Teora de bandas

Teora segn la cual, se describe la estructura

electrnica de un material como una estructura de
bandas electrnica o simplemente estructura de bandas
de energa

Teora de bandas
La teora de bandas est basada en la
mecnica cuntica y procede de la teora de
los orbitales moleculares (TOM). Se basa en
el hecho de que en una
molcula, los
orbitales
de
un
tomo
se
solapan
produciendo un nmero discreto de orbitales
moleculares. Desaparecen los orbitales
atmicos y se forman orbitales moleculares
con energas muy parecidas, tan prximas
entre ellas que todos en conjunto ocupan lo
que se denomina una banda de energa.

Teora de bandas
Aunque los electrones van llenando los
orbitales moleculares en orden creciente de
energa, estas son tan prximas que pueden
ocupar cualquier posicin dentro de la banda.
La banda ocupada por los orbitales
moleculares con los electrones de valencia se
llama banda de valencia, mientras que la
banda formada por los orbitales moleculares
vacos se llama banda de conduccin. A
veces,
ambas
bandas
se
solapan
energticamente hablando.

Cuando una gran cantidad de tomos se unen,

como en las estructuras slidas, el nmero de
orbitales de valencia (los niveles de energa ms
altos) es tan grande y la diferencia de energa
entre cada uno de ellos tan pequea, que se
puede considerar como si los niveles de energa
conjunta formaran bandas continuas ms que
niveles de energa, como ocurre en los tomos
aislados. Sin embargo, debido a que algunos
intervalos de energa no contienen orbitales,
independiente del nmero de tomos agregados,
se crean ciertas brechas energticas entre las
diferentes bandas.

En los metales, sustancias conductoras,

la banda de valencia se solapa
energticamente con la banda de
conduccin que est vaca, disponiendo
de orbitales moleculares vacos que
pueden ocupar con un mnimo aporte
de energa, es decir, que los electrones
estn casi libres pudiendo conducir la
corriente elctrica.

En
los
semiconductores y
en los aislantes, la
banda de valencia
no se solapa con la
de conduccin. Hay
una
zona
intermedia llamada

En los semiconductores, como el

Silicio o el Germanio, la anchura de la
banda prohibida no es muy grande y
los electrones con suficiente energa
cintica pueden pasar a la banda de
conduccin, por esa razn, los
semiconductores
conducen
la
electricidad mejor en caliente. Sin
embargo, en los aislantes, la banda
prohibida es tan ancha que ningn
electrn puede saltarla. La banda de
conduccin est siempre vaca.

Formacin de una banda

Para poder visualizar la formacin de una banda
considrese una distribucin lineal de tomos (slido
unidimensional), separados todos a la misma
distancia (a), en los que cada tomo posee un orbital
de tipo s. Cada orbital de tipo s de un tomo
solapar con el orbital s del tomo vecino. As, si
slo hubiera dos tomos en el conjunto el
solapamiento conducira a la formacin de 2
orbitales moleculares, uno de enlace y otro de
antienlace.
Cuando el conjunto est formado por N tomos se
obtienen N orbitales moleculares.

TEORA DE ORBITAL
MOLECULAR
Segn la teora del orbital molecular (TOM) los orbitales de los
tomos que se enlazan se solapan dando lugar a una serie de
orbitales extendidos a toda la molcula (orbitales
moleculares). El proceso de solapamiento, por tanto, no slo
afecta a la capa de valencia sino a todas las capas de los
tomos enlazados.
Al igual que en la teora del enlace de valencia, la extensin
del solapamiento est relacionada con la intensidad del enlace
y, adems, dependiendo de que se produzca frontal o
lateralmente, se formarn orbitales moleculares de tipo sigma
o pi. Cada pareja de orbitales atmicos que se solapen
formar una pareja de orbitales moleculares, uno enlazante y
otro antienlazante, que pueden contener hasta dos electrones
con espines opuestos.

