CAPTULO 3

ESTRUCTURA CRISTALINA
Tpicos
Comprender el concepto de cristal y cristalinidad
Identificar sistemas cristalinos
Determinar direcciones y planos cristalogrficos
Comprender y aplicar conceptos de algunos parmetros cristalogrficos
Parmetro de red y radio atmico
Nmero de coordinacin
Factor de empaquetamiento FEA
Densidad volumtrica, planar y lineal

Ingeniera de Materiales

Arreglo atmico
Sin orden los tomos se encuentran
de manera aleatoria (gases)

Orden de corto alcance los tomos se encuentran en un arreglo

especial que comprende slo los tomos ms prximos (molculas
de agua en fase gas)
Enlaces: inico, covelente o metlico, van der Waals
Istropos
MATERIALES AMORFOS
Cermicos, vidrios, polmeros,.. o materiales
con enfriamiento rpido

Orden de largo alcance los tomos o iones en un slido se encuentran

ordenados en una disposicin que se repite en las tres dimensiones
Enlaces: inico, covelente o metlico, van der Waals
Anistropos , prop = f(direccin)
MATERIALES CRISTALINOS
Metales, aleaciones, cermicos en condiciones ordinarias
Ingeniera de Materiales

CRISTAL formacin ordenada y peridica de tomos en la red (conjunto de puntos

tridimensional organizados siguiendo un patrn)
CELDA UNITARIA O REDES DE BRAVAIS
-subdivisin de la red cristalina que conserva las caractersticas de toda la red
-grupo ms pequeo de tomos que posee la simetra del cristal en todas direcciones
ESTRUCTURA CRISTALINA tamao, forma y organizacin atmica de la red
Celda unitaria
Mnima unidad estructural, define la estructura
cristalina mediante su geometra y por la
posicin de los tomos en ella

Punto reticular o punto terico

dispuestos peridicamente en el
espacio tridimensional

Parmetro de red
-a, b, c aristas independientes
- , , ngulos reticulares
-Describen tamao y forma de la celda unitaria
-Dimensiones de los costados de la celda
-ngulos entre sus costados
-nanmetros (nm) o Angstroms ()
1nm =10-9m = 10-7cm = 10
Ingeniera de Materiales

Sistemas cristalinos o Redes de Bravais

7 sistemas
cristalinos

Estructura

Ejes

ngulos entre ejes

Cbica

a=b=c

Todos los ngulos de 90

Tetragonal

a=bc

Todos los ngulos de 90

Ortorrmbica

abc

Todos los ngulos de 90

Hexagonal

a=bc

Dos ngulos de 90 y ngulo de 120

Rombodrica

a=b=c

Todos los ngulos son iguales y ninguno es de 90

Monoclnica

abc

Dos ngulos de 90 y un ngulo distinto de 90

Triclnica

abc

Todos los ngulos son distintos ninguno es de 90

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Metal

Estructura
cristalina

Radio atmico
(nm)

Metal

Estructura
cristalina

Radio atmico
(nm)

Aluminio

FCC

0.1431

Molibdeno

BCC

0.1363

Cadmio

HC

0.1490

Nquel

FCC

0.1246

Cromo

BCC

0.1249

Platino

FCC

0.1387

Cobalto

HC

0.1253

Plata

FCC

0.1445

Cobre

FCC

0.1278

Titanio ()

HC

0.1445

Oro

FCC

0.1442

Tungsteno

BCC

0.1371

Hierro ()

BCC

0.1241

Vanadio

BCC

0.132

Plomo

FCC

0.1750

Zinc

HC

0.1332

La mayora de los metales (90%) cristaliza en el sistema cbico y hexagonal compacto.

Son las estructuras de menor energa y ms estables (se libera energa a medida que los
tomos se aproximan y enlazan entre s)
Con el fin de reducir la energa de enlace las distancias entre tomos tienden a ser
pequeas

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 Nmero de coordinacin n de tomos vecinos

Factor de empaquetamiento FEA fraccin de volumen de las esferas
rgidas o fraccin ocupado por tomos
Planos cristalogrficos mediante los ndices de Miller (h k l)
Posiciones y direcciones cristalogrficas definidas por una lnea entre dos
puntos o por un vector
Densidad volumtrica, planar, linear

Ingeniera de Materiales

Estructuras cristalinas compactas

N de tomos por celda unitaria

- Esquinas contribuyen con 1/8
- Caras contribuyen con
- Centro del cuerpo con 1 punto

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N de tomos por celda unitaria

