Unidad 2.

El transistor bipolar
(BJT)
Materia: Diodos y Transistores
Carrera: Ingeniera Electrnica
Departamento de Ingeniera Elctrica y
Electrnica
Instituto Tecnolgico de Mrida
Prof. Jos Agustn Hernndez Bentez

Transistor BJT

Introduccin

Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente:

npn (o pnp)
Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector
No es simtrico: la concentracin de portadores en E es generalmente
bastante mayor que en C
La regin central (B) es estrecha

N D ~ 1017

N A ~ 1016
N D ~ 1015

1 ~ 5m

5 ~ 10m
~ 0.1m

Transistor BJT

Introduccin

Dos tipos y smbolos elctricos:

BJT npn

BJT pnp

Transistor BJT

Introduccin

Mecanismo de control: Captacin de portadores mayoritarios procedentes de una

unin p-n polarizada en directa (B-E) que los emite por otra unin p-n inversamente
polarizada (B-C) y muy cercana a la anterior.
La corriente de la base controla el flujo de corriente en el colector.

 Identificacin de terminales

 Verificacin del transistor

Trazador de curvas
Proporciona grficas de las curvas caractersticas
Multmetro
En el zcalo de Medicin del parmetro B o HFE
Tambin se puede probar con la funcin de chequeo de diodos

Transistor BJT

Introduccin

4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las 2 uniones p-n

BJT npn

SATURACIN
DIRECTA

ZAD

CORTE
CORTE
ZAI

SATURACIN
INVERSA

PARAMETROS Transistor BJT

IB

U T Voltaje trmico ( 26 mv)

I S VBE /U T
I
e
1 S eVBC / U T 1
F
R

IC

F Ganancia de corriente en zona

activa directa

I S VBC / U T
e
1 I S eVBE / U T eVBC / U T
R

R Ganancia de corriente en zona

inversa
Is Corriente de Saturacin

Modelo circuital
genrico

IC

I S VBC / U T
e
1
R
VBC
IB

I S eVBE / U T eVBC / U T

VBE

I S VBE / U T
e
1
F

IE
8

Transistor BJT

Modos de operacin

Modelos circuitales simplificados

Corte: VBE < 0, VBC < 0

IB

X X

I S eVBE / U T eVBC / U T

VBE

IC

IE

IC

I S VBC / UT
e
1
R
VBC
IB

VBC

VBE

I S VBE /U T
e
1
F

IE

Transistor BJT

Modos de operacin

Modelos circuitales simplificados

Zona Activa Directa (ZAD): VBE > 0, VBC < 0

I S VBC / U T
e
1
R
VBC
IB

IC

F IB

VBE / U T

IS e

VBC / U T

IS

I E ( F 1) I B

IE

I S VBE / U T
e
F

IC F I B

VBE

VBE

IC

IB

VBC
IB

I S VBE / U T
e
1
F

IC

IE
VBC
IB

F IB

VBE , ZAD

VBE , ZAD

10

IE

Zona Activa Directa

Curvas caractersticas de salida
Curvas caractersticas de entrada

Introduccin
Relaciones de corrientes en zona activa (simplificado)

12

Transistor BJT

Modos de operacin

Modelos circuitales simplificados

Saturacin: VBE > 0, VBC > 0

I S VBC / U T
e
R

IC

IB

I S eVBE / U T eVBC / U T

VBE

I S eVBE /U T eVBC / U T

VBE

VBC

I S VBC / U T
e
1
R
VBC
IB

IC

I S VBE / U T
e
F

IE

I S VBE / U T
e
1
F

IC

IE
VBC
IB

VCE,sat

VCE ,sat

VBE ,sat
VBE ,sat VBE , ZAD
13

IE

Otros parmetros
Voltaje Early (VA)
Resistencia de la fuente de corriente controlada
(ro)

14

Otros parmetros
Ruptura en el transistor

15

Anlisis de circuitos con transistores

Puesto que se trata de un circuito no lineal,
se procede de manera similar a los circuitos
con diodos.
Es decir se calcula suponiendo estar en una
zona determinada y luego se valida esta
suposicin, en caso contrario cambiar dicha
suposicin.
Principalmente interesa 3 zonas, activa,
corte y saturacin.

16

CIRCUITOS CON TRANSISTORES

En la aplicacin de amplificadores interesa
establecer el valor de Ic y Vce, llamado
punto Q. Ya que este servir para el clculo
de los parmetros de seal del amplificador.
A estos circuitos se les conoce como
circuitos de polarizacin o de bias.
Un buen circuito de polarizacin debe
mantener estable el punto Q, ante
variaciones de Beta, temperatura, etc

17

Polarizacin de un transistor
Anlisis de la recta de carga

Intersectar la recta obtenida

En la LVK del circuito de salida
Con las curvas del transistor

18

Circuitos de polarizacin
Fija
Resistencia en el emisor
Divisor de voltaje
Retroalimentacin de colector
Por Fuente de corriente

19

Polarizacin Fija

100

20

Polarizacin con resistencia en

emisor
El anlisis consiste de dos pasos:
- Examinar el lazo base emisor(entrada)
- Usar el resultado para calcular el lazo de colectoremisor (salida)
VCC

IC

RC

RB

Vo

IB

Vi

C2

C1
IE

Fig. 5.11

RE

21

Lazo de entrada

KVL : VCC - IBRB - VBE - IERE 0

(1)

Sabemos que IE 1 IB, sustituimos en (1)

VCC - IBRB - VBE - 1 IBRE 0
Despejando obtenemos
IB

VCC - VBE
RB 1 RE

22

Lazo de salida
KVL : VCC - ICRC - VCE - IERE 0
Suponiendo IE IC ,
VCE VCC - IC(RC RE)
Tambien sabemos que :
VE IERE
VCE VC - VE
VC VCE VE
VB VCC - IBRB

VC VCC - ICRC

VB VBE VE

VCC ICRC = VCE + IERE = VC

(1)

Circuitos de polarizacion
Con fuente de corriente

Esta es la mejor opcin para

estabilizar el punto Q.
Empleada en Circuitos integrados

31

El transistor como interruptor

Saturation current:
I Csat

VCC
RC

To ensure saturation:
I
I B Csat
dc

Transistor como interruptor

Ejemplo

Transistor como interruptor

REGULADORES DE VOLTAJE CON BJTs

Regulador de voltaje en derivacin

REGULADOR EN DERIVACION O PARALELO

REGULADORES SERIE

Regulador serie

Figura para ejercicio