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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

* Corriente

continua * Corriente alterna * Impulsos o trenes de ondas

Disparo por corriente continua.


Las condiciones requeridas por el dispositivo podemos encontrarlas en
grficos tpicos, como el de la figura siguiente, referido a un tiristor de
General Electric:

05/02/03

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Para el cto de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de


6V, es apropiada para el disparo del tiristor BTY79.
Sustituyendo, obtenemos un valor de V Smx =
7V, por lo que podemos decir que la fuente
de 6V es apropiada para el correcto
funcionamiento del cto.

VS min R S mx I o Vo
PGAV = 0.5W
RGMAX = 32

R G (mx)

R S(mn) R G (mx)

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VS(mx)

PGM

VSmx
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VS min = 4.25V.

PGAVmx
R Gmx

R Smn R Gmx

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por corriente alterna


Para el cto de la figura, en el que se representa un control bsico de potencia
con disparo por corriente alterna,
1) Calcular el ngulo de disparo para R = 5K, 8K, 10K.
2) Determinar la tensin media entregada a la carga y comparar con la obtenida
con PsPice.
DATOS:

Ve(RMS) = 28.4V;

RL = 20; D = 1N4148;

SCR 2N1595 IGT = 2mA;VGT = 0.7V

Ve R L R I G VD VGK

wt arcsen

11.44
17
28.4 2

Para R = 5K,
5K sustituimos y determinamos Ve:

Ve 20 5K 2 10 3 0.7 0.7 11.44V


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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Para R = 8K

Para R = 10K

wt 26

wt 33

La curva obtenida mediante PsPice para el caso R = 5K es:

VDC

05/02/03

180
1
V

Vm senwt m cos180 cos17 12.5V


2 17
2

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

EJERCICIO PROPUESTO
En el cto de la figura, Determinar:
1.- Valor del ngulo de disparo del SCR.
2.- Valor instantaneo de la tensin de entrada que produce el apagado
del SCR.
3.- Formas de onda asociadas al cto.
DATOS:
VE = 17V;
R2 = 500;

RL = 100;
VD = 0.7V

SCR: IGT = 2mA; VGT = 0.7V;

R1 = 5.5K;

VTM = 1.1V;

IH = 5mA
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por impulso o trenes de ondas


La ventaja al introducir un pulso frente a una seal continua, ser la menor potencia que debe
disipar la puerta, as como poder ampliar las tolerancias entre las que nos podemos mover. La
seal de puerta debe ser aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el
semiconductor alcance el valor de la corriente de enganche
Disparo por impulso nico
El cebado por impulsos, permite una
potencia de pico superior a la potencia
media de puerta admisible.
Es posible reducir a un valor mnimo el
retardo que existe entre la seal de puerta
y la subida de la corriente de nodo
sincronizacin muy precisa.
Se reduce la disipacin de potencia
debida a la corriente residual en las
proximidades del nivel de cebado.
El cto de puerta debe ser atacado,
atacado preferentemente, con un generador de corriente.
corriente
La corriente de mando > corriente mnima.
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por impulso o trenes de ondas


Disparo por trenes de ondas

Que ocurre con carga inductiva

Ampliar la duracin de cada pulso (Curva C).


Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el termino de cada
semiciclo (Curva D).
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por impulso o trenes de ondas


Disparo por trenes de ondas: Transformador de impulsos
N = Nmero de espiras.
S = Seccin del cto magnetico.
B = Induccin.

U2 N S
B

dB
dt

U2
U
dt 2mx t
N S
N S

t mx

N S Bmx
U 2mx

t mx U 2mx N S Bmx

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Ctos de mando
Los ctos con tiristores y triacs se emplean en aplicaciones en las que el
elemento realiza funciones de coduccin:
* Todo o nada * Todo o nada proporcional * Control de fase.
En el caso en que el tiristor ( triac) trabaje en el modo todo o nada,
nada se
presentan dos posibilidades:
posibilidades
Que trabajen como rels estticos.(
estticos todo o nada)
Que trabajen como variadores de potencia en la carga.