N tomos =8 esquinas x (1/8)=1

N tomos =(8 esquinas) x(1/8) + (1 centro) x (1) = 2

N tomos = (8 esquinas) x (1/8) + (6 caras) x (1/2) = 4

Ingeniera de Materiales

Parmetro de red y radio atmico

CS

ao 2r

BCC

4r
ao
3

Ingeniera de Materiales

FCC

4r
ao
2

Nmero de coordinacin
Nmero de tomos vecinos ms cercanos
Medida del empaquetamiento de los tomos en la estructura

Cbica simple
N de coordinacin = 6

Centrada en el cuerpo BCC

N de coordinacin = 8

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10

Factor de empaquetamiento
Fraccin del espacio ocupado por tomos suponiendo que los tomos son esferas slidas

Factor de empaquetamiento =

(nmero de tomos/celda)(volumen de cada tomo)

volumen de la celda unitaria

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11

Factor de empaquetamiento
Ejemplo Calcular el FEA para la estructura BCC

Ingeniera de Materiales

12

Factor de empaquetamiento
Ejemplo Calcular el FEA para la estructura FCC

Factor de empaquetamiento
Ejemplo Calcular el volumen de la celda unitaria para la estructura HC

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14

Ejemplo Calcular el volumen de la celda unitaria de la estructura cristalina

del cinc.
Datos:

Estructura cristalina Zn: HC

Parmetros de red:

a =0.2665 nm

c=0.4947 nm

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15

Ingeniera de Materiales

16

Transformaciones alotrpicas
Materiales alotrpicos o polimrficos materiales con ms de una estructura cristalina
Ejemplo 1. Titanio

a bajas temp. Estructura CC

a mayores temp. Estructura FCC
Ejemplo 2. Fierro
a Temp. ambiente Estructura BCC
a 912 C Estructura FCC

Ejemplo 3. Carbono
P extrem. elevadas
Diamante

En condiciones ambientales
Carbono grafito

no conductor
duro

conductor
blando

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17

Posiciones cristalogrficas

x, y z
Expresadas como fracciones o
mltiplos de las dimensiones de
la celda unitaria
Ejemplo: punto medio de la red
cbica

Estructura BCC
Posiciones atmicas

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18

Direcciones cristalogrficas
Las propiedades de los materiales dependen de las direcciones en que se miden los
metales se deforman en aquellas direcciones en que los tomos se encuentran en contacto
ms estrecho
ndices de Miller
Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en esa direccin
Restar las coordenadas del punto inicial de las del punto final
Reducir las fracciones obtenidas de la resta a los mnimos enteros
Consideraciones
[ p q r] proyecciones reducidas a lo largo de los ejes x, y, z
Los nmeros negativos se indican con una lnea sobre el ndice
Direcciones equivalentes familias < stu>

p q r

[ 1 0 0] es equivalente a [ 2 0 0]

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19

Ejemplo Determinar los ndices de Miller de las direcciones A, B y C

Ingeniera de Materiales

20

Ejemplo Dibujar los siguientes vectores en la celda unitaria

a)[100] y [110]
b) [112]
c) [110]
d) [321]

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Planos cristalogrficos

ndices de Miller

Identificar los puntos en los cuales el plano intersecta los ejes. Si el plano pasa por el origen,
el origen del sistema de referencia deber moverse
Se consideran los recprocos de esas intersecciones
Eliminar las fracciones pero no reducir los nmeros enteros
Escribir los nmero entre parntesis ( ) sin comas
Planos equivalentes o familia de planos Ejemplo 110 (110) (101) (011) (110) (101) (011)

Ejemplo 1 Determinar los ndices de Miller de los planos A, B y C

Ejemplo 2 Dibujar los siguientes planos cristalogrficos en celdillas cbica a) (101), b) (110),
(221)
Ejemplo 3 Dibujar un plano (110) en una celda unitaria BCC, situando los tomos y enumerar las
coordenadas de posicin de los tomos cuyos centros estn intersectados por este plano

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22

Distancia interplanar
En sistemas cbicos distancia entre dos planos paralelos muy
cercanos con los mismos ndices de Miller, dhkl

dhkl

a
h2 k2 l2

donde
a = constante de red
dhkl =distancia interplanar
h,k,l=ndices de Miller de los planos considerados

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23

Densidad volumtrica
Modelo de esferas rgidas
Radio atmico obtenido por DRX
Densidad volumtric a
V

masa/celda unitaria
volumen/ce lda unitaria

n tomos celda unitaria x masa tomo

volumen celda unitaria
n M

VC NA

V

donde
n = n tomos /celda unitaria
M = peso atmico
VC = volumen celda unitaria
NA = n de Avogadro