Formacin de orbitales
moleculares
HIDRGENO H
2

Distribucin energtica de
OM

Formacin del orbital de

BORO B2

DISTRIBUCIN
ENERGTICA DE LOS
ORBITALES
MOLECULARES

Teora de bandas
Dependiendo del tipo de orbitales solapados
se pueden formar diferente tipo de bandas

Teora de banda
Semiconductores

Hay
bandas
de
energa
relativamente estrechas entre la
banda
de
energa
totalmente
ocupada y la banda de energa
vaca. A baja temperatura los
semiconductores
se
comportan
como aislantes. A T. alta el
semiconductor adquiere suficiente
energa para que los electrones de
la banda de valencia rebacen la
energa de la banda de energa
prohibida y llegen a la banda de

Semiconductor intrinseco y
extrinseco
SC
intrinseco
no
contiene
impurezas,
algunos
electrones
pueden
saltar
a
la
BC
a
temperatura ambiente
SC extrinseco: Es aquel en el que
se han introducido una pequea
cantidad de impurezas con el fin de
aumentar la conductividad del SC a
temperatura
ambiente,
este
proceso se denomina dopado

Semiconductores Intrinsecos

Idealmente, a T=0 K, el semiconductor es un aislante

porque todos los e- estn formando enlaces.
Pero al aumentar la temperatura, algn enlace
covalente se puede romper y quedar libre un e- para
moverse en la estructura cristalina.

Representacin bidimensional
de la estructura cristalina del Si

El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la

estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el
electrn libre (e-), pero tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)

Caractersticas de un Sc
intrinseco
A temperatura ambiente se comporta como aislante,
porque solo tiene pocos electrones y huecos libres
debido a la energa trmica
Hay flujo de electrones y huecos aunque la corriente
total resultante sea cero. Esto se debe a que por la
accin de la energa trmica se producen electrones y
huecos por pares por lo que la corriente total es cero.
Si un semiconductor se conecta en inversa los
electrones libres se ven atrados por el polo positivo y
los huecos por el negativo, resultando una corriente
total neta cero.

Modelo de Bandas de conduccin

Intrnseca

Cristal perfecto a 0 K

Cristal imperfecto a T> 0 K

Semiconductor Intrnseco y Extrnseco

Semiconductor Intrnseco:
Intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro,
contiene una cantidad insignificante de tomos de impurezas. En l se
cumple: n=p=ni
Semiconductor Extrnseco: En la prctica nos interesa controlar la
concentracin de portadores en un semiconductor (n o p).
De este modo se pueden modificar las propiedades elctricas:
conductividad.
Para ello se procede al proceso de DOPADO:
Un pequeo porcentaje de tomos del SC intrnseco se sustituye por
tomos de otro elemento (impurezas o dopantes).
Estas impurezas sustituyen a los tomos de Silicio en el cristal formando
enlaces.
De este modo podemos
Favorecer la aparicin de electrones (Semiconductores Tipo N: donde n > p)
Favorecer la aparicin de huecos (Semiconductores Tipo P: donde p>n).

Silicio, SC extrnseco tipo n

Material extrnseco Tipo n: Se dopa con elementos

pentavalentes (As, P o Sb) que tienen 5 electrones en la
ltima capa: IMPUREZA DONADORA.
En un semiconductor tipo n, los dopantes
contribuyen

la

existencia

extra

de

electrones, lo cul aumenta enormemente la

conductividad debida a electrones .

n>>p

Se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb) que tienen

5 electrones en la ltima capa: IMPUREZA DONADORA.
Al formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no estar
ligado en ningn enlace covalente.
Con muy poca energa (slo la trmica, 300 K) el 5o electrn se
separa del tomo y pasa la banda de conduccin.
La impureza fija en el espacio quedar IONIZADA (cargada
positivamente)
http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor

Silicio, SC extrnseco tipo p

Cuando se sustituye un tomo de Si por un tomo como (Boro, Galio) que tienen 3
electrones en la ltima capa: IMPUREZA ACEPTADORA.