Rels estticos
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Variadores de potencia
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Control de fase
SCR

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TRIAC

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )


Detector paso por cero P
Comparador Q
Interuptor mando S

Modo 1:Carga resistiva


Impulsos de corta duracin

Modo II: Carga inductiva


Impulsos de larga duracin

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono.
(todo o nada con margen proporcional )

Control
temperatura

Todo o nada con y


sin histresis

Todo o nada con


banda proporcional
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono.
(todo o nada con margen proporcional )
Generador triangular
Consigna T

Comparador

Temperatura

Circuito
lgico

Amplificador
seal

Red
Detector de paso por cero

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

Control temperatura, con reduccin del


consumo por noche o ausencias
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Sea el circuito de control de potencia de la figura: Dibujar la seal de salida


en la carga, para una tensin Ein de 2.5 voltios dc y y seal rampa Vref de 5
voltios de amplitud

Demostrar que

VRMS c arg a VRMS D


siendo

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D Ton / T

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Control de disparo por ngulo de conduccin.


(Control de fase)
El principio en el que se basa este tipo de control consiste en retardar de
manera sistemtica el instante de disparo del dispositivo introduciendo una
constante de tiempo, que inicialmente era obtenida mediante circuitos R C,
pero que en la actualidad se consigue, entre otras formas, mediante el
principio que vamos a estudiar a continuacin.

Circuitos de control de puerta

arccos

U cm

Ur

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Ejemplo: Control sistema trifsico

http://www.iie.edu.uy/
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

05/02/03

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Ejercicio propuesto
Rectificador totalmente controlado con cuatro tiristores en los que controlamos el
ngulo de retardo en la conduccin y por tanto controlamos la tensin media
entregada a la carga. Comentar el funcionamiento del circuito de control y dibujar la
seales en los principales puntos del circuito y la seal que tendremos en la carga.
Que seal es la que hace que vare el ngulo de retardo?

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

05/02/03

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores


Vcc
R2
10k
Tr1
220 v ac

D1

R1

4148

18k

T1
Bc109

D2
4148
T2

Bc109

C1 100nF
Vcc
-Vcc

U1A

R3
100k

Vcc

P1
25k

U2A

TL082
-Vcc

D3

Vcc

P2
4k7

TL082

4148

R4
180

-Vcc

Figura 1.3 Circuito de control.

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Figura 1
Detector
de
cruce por cero

Generador
de Rampa

Mdulo de
Disparo

Mdulo de
Potencia

Mdulo
PWM

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Generador de Rampa

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Modulo PWM

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Modulo de Disparo

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Modulo de Potencia

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Cto integrado TCA 785 de SIEMENS


Este cto es muy empleado en el control de fase, por lo que se utiliza para el control de
tiristores, triacs y transistores.
Los pulsos de disparo pueden variar entre 0 y 180.
Los ctos ms tpicos en los que se utiliza son: convertidores, control de corriente alterna,
etc.

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Comentar los circuitos de control de potencia presentados


en las figuras siguientes

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo con elementos semiconductores( disparo por


red RC)
Datos: V = 220V/50Hz; R = 200K;
e

R2 = 500;

XC

C = 0.1F

1
1

31830.9
6
wC 2 50 0.1 10

R R 1 R 2 200.5K
XC
arctg
9
R

qu inconveniente tiene este circuito?

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UJT( transistor uniunin). Elemento de baja potencia


utilizado para control de SCR y triac

Vp=VE>VD+(R1/R1+R2)VBB ( Cond. de disparo)

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(R1/R1+R2)=

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Caracteristicas UJT

Vv

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Ip

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Iv

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Condicin de oscilador de relajacin . Zona de resistencia


negativa inestable

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

VP VBB VD

PP3

Vp

T
PP1

PP2

Oscilador relajacin con

PP1

UJT T=RCln(1/1-)
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Determinar en el cto de la figura :


1.- Valores mximo y mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta
oscilacin.
2.- Determinar el valor de los dems componentes
3.- Simulacin del circuito mediante el programa Multisim.
Datos:

VBB = VCC = 20V;

UJT:
= 0.6;
0.01... 0.1s
R max

VP = 12.5V.