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24

Ejemplo Determinar el valor terico de la densidad del cobre considerando que:

El cobre tiene estructura FCC
Radio atmico 0.1278 nm
La masa atmica del cobre es 63.54 g/mol
Vacancias
Defectos de lnea
Lmites de grano
Los tomos no son esferas perfectas

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25

Densidad lineal
Fraccin de longitud de lnea de una direccin cristalogrfica que pasa a travs de los centros
de tomos

Densidad lineal l

n tomos diametralm ente intersecta dos por la lnea

longitud de la lnea

Ejemplo Determinar la densidad atmica lineal en la direccin [110] en la red cristalina de cobre
en tomos por milmetro
- El cobre tiene estructura FCC
-Radio atmico 0.1278 nm

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26

Densidad planar
Fraccin del rea del plano cristalogrfico ocupada por tomos
Densidad planar p

n tomos intersecta dos por el rea tomos

rea selecciona da
l2

Ejemplo Determinar la densidad planar para los planos (010) y (020) en un material CS de
parmetros de red 0.334 nm.

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27

Sitios intersticiales
Huecos entre los tomos de la red donde se pueden ubicar tomos ms pequeos

Sitio cbico ncoord. = 8

Sitio octadrico ncoord. = 6
Sitios tetradricos ncoord. = 4
r at. inters >radio sitio inters. factible (empuja los
tomos)
r at. inters.<radio sitio inters. no es factible (sin unin)

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28

Factor de empaquetamiento
Ejemplo Calcular el FEA para la estructura BCC

N tomos = 8(1/8) + 1= 2
N Coordinacin=8
Vtomos

a2 (a 2)2 (4R)2
3a2 (4R)2
4R
a
3

4 r3
2
3

Vcelda

4R
a

3
3

(2tomos/c elda)(4/3 R3 )
FEA
a3
(2)(42 3/3)
FEA
(4R/ 3)3

FEA 0.68

En la estructura BCC el 68% del volumen de la celda est ocupado por tomos
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Factor de empaquetamiento
Ejemplo Calcular el FEA para la estructura FCC

N tomos = 8(1/8) + 6(1/2)= 4

N Coordinacin=12
Vtomos

a2 a2 (4R)2
2a2 (4R)2
4R
a
2

4 R3
4
3

Vcelda

4R
a

2
3

(4tomos/c elda)(4/3 R3 )
FEA
a3
(4)(44 3/3)
FEA
(4R/ 2)3

FEA 0.74

En la estructura FCC el 74% del volumen de la celda est ocupado

Ingeniera de Materiales
30
por tomos

Factor de empaquetamiento
Ejemplo Calcular el volumen de la celda unitaria para la estructura HC

Celda unitaria de la
estructura HC

N tomos = 2*6(1/6) + 2(1/2)+ 3= 6

N Coordinacin=12

FEA 0.74
En la estructura HC 74% del volumen de la celda est ocupado por
Ingeniera de Materiales
tomos

31

Anlisis de estructuras cristalinas (difraccin de rayos X DRX)

Difraccin: resultado de la dispersin de la radiacin producida por una disposicin regular de los
centros de dispersin (los tomos constituyen un centro de dispersin de rayos X), cuyo espaciado es
aproximadamente igual a la longitud de onda de la radiacin
El cristal acta como red de difraccin tridimensional
Rayos X : haz monocromtico 0.05 a 0.25 nm
Rayos X se dispersan en todas direcciones, algunos son difractados

Requisito: producir una interferencia constructiva (ondas dispersas en fase)

La diferencia de camino recorrido por haces de rayos X adyacentes debe ser n longitudes de
onda
n = 2d sen
Difraccin (en fase) s ley de Bragg

d: espaciado entre planos adyacentes

: ngulo de dispersin

Ingeniera de Materiales

32

Ejemplo Calcular el volumen de la celda unitaria de la estructura cristalina del cinc.

