CHEMICAL VAPOR

DEPOSITION (CVD)
Oleh :
1. Muhammad Mutoha 21050110141018
2. Ahmad Jasir Rasyidi 21050112140044
3. Aditya Candratama 21050112110052
4. Anugrah Bagus Prabowo
21050112130080

CVD
merupakan proses yang menghasilkan lapisan coating secara kimiawi atau
dengan reaksi kimia pada permukaaan material yang dipanaskan. Dalam
proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis.

Terdiri dari 3 sistem

sistem suplai reaktan (reactant supply system),

ruang deposisi (deposition chamber),

sistem daur ulang (recycle/disposal system)

SEPERTI TERLIHAT PADA GAMBAR DI SAMPING, PELAPISNYA BERUPA GAS YANG AKAN BEREAKSI DENGAN PERMUKAAN MATERIAL
SAAT PEMANASAN BERLANGSUNG DAN MENGHASILKAN LAPISAN YANG KERAS SERTA MENGHASILKAN PRODUK GAS YANG AKAN
DIBUANG MELALUI REACTOR. CVD BERLANGSUNG LAMA TERDIRI DARI 3 JAM PEMANASAN, 4 JAM PELAPISAN, DAN 6-8 JAM
PENDINGINAN. KETEBALAN PELAPISAN TERGANTUNG DENGAN GAS YANG DIGUNAKAN, WAKTU, DAN TEMPERATURE. DENGAN
PERSAMAAN REAKSI SEBAGAI BERIKUT :

MClx + H2 + 0.5N2 = MN + xHCl

MClx + CH4 = MC + xHCl

TiCl4 + CH4 = TiC + 4HCl

TiCl4 + 1/2N2 + 2H2 = TiN + 4HCl

TiCl4 + NH3 + 1/2H2 = TiN + 4HCl

PEMANASAN DILAKUKAN DENGAN SUHU 600 DERAJAT

1100 DERAJAT

kelebihan

dimungkinkan untuk mendeposisi material tahan api,

dimungkinkan untuk mengontrol besar butir,
tidak memerlukan ruang hampa, dan
memiliki ikatan yang kuat antara pelapis dengan permukaan material
yang dilapisi sehingga memiliki kekerasan yang tinggi
Gaya adhesi baik
Kerataan hasil lapisan baik
kekurangan

diperlukan ruang yang tertutup rapat dan pompa khusus

agar dampak korosi dan/atau racun dapat dihindarkan,
beberapa reaksi memerlukan biaya yang mahal, dan
efisiensi pemanfaatan material rendah.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

adalah teknik penumbuhan lapisan tipis yang menggunakan

reaksi kimia jenuli antara gas pendahulu untuk mendapatkan
deposisi lapisan skala nano

ADL REACTOR CHAMBER

Dengan menggunakan ALD keseragaman dan penglarasan

dari lapisan dapat dicapai pada temperatur proses yang
rendah. Deposisi lapisan dengan teknik ini dapal digunakan
pada beragam substrat yang memiliki temperatur leleh yang
rendah.

ADL PRECURSOR

PROSES ADL