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seales de A.C.
Ing. Jhon Jairo Ramrez Echeverry
Departamento de Ingeniera Elctrica y
Electrnica
Universidad Nacional de Colombia
1.
2.
3.
4.
Contenidos de la
presentacin
+
vd(t)
D1
DIODE
vD(t)
VD
Punto Q
iD
vD
rd
iD
vD
4
iD
(mA)
30
Regin 1:
Regin 2
rd
25
20
15
Regin 2:
10
5
0.44v 0.27v
24.28
10mA 3mA
Regin 1
0.1
rd
0.3
0.5
0.7
0.9
0.64v 0.6v
5
33mA 25mA
vD
(V)
5
+
v d(t)
D1
DIODE
v D(t)
VD
VvD
d
d
T
I s e 1
(iD )
dv D
dv D
vD
diD
1
1
VT
I se
I se
dv D
VT
VT
diD
dv
D
1
(I D )
VT
VT
iD I D
diD
1
dvD
rd
rd
26mV
ID
VD v d
VT
k *T
26 mV
q
es: inverso de la
derivada
de
la
corriente del diodo
con respecto a la
tensin del diodo,
evaluada
en
el
punto de operacin
en D.C. (punto por el
que pasa la recta
tangente a la curva
caracterstica).
2
3
n
x
x
x
x
e x 1 ...
1! 2! 3Sedra**
!
Consulta:
n 0 n!
7
+
v d(t)
D1
DIODE
VD
v D(t)
Solucin:
ID = 0.93 mA
VDIODO= 0.7 V
rd = 27.95
vd-pico = 2.78 mV
Tiempo de recuperacin
en inverso
Tiempo (trr) que tarda el diodo en pasar del estado
de conduccin al estado de NO conduccin.
Se da por la presencia de portadores minoritarios,
en los sustratos, que originalmente estaban
generando la corriente en directo, pero que ante el
cambio de la polaridad de la fuente tendrn que
regresar a la posicin de portadores mayoritarios,
generando as una corriente en inverso durante ts.
Suma de los tiempos de almacenamiento (t s) y
transicin (tt).
Tiempo de recuperacin
en inverso
trr
est
en
rdenes de ns,
s. Ej: en el
1N4004 son 2 s
10
Capacitancias de
transicin y difusin
En la regin de polarizacin inversa se
tiene la capacitancia de transicin.
En la regin de polarizacin directa se
tiene las capacitancia de difusin.
A
c
d
1
Xc
2fc
11
R1
12
Vout
DIODE
vin
R1
vout
vin
Funcin de transferencia
Vout
vd
R1
R1 rD
vin
13
vin
vout
R1
14
Operador
peridica:
promedio
de
una
seal
15
15
16
VD.C .
Vp
0.318 *V p
17
17
Vout
R1
Funcin de transferencia
Vout
m 1
vd vd
R1
1
R1 rd
vin
18
VD.C . 2 *
Vp
0.636 *V p
19
D2
DIODE
DIODE
R2
Vout
R3
R1
Vout
20
Recordacin sobre el
transformador
D2
DIODE
DIODE
Vout
R3
R2
R1
22
Transformador:
N2
vsec undario v primario
Psec undario Pprimario
N1
Filtro con capacitor: Lectura Sedra (Cap. 3,
Seccin 3.5 Ed. 5). Responder:
23
25
vout
vin
+
R1
AM
FM
26
Ejemplo:
vin = Vp*sin (wt) VDC = V
BAT1
vin
D1
vou t
R1
27
Recortadores en serie
Ejercicio: vin = 20*sin (wt) VDC = 5 V
BAT1
vin
D1
vout
R1
28
Recortadores en serie
Ejercicio: Analice el mismo circuito
anterior asumiendo como seal de
entrada: (VDC=5V)
BAT1
vin
D1
vout
Vi(t)
R1
20V
T
2
-10V
Vout(t)
25V
T
2
29
Recortadores en paralelo
La seal de salida se mide en el lazo en
qu se encuentra el diodo.
Ejemplo:
Vi(t)
16V
R1
vout
T
2
D1
v i(t)
BAT1
4V
t
-16V
Vout(t)
16V
4V
T
2
-16V
t
30
D1
v i(t)
vout
R1
v i(t)
D1
vout
R1
D1
vi(t)
vout
R1
vi(t)
D2
R2(1)
R2
31
R1
vout
vo ut
R1
vi(t)
vi(t)
D1
R1
vout
v i(t)
D1
D1
vou t
R1
vi(t)
D1
vout
vi(t)
D2
D1
DIODE
V1
V2
|V1| > |
V2|
32
Vi(t)
V
C1
v i(t)
T
2
vout
D2
AM
FM
R1
-V
Vout(t)
V
T
2
t
-2V
34
vi(t)
vou t
FM
10V
100K
AM
Vi(t)
5V
T
2
-20V
Vout(t)
35V
Compruebe que el
condensador NO se
descarga. (Clculos)
5V
T
2
t
36
vi(t)
vout
V1
vout
v i(t)
V1
vout
v i(t)
vo ut
vi(t)
V1
vout
vi(t)
V1
37
38
vm
D2
D1
vout
C2
Vout
TR1
C1
D2
C3
39
40
41