Al formarse el cristal, los tres electrones forman el enlace covalente con los tomos de
Si, pero queda un hueco (un enlace vacante).
A ese hueco se pueden mover otros electrones que dejarn a su vez otros huecos en
la Banda de Valencia.
La impureza fija en el espacio quedar cargada negativamente

En un semiconductor tipo p, los dopantes contribuyen a la existencia

extra de huecos sin haber electrones en la banda de conduccin.

tomos donadores y
aceptores para Silicio
Tipo p

Tipo n

Caractersticas SC extrinseco tipo

TEMA 1. SEMICONDUCTORES
NyP
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS

Resumiendo, semiconductores extrnsecos

Material extrnseco Tipo N:

S+b

Impurezas del grupo V de la tabla peridica.

Con muy poca energa se ionizan (pierden
un electrn.
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo N son Electrones libres

S+b

S+b

S+b

S+b

Im p u re z a s g ru p o V

S+b

S+b
S+b

S+b

S+b

S+b

S+b

S+b

E le c t r o n e s lib r e s

3 0 0 K

S+b

S+b

S+b

t o m o s d e i m p u r e z a s io n i z a d o s
http://www.politec nicocartagena.com

Material extrnseco Tipo P

A- l

Impurezas del grupo III de la tabla peridica

A T=300 K todos los tomos de impureza
han captado un electrn.
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo P son Huecos: Actan como
portadores de carga positiva.

A- l

A- l

H u e c o s lib r e s

A- l

A- l
A- l

A- l
A- l

A- l

A- l

A- l

A- l

A- l
A- l

A- l

A- l

3 0 0 K

t o m o s d e im p u r e z a s i o n i z a
http://www.politec nicocartagena.com

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

24

Nivel de Fermi
El "Nivel de Fermi" es el trmino utilizado para describir la parte
superior del conjunto de niveles de energa de electrones a la
temperatura de cero absoluto. En el cero absoluto, estos se
encuentran en los niveles mas bajos de energa disponibles de los
estados de energa de electrones, constituyendo el llamado "mar de
Fermi" "lquido de Fermi". El nivel de Fermi es la superficie de ese
mar en el cero absoluto, donde no hay electrones que tengan
suficiente energa para elevarse por encima de esa superficie. El
concepto de la energa de Fermi es de importancia crucial para la
comprensin de las propiedades elctricas y trmicas de los slidos.
Ambos procesos elctrico y trmico implican valores de energas de
una pequea fraccin de un electrn-voltio. Pero las energas de Fermi
de los metales estn en el orden de electrn-voltios. Esto implica que
la gran mayora de los electrones no puede recibir energa de esos
procesos, porque no existen estados de energa disponibles.
A temperaturas ms altas, existir una cierta fraccin caracterizada
por la funcin de Fermi, por encima del nivel de Fermi. El nivel de
Fermi juega un papel importante en la Teora de bandas de slidos

En los semiconductores dopados tipo n o tipo p, el nivel de

Fermi se desplaza por las impurezas

El nivel de Fermi se conoce en otros contextos como el

potencial qumico de electrones.
La energa de Fermi tambin juega un papel importante en la
comprensin del misterio de por qu los electrones no
contribuyen significativamente al calor especfico de slidos a
temperaturas ordinarias, mientras que son contribuyentes
dominantes a la conductividad trmica y la conductividad
elctrica. Dado que slo una pequea fraccin de los
electrones en un metal se encuentran dentro de la energa
trmica kT de la energa de Fermi, estn "congelados" de
capacidad calorfica por el principio de Pauli.

Figura. Nivel de Fermi en a)semiconductor intrnseco, b)

semiconductor tipo n, c) semiconductor tipo p

En un semiconductor extrnseco, entonces, es posible influir sobre la

concentracin de electrones, controlando la concentracin de
impurezas. Un electrn que ocupa un nivel de energa discreto dentro
de la banda de energa prohibida y muy cercano a la banda de
conduccin, puede fcilmente ser excitado y pasar a la banda de
conduccin. El nivel de energa disponible puede entonces ser
ocupado por un electrn de la banda de valencia, que a su vez pasara
a la banda de conduccin. La conduccin de este material con
impurezas donadorasras ser esencialmente electrnica (la
concentracin de huecos es muy pequea) y se debe bsicamente a
la ionizacin de los tomos de impurezas. A temperatura ambiente la
energa trmica es suficiente para excitar al electrn extra a la banda
de conduccin. El tomo retiene entonces una carga positiva y se dice
que el donador esta ionizado.
Anlogamente, para los elementos aceptores la energa de enlace de
un estado vaco se encuentra alrededor de 0.05 eV sobre el borde
superior de la banda de valencia. Los elementos del grupo III (B, Al)
que son impurezas del silicio, contribuyen con huecos en la banda de
valencia capturando un electrn de esta banda