CA = 1F; RB1 = 100

IV = 10mA;
VBB VP
IP

VV = 2V; IP = 5A; TD =
R min

VBB VV
IV

condicin de oscilacin:
oscilacin
VBB VP
V VV
R BB
IP
IV
Rmx = R1 + R2 = 1.5M ; Rmn = R1 = 1.8K

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Para los requerimientos de oscilacin: TD = 0.01 0.1s


ttotal = tON + tOFF
tOFF = Tiempo o periodo de carga de C, durante el cual, el tiristor
t
R C
VC (inicial) de
VC (final)
VC C.
(final) e
est bloqueado.tON = TiempoVCo(t)periodo
dedescarga
Normalmente, t V >>t V,
t OFF R C ln OFFBB ONV
VBB VP

TD = 0.01s
TD = 0.1s

Rmn = 11.4K
Rmx = 113.6K

Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente.

VP = VBB + VD VBB

VBB >>> Vv;


t OFF
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1
T R C ln
1
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Rp=10k, 100K

Sabrias demostar que


el periodo es el
indicado y vp?
(1.98ms-7.43)
(2.85ms-7.47)

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna


de onda completa. Observar como es este montaje es posible controlar
una seal alterna con un SCR mediante la configuracin del puente y
del propio SCR.
1.- Disearlo.
2.- Simular el circuito mediante Multisim.

Datos: Ve = 220V;
f = 50Hz; PL = 180W;C
= 0.2F; RB1= 20;
RB2= 100 fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz;
ZENER:

Vz = 25V; IF = 2mA;

UJT:VD= 0.5V;

= 0.77

Utilizando estas grficas para un valor


VB1B2 = VZ = 25V, calculamos los valores
de IP, IV, VV.

VP VBB VD 19.75V

IP = 1A; IV = 8.5mA;

R mn 2.74K

VV = 1.72V

R mx 5.25M

TD 1.5 R C
TD1

1
1
1.5 R C R mx R 1 R 2 33.3K TD2 1.5 R C R mn R 1 3.7K
f2
f1

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Ve V0 senwt 311 sen15 80.5V


R3

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V0 VZ 80.5 25

9.25K
I
6mA

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Rectificador
controlado onda
completa en puente

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Cto de control de potencia Rampa Pedestal


El valor del escaln es fijado por una tensin de referencia,
referencia de nivel
ajustable, siendo la rampa una tensin de referencia que se superpone al
valor del escaln necesario para disparar al tiristor en un punto umbral
fijo.

VC1=V2
VR3
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Cargador de baterias
basado en UJT

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

PUT.
El Transistor Uniunin Programable es un dispositivo de disparo muy
usado en ctos de disparo por puerta para los tiristores.
tiristores Tiene tres
terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y puerta (G).
Es un pequeo tiristor con puerta de nodo Presenta caractersticas de
disparo parecidas a las del UJT,
UJT cuando es utilizado en los osciladores
de relajacin,
relajacin pero presenta la ventaja de poder ser programado para
determinar el valor de , VP e IV.
La operacin del PUT, depende de la tensin que tengamos aplicada entre
el nodo y la puerta del dispositivo:

VG
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RB
VBB
RA RB

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

PUT como oscilador de relajacin.


RA, RB y el condensador C, ajustan el
retraso de VP.
R Amn

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VBB VV
IV

R Amx

VBB VP
IP

t off C R A ln

1
R R2
C R A ln 1
1
R2

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

DIAC(Diode Alternative Current)


elemento de pequea potencia utilizado para disparar al triac
El Diode Alternative Current es un dispositivo formado por tres
capas de silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales
principales de conduccin. No tiene terminal de control.

