Curvas Caractersticas

Na configurao Emissor Comum tem-se uma grandeza de sada (I C) controlada por
uma grandeza de entrada (IB) sendo a relao entre elas o parmetro .
Em outras palavras, o transistor bipolar uma fonte de corrente controlada por
corrente: IC = .IB
As caractersticas mais importantes dizem respeito malha de entrada (I) e malha
de sada da configurao Emissor Comum (I).
Para a malha de entrada tem-se as Caractersticas de Entrada e para a malha de sada
tem-se as Caractersticas de Sada ( tambm chamadas de curvas de coletor).
Para se traar estas curvas caractersticas, necessrio um critrio em manter uma
terceira varivel constante. Nas curvas de entrada mantm-se V CE constante e, nas
curvas de sada, IB constante.
Matematicamente:
I B f VBE V

CE

cte

Caracterstica de Entrada

I C f VCE I

cte

Caracterstica de Sada (Curvas de Coletor)

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Transistores Bipolares: Caracterstica de Entrada

A seguir esto reproduzidas as curvas de entrada para um transistor bipolar de sinal
(baixa potncia). O nvel de corrente da Base de algumas dezenas de A.

Caracterstica de Entrada:
IB=f(VBE)|VCE=cte

Ateno: Algumas folhas de dados

colocam IC no eixo y ao invs de IB.
Lembrar que a relao entre elas DC, o
que implica em mudar apenas a ordem
de grandeza das correntes.

Observar que, em uma primeira aproximao, a tenso necessria para ligar o

diodo emissor (juno JBE) de aproximadamente 700mV (BJT de silcio) e que o
impacto da variao na tenso VCE pode ser desprezado. Muito semelhante a uma
curva caracterstica de um diodo semicondutor.
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Transistores Bipolares: Curvas de Coletor

As curvas de coletor tambm esto traadas para um BJT de sinal. Observar a
ordem de grandeza da corrente de coletor em dezenas de mA (podendo chegar a
centenas de mA) e a tenso VCE em dezenas de V. Destacam-se os modos de
operao.

Curvas de Coletor: IC=f(VCE)|IB=cte

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Curvas Caractersticas: Exemplos (BC546)

Ateno: Caracterstica de
Entrada (IC=f(VBE)) em escala
LOG para o eixo das
correntes.
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Curvas Caractersticas: Observaes Importantes

As curvas de IC na Regio Ativa apresentam uma inclinao crescente medida em
que VCE aumenta. Este efeito chamado Efeito Early e discutido mais a seguir;
A Regio de Saturao caracteriza-se por apresentar VCE prximo de zero (junes
JBE e JBC polarizadas diretamente). Assim, em uma primeira aproximao, o
transistor saturado ser uma chave fechada entre Coletor e Emissor. Usa-se a
notao VCE(SAT) para a tenso de saturao. Seu valor prtico da ordem de dezenas
a centenas de mV;
A Regio de Corte caracteriza-se por apresentar IC prximo de zero (junes JBE e
JBC polarizadas reversamente). Ser, portanto, uma chave aberta entre Coletor e
Emissor;
Na Regio Ativa (juno JBE polarizada diretamente e juno JBC polarizada
reversamente), o comportamento do transistor de uma fonte de corrente
controlada por corrente (IC =.IB).
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Curvas de Coletor: Corrente ICEO

Estando o transistor cortado, IC deveria ser zero. Contudo necessrio incluir a
contribuio da corrente reversa ICBO. Existe um fenmeno multiplicativo desta corrente
na configurao Emissor Comum e ela passa a ser ICEO (corrente entre Coletor e Emissor
com a Base aberta). Seu valor situa-se na faixa de algumas unidades a dezenas de mA
para transistores de sinal.

I C DC I E I CBO

I C DC I C I B I CBO
DC I B
I CBO
IC

1 DC 1 DC

I C DC I B DC 1 I CBO

p/

I B 0 I C I CEO DC 1 I CBO
Equacionamento para ICEO

Estrutura Real de um Transistor de Potncia. Observar a

ordem de grandeza das estruturas (micrometros).

