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6 Difusin
K = Ae (EA / RT)
Vel = Ce (Q / RT)
Al
realizar
una
representacin
semilogartmica de la
velocidad en funcin
del inverso de la
temperatura
se
obtiene una lnea
recta para los datos
de
velocidad.
La
pendiente
de
la
representacin
de
Arrhenius resultante
se hace -Ea/R
-Q/R y la recta corta
el
eje
de
las
ordenadas
en
el
punto ln A ln C
pe
E / kT
En la figura
se
muestra la ruta de
proceso en la cual un
solo tomo supera una
barrera de energa, q.
ndefectos
nsitios
Ce( Edefecto)/ kt
Donde:
ndefectors /nsitios es la razn entre
los defectos puntuales y los sitios
del retculo del cristal ideal,
C es la constante preexponencial,
(4.2-5)
Edefecto es la energa que se
necesita para crear un solo defecto
puntual dentro de la estructura del
cristal,
k es la constante de Boltzmann y
T es la temperatura absoluta.
In
nv
nsitios
Produccin trmica de
vacantes en el aluminio.
La
concentracin
vacantes (nv,/nsitios)
ajusta a la expresin
Arrhenius
de
se
de
c x
J x D
x
Geometra de la primera ley de Fick
c x
c x
D
t x
x
En muchos problemas prcticos, puede suponerse que
D es independiente de c, lo cual nos conduce a una
versin simplificada de la ecuacin
c x
2cx
D 2
t
x
c x c0
x
1 ert
c x co
2 Dt
Donde c0 es la concentracin volumtrica inicial de la
especie difusora y erf se refiere a la funcin de error
Gaussiana cuyos valores se encuentran en tablas
matemticas, en tabla
erf(z)
0
0.0113
0.0226
0.0338
0.0451
0.0564
0.1125
0.168
0.2227
0.2763
0.3286
0.3794
0.4284
0.4755
0.5205
0.5633
0.6039
0.642
z
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
erf (z)
0.6778
0.7112
0.7421
0.7707
0.7969
0.8209
0.8427
0.8802
0.9103
0.934
0.9523
0.9661
0.9763
0.9838
0.9891
0.9928
0.9953
datos, por
mecanismo
con mayor
Grafica
de
Arrhenius
de datos
de
difusivida
d
para
diversos
sistemas
metlicos