La caracterstica V - I del dispositivo


no es lineal,
lineal aunque es simtrica en
ambos sentidos de circulacin,
circulacin Es
decir, se trata de un dispositivo
bidireccional y simtrico.
simtrico
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por DIAC

Vth
V

Vc
VBO

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Este cto sufre un fenomeno de histeresis:


histeresis para una misma
potencia, el ajuste del potenciometro difiere segn se est
reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este
fenmeno es producido por la carga residual del condensador.

V2,0
V3,0

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Diseo de la red de temporizacin


Para el diseo de la red de temporizacin deberemos calcular el valor de los
componentes R3 C para que el ngulo de conduccin C pueda variar entre
los lmites deseados.
La resolucin analtica de este
tipo de circuitos es laboriosa, por
lo que se han confeccionado una
serie de curvas para poder llevar
a cabo el diseo.

Estas curvas expresan la relacin existente entre el nivel de tensin con


que se carga C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensin de
lnea en funcin del ngulo de conduccin y del parmetro = 2RCf,
siendo f la frecuencia de la tensin de la lnea.
05/02/03

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

C1 2 P1MAX C f

C 2 2 P1MIN C f
VP VP V
VRMS(lnea)

05/02/03

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disear el cto de control de potencia de onda completa


con DIAC, sabiendo que presenta doble constante de tiempo.
TRIAC (MAC3020): VDRM = 400V;

IDRM = 2mA;

MT2 (+), G(+) IGT = 30mA VGT = 2V


DIAC ( DB3 ):

V(BR)

12

= V(BR)

VTM = 2V; IH = 40mA;

MT2 (-), G(-) IGT = 30mAVGT = 2V

21

= 32V;

V12 = V21 = 5V

Fijamos C2 de 0.1 F,

VP VP V 32 32 5

0.268
VEF(lnea)
220
ngulos de conduccin C1 = 30 y C2 = 150

(C1) 3.5 ; (C2) 0.25

R2

( C1 )
3.5

350K
2 C 2 f 2 0.1 10 6 50

R2

( C2 )
0.25

25K
6

2 C 2 f 2 0.1 10 50

El valor de R1 debe ser menor que la valor mximo de R2, por lo que R1 tomar un
valor de 100K.
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Vth

Vc

ngulo de
conduccin
mnimo

ngulo de
conduccin
mximo
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Acopladores pticos con tiristores


Un acoplador ptico, est constituido por la asociacin dentro de una
misma cpsula de un fototiristor y de un diodo LED.
LED Este tipo de
dispositivos nos va a permitir un buen aislamiento galvnico entre el cto
de potencia y el de control.
En la figura siguiente tenemos representado el esquema interno de un
acoplador ptico con tiristores y su aplicacin al control

Cargas Resistivas
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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Cto de control de potencia con opto-acoplador y triac


Nos basaremos en el cto de la figura:

En la prctica, RC suele estar


comprendido entre los
valores 310 y 460.

VL R C I GT VTM (Optoacoplador) VGT (Triac)

RC limita la corriente a travs del optoacoplador. El mximo valor de la


corriente permitida a travs del optoacoplador (ITSM), determina el valor
mnimo de RC. Considerando una tensin de red de 110V, cabe esperar un
VIN(pk) 187
pico de tensin VIN(pk).
R Cmn

155.8
I
1.2
VIN(pk) 1.2 110V 2 187V
TSM
De fabricante VTM = 1.8V y que IGT = 40mA
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R C (mx)

VIH VTM
957.75
I GT

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Ejemplo de interface para control digital

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Arrancador esttico de motor corriente alterna

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Arrancador con
cambio de giro

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

http://www.ipes.ethz.ch

http://www.iie.edu.uy/

Pantalla tutorial iPES

http://www.epe_asociation.org
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