Datos:

Estructura cristalina Zn: HC

Parmetros de red:

a =0.2665 nm

c=0.4947 nm
Determinar el rea de la base y multiplicando por la altura
rea total=6(rea tringulo ABC)=6 (1/2)(base )(altura)
=6(1/2)(a)(a sen60)=3a2sen60
Volumen de la celda unitaria
Vcinc =(3a2sen60 )(c)
Vcinc =3(0.2665 nm)2(0.8660)(0.4947 nm)
Vcinc =0.0913 nm

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Direcciones cristalogrficas
Las propiedades de los materiales dependen de las direcciones en que se
miden los metales se deforman en aquellas direcciones en que los tomos se
encuentran en contacto ms estrecho
ndices de Miller
Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en esa direccin
Restar las coordenadas del punto inicial de las del punto final
Reducir las fracciones obtenidas de la resta a los mnimos enteros
Consideraciones
[ p q r] proyecciones reducidas a lo largo de los ejes x, y, z
Los nmeros negativos se indican con una lnea sobre el ndice p q r
Direcciones equivalentes familias < stu>
[ 1 0 0] es equivalente a [ 2 0 0]

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Ejemplo Determinar los ndices de Miller de las direcciones A, B y C

Direccin A
Punto 1 (1,0,0) Punto 2 (0,0,0)
(1,0,0)- (0,0,0)= (
[100]
Direccin B
Punto 1 (1,1,1) Punto 2 (0,0,0)
(1,1,1)- (0,0,0)= (1,1,1)
[1 1 1]
Direccin C
Punto 1 (0,0,1) Punto 2 (1/2,1,0)
(0,0,1)- (1/2,1,0)= (-1/2,-1,1)
2(-1,-2,2)

1 2 1

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ESTRUCTURAS CERMICAS O CRISTALES INICOS

Presentan enlaces inicos entre cationes y aniones manteniendo la neutralidad elctrica. Se clasifican de acuerdo al n
de coordinacin

Elctricamente neutro
Empaquetamiento de los iones dado por
el n de coordinacin (estructura
estable)

Relacin de radios crtica

n de
coord
.

Localizacin
del sitio
intersticial

Relacin
del radio

Lineal

0-0.155

Centro del
tringulo

0.155-0.225

Centro del
tetraedro

0.225-0.414

Centro del
octaedro

0.414-0.732

Centro del cubo

0.732-1.000

36

ndice de coordinacin para estructura NaCl y CsCl

rCs+ = 0.170 nm
rNa+=0.102 nm
rCl-=0.181 nm

Frmula qumica MX

Estructura del cloruro de cesio CsCl (CsBr, TiCl)

cbica simple donde el sitio intersticial es ocupado por el
anin ClAnin y catin de igual valencia

Estructura del cloruro de sodio NaCl (MgO, CaO, NiO,

FeO)
-Dos estructuras FCC, una formada por iones sodio y otra
formada por iones cloro
-FCC ocupado por el anin Cl- y los sitios intersticiales son
ocupados por el catin Na+.
Cl-

Cs+

Na+

Cl-

8 iones : 4 iones Na+ + 4 iones Cl-

2 iones : 1 in Cs+ 1 in Cl-

rCs
0.170

0.94
rCl
0.181

N coordinacin=8

rNa
0.102

0.56
rCl
0.181

N coordinacin=6

37

Frmula qumica MX

Estructura del sulfuro de cinc ZnS (CdS, HgS, SiC)

S2-: empaquetamiento FCC
Zn2+: en los 4 sitios octadricos
n coordinacin =4
4 tomos de Zn2+ y 4 tomos de S2- por celdilla unidad

rZn
0.074

0.402
rS
0.184
2

N coordinacin=4

Frmula qumica MX2

Estructura de la fluorita CaF2 [UO2, CeO2]
Estructura FCC 3 iones
F-: ubicados en las esquinas de los cubos (dos iones)
Ca2+: en los 4 sitios octadricos (1 in)
n coordinacin Ca2+ =8
n coordinacin F- =4

Ca2+

F-

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Frmula qumica MX2

Estructura de la slice SiO2 (en combinacin con otros xidos cermicos forman lo silicatos) (
Ejemplo: cristobalita, estructura FCC 24 iones (8 Si4+ y 16 O2-)

40

ESTRUCTURAS POLIMRICAS
Bajo grado de cristalinidad
(C2H4)n

La cadena se dobla sobre s misma hacia adelante y hacia atrs

Dificultad para obtener cristales aislados y tienden (al enfriarse) a producir plaquetas delgadas de unos 10 nm
de espesor (polietileno) y de varios cientos de nm de longitud, tendiendo a doblarse formando un tejido a escala
atmica

ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS
Estructura cbica del diamante (Si, Ge y Sn gris)
tomos interiores situados a
de la longitud de la
diagonal del cubo

tomos/celda: 4+6x1/2 + 8x1/8 = 8

Compuestos semiconductores.: compuestos del tipo

MX
GaAs Ga+3, As +5
Cd S Cd+2, S+6