Curva caracterstica

A (nodo)

+
V

i [mA]
(exponencial)

P
N

K (ctodo)

DIODOS DE POTNCIA

VD

i [A]
V [Volt.]

-40

-2

V [V]

Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada
de tensin es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida

DIODOS DE POTENCIA

nodo

+
V

Ctodo

curva caracterstica

V
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensin inversa aplicada

El diodo semiconductor

nodo

DIODOS DE POTENCIA

nodo

Terminal

Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)

Contacto metalsemiconductor

P
N

Ctodo

Oblea de
semiconductor
Contacto metalsemiconductor

Marca
sealando el
ctodo

Ctodo

Terminal

Encapsulados de diodos
Axiales

1N4148
(Si)

DO 201

DIODOS DE POTENCIA

DO 204

1N4007
(Si)

Agrupacin de diodos semiconductores

2 diodos en ctodo
comn

Puente de diodos

Anillo de diodos

+
+ -

DIODOS DE POTENCIA

B380 C3700
(Si)

BYT16P-300A
(Si)
B380 C1500
(Si)

HSMS2827
(Schottky Si)

Encapsulados de diodos
D 61
TO 220 AC

DOP 31

DIODOS DE POTENCIA

DO 5

TO 247
B 44

Encapsulados de diodos
Mdulos de potencia
Varios dispositivos en un encapsulado comn
Alta potencia
Aplicaciones Industriales

DIODOS DE POTENCIA

Se pueden pedir a medida

Motores

Satlites

Curvas caractersticas y circuitos equivalentes

i
Curva
caracterstica real

Curva caracterstica
ideal

Curva caracterstica
asinttica

DIODOS DE POTENCIA

pendiente = 1/rd

V
0 V
ideal
Circuito equivalente asinttico

rd
real (asinttico)

Parmetros
Parmetros en inversa:
VR= Tensin Inversa (Tensin continua capaz que es de soportar el diodo)
VRM = Tensin de pico
VBR = Tensin de ruptura
IR = Corriente inversa (corriente de fuga)
Parmetros en directa:

DIODOS DE POTENCIA

VD = Tensin en directa
I = Corriente directa
IAV= Corriente media directa
IFM= Corriente mxima en directa
IFRM = Corriente de pico repetitiva
IFSM= Corriente directa de sobrecarga

Caractersticas fundamentales
Tensin de ruptura
Cada de tensin en conduccin
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin

DIODOS DE POTENCIA

Tensin de ruptura
Baja tensin

Media tensin

Alta tensin

15 V

100 V

500 V

30 V

150 V

600 V

45 V

200 V

800 V

55 V

400 V

1000 V

60 V
80 V

1200 V

Tensin de codo

i
Curva
caracterstica real

pendiente = 1/rd

DIODOS DE POTENCIA

V
0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal
VRuptura
VCodo

< 100 V
0,7 V

Potencia
200 1000 V
<2V

Alta tensin
10 20 kV
>8V

Datos del diodo en corte

DIODOS DE POTENCIA

Tensin inversa VRRM

Repetitive Peak Voltage

La tensin mxima es crtica

Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo

DIODOS DE POTENCIA

Datos del diodo en conduccin

Corriente directa IF

Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM

Repetitive Peak Forward Current

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est

atornillado a un radiador

Caractersticas dinmicas
Indican capacidad de conmutacin del diodo

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2
i

V1/R

V
-V2

i
+

Transicin de a a b

V
t
t

Comportamiento
Comportamiento
dinmicamente
dinmicamenteideal
ideal

Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2

i
+

V1/R

trr

V
-

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )

ts
-V2/R

tf = tiempo de cada (fall time )

trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )

-V2

t
tf (i= -0,1V2/R)

Transicin de b a a (encendido)

Caractersticas dinmicas

R
a

b
V2

V1

i
+
V
-

i
DIODOS DE POTENCIA

El
Elproceso
procesode
deencendido
encendidoes
esms
ms
rpido
rpidoque
queelelapagado.
apagado.

0,9V1/R
0,1V1/R

td

tr

tfr

td = tiempo de retraso (delay time )

tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )

DIODOS DE POTENCIA

Caractersticas dinmicas

Caractersticas Principales

DIODOS DE POTENCIA

Corriente directa
Tensin inversa
Tiempo de recuperacin
Cada de tensin
en conduccin

Encapsulado

Tiempo de recuperacin en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del
estado de corte al estado de conduccin.
El tiempo que tarda en conmutar se llama :
TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA

DIODOS DE POTENCIA

Los diodos se pueden clasificar en funcin de su tiempo de

recuperacin:

Tipos de diodos
Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)

DIODOS DE POTENCIA

VRRM

IF

trr

Standard

100 V - 600 V

1 A 50 A

> 1 s

Fast

100 V - 1000 V

1 A 50 A

100 ns 500 ns

Ultra Fast

200 V - 800 V

1 A 50 A

20 ns 100 ns

Schottky

15 V - 150 V

1 A 150 A

< 2 ns

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web
www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com

Aplicaciones:
DIODOS DE GAMA MEDIA:
Fuentes de alimentacin
Soldadores

DIODOS RPIDOS
Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica

DIODOS DE POTENCIA

Convertidores CD CA

DIODOS SCHOTTKY
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes