Crecimiento de xido de

Silicio

Contenido

Introduccin
Oxidacin trmica:
o Oxidacin seca
o Oxidacin
hmeda

Introduccin

Los depsito de diferentes lminas delgadas en la fabricacin de

dispositivos pueden ser clasificadas en cuatro tipos: xidos trmicos,
capas de aislantes, silicio policristalino (polisilicio) y pelculas
metlicas.
MOSFET canal-n en el que se
observan los cuatro tipos de
lminas delgadas

xido de compuerta (gate oxide), debajo de l se forma el canal

xido de campo (field oxide), sirve de aislante entre los
diferentes dispositivos
SiO2 y SIN sirven como aislantes entre las diferentes capas
conductoras o como mscaras para difusin o implantacin inica,
pasivacin evita que impurezas entren al Si.
Polisilicio, sirve como electrodo de compuerta en el dispositivo MOS,
como conductor entre los diferentes niveles de metalizacin, como
contacto en uniones poco profundas

Espesor de los diferentes xidos

empleados en tecnologa de silicio

10 n

1n

A temperatura ambiente, el silicio expuesto en un ambiente de oxgeno o aire, formar una capa de OXIDO
NATIVO sobre la superficie de 5 10 en 5 min.

Aplicaciones del SiO2

Mscara para implantacin inica y
difusin de dopantes.
Proporciona una superficie de
pasivacin
Aisla un dipositivo de otro
Acta como componente en
dispositivos MOS
Proporciona aislamiento en un
sistema de metalizacin multiniveles

Tcnicas de formacin de
xidos
Oxidacin trmica, oxidacin trmica
rpida,
anodizacin
electroqumica,
reaccin con plasmas, oxidacin sobre
capas metlicas (se requiere CVD).
La ms importante, para dispositivos de
silicio es la oxidacin trmica.
La temperatura de oxidacin est
normalmente en el rango de 900 a 1200C
? La oxidacin trmica de GaAs da lugar a
capas no estequiomtricas que contienen
xidos de galio y arsnico e iones de
arsnico. Estos xidos proporcionan un
aislamiento elctrico pobre.

Propiedades del xido de

Silicio
Densidad

2.24 - 2.27 g/cm3

Constante dielctrica

3.9

Intensidad dielctrica

5x106 V/cm

Banda Prohibida

~ 8 eV

Razn de grabado

1,000 /min

Pico de absorcin IR

9.3 m

Punto de fusin

~ 1,700 C

Molculas / cm3

2.3 x 1022

ndice de refraccin

1.4 6

Resistividad

3 x 1015 ohm-cm

Montaje bsico para un proceso de

oxidacin trmica
T = 900 a 1200 C

H2O

Horno calentado por resistencia, un tubo cilndrico de cuarzo fundido

que contiene a las obleas de silicio verticalmente y una fuente bien
de oxgeno puro seco, bien de vapor de agua, flujo de aire filtrado
que elimina el polvo y minimiza la contaminacin de las obleas.

Modelo de Deal-Grove
Proporciona el espesor de xido en funcin de las
variables tecnolgicas (Tiempo y Temperatura)
Describe matemticamente el crecimiento de una
capa de xido sobre la superficie de un material.
Est basado en la velocidad de difusin de los tomos
de O a travs del SiO2
Para temperaturas entre 700 y 1300 C
Pparcial 0.2 a 1.0 atm. (Quiz ms)
Espesores 300 y 20,000 , en ambiente de O 2 y Agua.
Permite obtener la relacin entre el grosor del xido
crecido (x), el tiempo de oxidacin (t) y la
Temperatura (T):

Ambiente y proceso de
oxidacin
Especies oxidantes: oxgeno o vapor de agua.
La oxidacin transcurre por el movimiento de las
especies oxidantes a travs del xido.
-M. M. Atalla, Properties of Elementa~ and ComRound Semi- conductors, edited by H. Gatos (Intersclence
PublIshers, Inc., New York, 1960), Vol. 5, pp. 16~-181. .
- J. R. Ligenza and W. G. Spitzer, J. Phys. Chern. Solids 14, 131 (1960).

Una vez en contacto, oxidantes

y
silicio,
se
produce
la
oxidacin (SiO2) que involucra 2
procesos:
i) difusin de oxidantes a
travs del xido
ii) reaccin qumica de
oxidacin.

Desgaste de Si por la formacin de

SiO2

Durante el proceso de oxidacin la interface siliciodixido de silicio se desplaza hacia el interior del
silicio, de manera que para crecer una capa de
xido de espesor x, se consume una capa de silicio
de espesor 0.44x, lo que produce cierta tensin en
la estructura que puede provocar dislocaciones

Reacciones que describen el

proceso de oxidacin
Oxidacin en ambiente seco. Debido a la baja concentracin de O
2 dentro del xido el mecanismo es lento, sin embargo tiene la
ventaja de tener magnificas propiedades dielctricas debido a su
estructura densa y regular

Oxidacin en ambiente hmedo. El Proceso de oxidacin hmeda

utiliza la molcula de agua como oxidante

P o r s u a l t o c o n t e n i d o d e H 2, e s t e d i e l c t
rico es de
mala calidad estructural y el
ctrica.

Unidad estructural del SiO2

Estructura amorfa

Cuando el dixido de silicio se crece trmicamente se obtiene una

estructura amorfa, debido a la mayor cantidad de huecos, donde se
pueden difundir las impurezas (sodio) a travs de la capa de SiO2.

Cintica de oxidacin (Modelo

de Deal-Grove)
El modelo nos proporciona el espesor de la capa de xido en funcin
de el tiempo y la temperatura.

La formacin de SiO2
involucra la participacin
de dos procesos, difusin
de oxidantes a travs del
xido crecido, y reaccin
de
oxidacin
en
la
superficie del Si
A temperatura de 1000 C y a una presin de 1 atm,
C0= 5.2x1016 molculas /cm3 para el oxgeno seco
C0= 3x1019 molculas /cm3 para el vapor de agua.
Las especies oxidantes se difunden a travs del xido ya crecido, de
manera que a la interface silicio/dixido de silicio, llega una
concentracin Cs.

Cintica de oxidacin

ujo de molculas que atraviesa el xido (una unidad de rea por unidad de tiem

Donde
D es el coeficiente de difusin
Co concentracin de la especie oxidante en la superficie del xido
Cs es la concentracin de la especie oxidante en la interfase
SiO2/Si
x
el espesor del
ya crecido.de reaccin es proporcional a la
Suponiendo
quexido
la velocidad
concentracin de especies oxidantes Cs en la superficie del silicio,
el flujo F2, de molculas de oxidante que desaparecen en la
interface entre Si y SiO2, viene dado por:
2
k es la constante de velocidad de la reaccin de oxidacin del Si, bajo
condiciones de estado estacionario.

Cintica de oxidacin
En el estado estacionario, ambos flujos deben ser iguales,

Por cada cm3 de xido hay 2.2x1022 molculas de dixido de silicio.

Por cada molcula de SiO2 se necesita una molcula de oxgeno (O2) y
dos molculas de (H2O). Por lo tanto, C1=2.2x1022 cm-3 para la
oxidacin en oxgeno seco, mientras que C1=4.4x1022 cm-3 en
oxidacin con vapor de agua. La velocidad de crecimiento de la capa
de xido viene dada por el cociente entre la velocidad de molculas
que llegan a la interface Si-SiO2 y las que se incorporan a la capa de
xido.

Cintica de oxidacin
La velocidad de crecimiento de la capa de xido viene dada por el
cociente entre la velocidad de molculas que llegan a la interface
Si-SiO2 (D(C0/C!) y las que se incorporan a la capa de xido C1:

4
Esta ecuacin diferencial puede resolverse sujeta a las condiciones
iniciales, x(0)=d0, donde d0 es el espesor inicial del xido. La
solucin a la ecuacin diferencial anterior viene dada por:

Cintica de oxidacin
donde por definicin:
6
El valor de representa un desplazamiento por la presencia de la
capa inicial de xido x0
Resolviendo la ecuacin de segundo grado (5) podemos calcular el
espesor del xido tras un tiempo de oxidacin t:
7
X es el valor del espesor de xido en funcin del tiempo, una vez
conocidos D y k, que son funcin de la temperatura y del tipo de
oxidacin (seca o hmeda) utilizada.

Limitantes de la velocidad de
crecimiento
1. En las primeras etapas de crecimiento del
xido, el factor limitante es : reaccin en la
interface Si-SiO2, la velocidad de crecimiento
vara linealmente con el tiempo
2. Cuando el espesor de xido comienza a ser
mayor, la velocidad de crecimiento viene
limitada por la difusin de los oxidantes a
travs del xido. En este caso, el espesor de
xido es proporcional a la raz cuadrada del
tiempo de crecimiento, lo que implica una
velocidad de crecimiento parablica.

Cintica de oxidacin
casos limite de velocidad de
crecimiento
Para tiempos cortos de oxidacin (se puede despreciar l trmino
cuadrtico), por lo que la evolucin temporal del espesor de xido
(SiO2) crecido, es lineal con el tiempo

x = B/A (t+)
Es decir, el espesor de xido depende linealmente del tiempo, y
viene limitado por la velocidad de oxidacin (no depende del
coeficiente de difusin de las especies oxidantes a travs del xido
previamente crecido).

Cintica de oxidacin
Para valores grandes del tiempo
es parablica con el tiempo

, el espesor de xido crecido

x= (Bt)1/2
El espesor de xido aumenta con la raz cuadrada del tiempo, y
adems la velocidad de crecimiento est limitada por la
difusin de los oxidantes (D) a travs del xido crecido (no hay
dependencia con la velocidad de oxidacin).

Por definicin
10

11

Las expresiones 7 y 9 quedan ahora como:

12

Regin lineal

B/A constante de velocidad lineal, no depende de la difusin del

oxidante en el xido (D)

Regin parablica

B define la velocidad de crecimiento parablico (oxidacin controlada por difu

Valores experimentales de B/A en funcin de la

temperatura
Como la densidad de
tomos de silicio es
mayor en la superficie
(111) que en la (100),
la
constante
de
crecimiento lineal es
mayor
para
una
superficie 111 que para
Si
sesuperficie
aumenta 100
la
una
temperatura,
aumenta el espesor
xido
Constante de velocidad lineal en funcindedel
inverso de la
temperatura.
Depende de la orientacin del cristal, relacionado con la velocidad
de incorporacin de los tomos del reactivo ala red, lo que a su vez
depende de la densidad de tomos de silicio en la superficie.

Valores experimentales de B, no depende de

la orientacin de la superficie

Constante de velocidad parablica para oxidacin seca y

oxidacin hmeda en funcin del inverso de la temperatura.

Consideraciones
Los xidos crecidos en ambiente seco tienen
mejores propiedades elctricas que los crecidos
en ambiente de vapor de agua.
Para el caso de la oxidacin en ambiente seco,
usando O2 como oxidante, el modelo que hemos
desarrollado
nicamente
reproduce
el
comportamiento experimental para espesores de
xido crecido por encima de 200 , colocando
como condicin inicial d0=200, aun cuando no
haya ningn xido inicialmente, el espesor de
ste sea menor de 200.
No existe ninguna teora que explique el
crecimiento rpido por oxidacin seca

Ambiente seco

Espesor de xido crecido en ambiente seco en funcin del tiempo

de oxidacin a diferentes temperaturas.

Ambiente hmedo

Espesor de xido crecido en ambiente hmedo en funcin del

tiempo de oxidacin a diferentes temperaturas

Influencia de la presin en el
espesor de xido

Dependencia con la
presin

Espesor de xido variando temperatura

Espesor de xido variando la presin

Ejercicios

Ejercicio 2

Comparativa entre oxidacin seca y hmeda:

las propiedades del xido se ven afectadas por
las condiciones experimentales del crecimiento:

Propiedades del SiO2 como mscara

contra impurificacin

Propiedades del SiO2 como mscara

contra impurificacin

En el proceso de oxidacin ocurren algunas reacciones elementales

en las cuales se producen especies intermedias, particularmente
para el caso de oxidacin en vapor de agua.

Entonces, otras reacciones podran ser las siguientes:

Si + O2 = SiO2 + dislocaciones + tensiones en la red

Si + Siv = (Si - Siv)complejo

(3)

(4)

(Si - Siv) + O2 = O + (Si - O)complejo

(Si -O) + Siv = (Si - O - Siv)complejo

(Si - O - Siv) + O = SiO2

2Si + O2 = O + Si1 + (Si - O)complejo

Si + (Si - O) = (Si - O - Si)complejo

(Si - O - Si) + O = SiO2 + Sil

Donde:
Siv

es una vacancia de silicio y

Si1

es un tomo de silicio intersticial.

(5)

A medida que la interface de oxidacin se desplaza hacia el interior del sustrato de silicio,
se cree que un pequeo exceso de tomos de silicio se acumula en cada plano de la red.

Se piensa que ocurre un desacoplamiento sustancial en la interface, que da lugar a un nivel

significativo de tensiones mecnicas en la red (bloque superior Fig. inferior).

As, se piensa que ocurren mecanismos alternos que facilitan desacoplamientos en la red,
los cuales intervienen (afectan) el proceso de oxidacin (ec. 3).

En los dos siguientes mecanismos, se postula que algunos defectos puntuales en el sustrato
de silicio intervienen directamente en la cintica de oxidacin.

Si + O = SiO + dislocaciones + tensiones en la red

2
2

Dutton

(3)

Si alguna porcin del silicio se oxida mediante el mecanismo planteado en la ec. (4),
la velocidad de la reaccin depender de la existencia de vacancias y cualquier factor que altere
su concentracin deber afectar a la velocidad de oxidacin.

La reaccin de oxgeno con vacancias de silicio, se ha utilizado para justificar cualitativamente

que el silicio densamente dopado se oxide ms rpido.

En este caso el sustrato es extrnseco a la temperatura de oxidacin, por lo cual el nivel de Fermi
no se encuentra a la mitad de banda prohibida (Eg).

Puesto que Siv puede existir con distintos niveles de carga (V+, V-, V=),
la concentracin de las vacancias con carga dependen de la posicin en el nivel de Fermi.

En el semiconductor n+ y p+ se tiene una gran concentracin de Siv, con el consecuente incremento de

la velocidad de oxidacin.

Si + Siv = (Si - Siv)complejo

(Si - Siv) + O2 = O + (Si - O)complejo

(Si -O) + Siv = (Si - O - Siv)complejo

(Si - O - Siv) + O = SiO2

(4)

El mecanismo (5) representa la reaccin de oxidacin cuando se tiene la presencia de silicio

intersticial.

Los procesos de difusin pueden activarse aun ms bajo el mecanismo de oxidacin, este
mecanismo se explica en funcin de la presencia de silicio intersticial, el cual es generado
durante la oxidacin.

La presencia de silicio intersticial se utiliza para modelar la cintica de crecimiento de fallas de

apilamiento inducidas por oxidacin (OSF).

Se cree que solo un pequeo porcentaje (<< 1%) de Sil se desplaza desde la interface hacia el
interior del sustrato, pero suficiente para crear los efectos mencionados.

2Si + O2 = O + Si1 + (Si - O) complejo

Si + (Si - O) = (Si - O - Si) complejo

(Si - O - Si) + O = SiO2 + Sil

(5)