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Curvas de Coletor: O Efeito Early

Estando o transistor polarizado na regio ativa (J BE polarizada diretamente e JBC
reversamente) tem-se VBE 0,7V. Ento, VCB = VCE 0,7V.
Aumentar a tenso VCE significa, ento, aumentar a tenso VCB e como conseqncia
aumentar a largura da regio de depleo da JBC. Como a Base fisicamente estreita,
um aumento da largura da regio de depleo far com que a largura efetiva da Base
diminua. Tendo diminudo a largura efetiva da Base, tem-se uma menor
probabilidade de recombinao para os portadores que esto vindo do Emissor e,
como conseqncia, um maior nmero deles atinge o Coletor.
Se um maior nmero de portadores atinge o Coletor, I C aumenta. Portanto de VCE
aumenta, IC aumenta.
O Coletor do transistor atua como uma fonte de
corrente real, ou seja, existe uma resistncia interna
associada (RO). Por se tratar de uma fonte de corrente,
o valor de RO normalmente alto (dezenas a centenas

James M. Early (1922-2004)

de K). A incluso deste resistor torna o modelamento

das curvas de coletor mais preciso. Observar que se
VCE aumenta, temos uma contribuio adicional de
corrente em IC atravs do caminho oferecido por RO.
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Modos de Operao: Modelos Simplificados

Com base no que foi exposto at agora possvel estabelecer modelos eltricos
(usando elementos de circuitos) para as regies de operao do BJT. As regies de
saturao e corte so modeladas atravs de chaves enquanto a regio ativa
representada por um diodo semicondutor (diodo emissor) e por uma fonte de
corrente. O modelo na regio ativa recebe o nome de Ebers-Moll.

Modelos para as regies de operao do BJT

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Modelo de Ebers-Moll Completo e Efeito do Encapsulamento

Apenas a ttulo de informao adicional, a seguir esto o modelo de Ebers-Moll
mais completo (incluindo outros efeitos como, por exemplo, capacitivos) e os
elementos parasitas que aparecem devido ao encapsulamento do dispositivo.

Modelo de Ebers-Moll e elementos parasitas do encapsulamento

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Transistor Bipolar: Valores Limites e Hiprbole de Potncia

Ao se desenvolver um projeto com transistores bipolares (principalmente em
aplicaes de potncia), trs limites devem ser observados:
A mxima corrente de Coletor (ICMAX);
A mxima diferena de potencial entre Coletor e Emissor (BV CEO, VCEMAX);
Potncia dissipada mxima (PDMAX)
Estes limites esto todos relacionados com a temperatura mxima que as junes
podem trabalhar. No caso de ICMAX e PDMAX este conceito bem evidente. Para
VCEMAX o que ocorre que ao se aumentar VCE tambm est se aumentando VCB
(transistor polarizado no corte ou na regio ativa) e pode-se alcanar a tenso de
ruptura da juno Base-Coletor. No caso de P DMAX possvel desenvolver uma
equao que descreva esta dissipao.
PD I E .VBE I C .VCB I C .VBE VCB
PD I C .VCE

O fato do transistor estar operando dentro dos limites da SOA significa que ele pode
estar no corte, na saturao ou na regio ativa. A regio de operao vai depender da
polarizao de JBE e JBC.
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Transistor Bipolar: Valores Limites e Hiprbole de Potncia

Denomina-se a relao PD = IC.VCE de Hiprbole de Potncia, pois se trata de uma equao
do tipo x.y = constante, ou seja, uma hiprbole. Os limites (I CMAX, VCEMAX e PDMAX) quando
colocados no plano ICxVCE vo definir uma regio denominada de Safe Operating Area
(rea de operao segura: SOA, SOAr) que representa os pares de pontos (IC,VCE) em que
o transistor est operando sem exceder a sua capacidade mxima de dissipar potncia.

Hiprbole de Potncia
(eixos lineares)

Hiprbole de Potncia
(eixos log)

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Hiprbole de Potncia: Exemplo 2N3055 (transistor de potncia)

Exemplo de hiprbole de potncia
(SOA) para um transistor de potncia.
Observar a presena do fenmeno do
Second Breakdown.

The second breakdown is the most

complicated failure mechanism, it involves the
building of local hotspots.
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Transistor Bipolar em Circuito Integrado

Exemplo de um transistor bipolar em circuito integrado
e com estrutura interdigital (multi-fingers)

Vantagens:
Diminuio da resistncia Base-Emissor;
Diminuio do Rudo Trmico gerado no
componente;
Possibilidade de aplicaes que exijam
maior capacidade de manipulao de
corrente (potncia).

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Adendo 1: Folha de Dados (Parmetro DC)

retornar

A famlia BC54X representa transistores de uso geral,

podendo ser usados e amplificadores e circuitos de
chaveamento.
Observar que o parmetro DC (hFE DC Current
Gain) depende do nvel de corrente de coletor e da
temperatura. So disponveis em trs grupos distintos
(A, B e C).
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