Transporte de
portadores en un
semiconductor

Semiconductores
Los cristales de semiconductores estn formados por tomos
donde los vecinos ms cercanos estn enlazados de manera
covalente (mas o menos polar).
Los materiales semiconductores ms importantes cristalizan
en el sistema cbico con red centrada en las caras: GaAs:
estructura Zinc-Blenda, Si, Ge: estructura diamante

Estos SC en su ltimo orbital, tienen 4 electrones de valencia ( que estan

atrapados en los enlaces). Sin embargo, el electrn puede abandonar el
enlace y pasar a ser electrn libre (mvil en el cristal) y formar parte de una
corriente, si recibe energa : a) Trmica (ejemplos:0K, 300K), b)ptica, c)
Elctrica

TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN
SEMICONDUCTOR
El movimiento de electrones y huecos
(partculas cargadas) da lugar a una corriente.
Esta corriente es la manera de operar de los
dispositivos electrnicos Que a su vez
controlan la corriente en la malla en la que
estn situados.
Fenmenos a los que estn expuestos los
portadores:
a)Movimiento aleatorio trmico
b)Arrastre o desplazamiento
c)Difusin
Generacin-recombinacin

a) Movimiento aleatorio
En equilibrio trmico,trmico
los portadores dentro del semiconductor

estn siempre en movimiento trmico aleatorio.

La mecnica estadstica nos dice que: un portador a una
temperatura T tiene una energa trmica media de 3k BT/2
Esta energa trmica le sirve para moverse (convertirla en
energa cintica) a una velocidad trmica : Vth
m*: masa efectiva del portador
kB: Constante de Boltzmann
kBT (300K): 0.026 eV

El portador se mueve rpidamente dentro del cristal en todas

las direcciones alternando recorridos libres y colisiones con
los tomos de la red.
En equilibro trmico y sin campo elctrico aplicado
(E=0), el movimiento de todos los portadores se cancela y la
corriente media en cualquier direccin es nula.

b) Arrastre o Desplazamiento
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o
deriva
Movimiento de los portadores
Cuando se aplica E: los portadores sufren una
fuerza
igual
al campo
aplicado
:
F=
- e E para
electrones
(acelerados
en sentido
opuesto al campo)
F= e E para huecos (acelerados en el sentido
del campo)

Estas fuerzas proporcionan una aceleracin (2a ley de

Newton) una velocidad media neta que se puede escribir
(estadsticamente, en media)

c) Fenmeno de difusin (I)

c) Fenmeno de difusin (II)

Fenmeno de generacinrecombinacin en equilibrio (g-r) (I)

En equilibrio trmico: Para una T dada, los portadores poseen una
energa trmica:

Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la

BC, dejando un hueco en la BV. Se genera un
par e-h: fenomeno de generacion.
Este fenmeno se caracteriza por un nmero :
G th de pares generados por unidad de volumen
y de tiempo.

Tambin un electrn de la BC puede pasar a la

BV
(desaparece
un
par
electrn-hueco)
fenmeno de recombinacion.

Este fenmeno se caracteriza por un

nmero : R th
(nmero de pares recombinados por unidad de
volumen yresaltar
de tiempo)
Es importante
como en equilibrio, ambos fenmenos se
compensan:

Rth =Gth no po = ni2

(de manera que se mantiene la validez de la ley de accin de masas).

Siendo n0 y p0 las densidades de electrones y de huecos en la BC y BV en
equilibrio.

Fenmeno de regeneracin
recombinacin en NO equilibrio
(g-r) (II)
h: Cte de Planck: 4.14x10-15 eVs
: frecuencia de radiacin

Fenmeno de regeneracin
recombinacin en NO equilibrio
(g-r) (III)

Fenmeno de regeneracin
recombinacin en NO equilibrio
trmico