INGENIERA MECNICA

ELECTRONICA ANALGICA Y DIGITAL

Grupo 3

Tema : Transistor MOSFET

Integrantes: Julio Campos

Alex Caiza
David Campos
Edison Ushia

1.INTRODUCCION
TRANSISTOR MOSFET
Las siglas MOSFET corresponden a la descripcin de su estructura:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Transistor de Efecto de Campo Metal Oxido Semiconductor.
En 1930 el fsico austrohngaro Julius Edgar Lilienfeld desarroll en forma terica la
estructura y funcionamiento de los transistores de efecto de campo, e inclusive introdujo
patentes, pero no fue posible fabricar este dispositivo hasta varias dcadas despus, en los
laboratorios de la Bell Thelephone Company, por los mismos desarrolladores del transistor
bipolar.
En 1959, Dawon Kahng y Martin M. Atalla, tambin en los Laboratorios Bell, inventaron el
transistor de efecto de campo metal- xido-semiconductor MOSFET, (tambin llamado
IGFET), como un avance y mejora sobre el diseo del transistor FET patentado.

Existen distintos smbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El diseo bsico
consiste en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del canal en ngulo recto
y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para indicar la fuente y el drenaje.
En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de
enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la puerta.

2. CARACTERISTICAS
Es

untransistorutilizado para amplificar o

conmutarseales electrnicas.

Una

estructura metal-xido-semiconductor
(MOS).

Tiene

una estructura NPN.

La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un

Substrato de silicio, puro o poco dopadopon, sobre el cual se genera una
capa deOxido de Silicio(SiO2)
Es un dispositivo de cuatro terminales llamados: fuente (S, Source), drenador
(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk).

Las uniones puerta-drenador y la surtidor-puerta estn polarizadas en

inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de
saturacin de la unin pn.

La zona n (en el fet canal n) es pequea y la amplitud de la zona de

deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. la longitud de la zona de
deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

3. FUNCIONAMIENTO

Un transistor Mosfet conduce corriente elctrica entre dos patillas cuando

aplicamos tensin en la otra patilla (una tercera patilla). Es uninterruptor
que se activa por tensin

Se activa cuando ponemos a una tensin mnima en la patilla del transistor

llamada Gate. Los otros dos terminales se llaman sumidero (entrada) y
drenaje (salida)

La palabra MOS significa "Metal Oxido Semiconductor, donde se usa un xido

como dielctrico o aislante.

Tiene 4 partes pero solo 3 terminales, ya que el sustrato est unido siempre a la puerta (gate),
formando
una
nica
patilla
del
transistor.
S y D = semiconductor/es. A un lado est la patilla llamada sumidero o fuente (S). Al otro
lado la patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos terminales pasa la
corriente
cuando
activamos
G
por
medio
de
tensin.
G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el xido.
P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D. En la imagen
de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P. Podra ser al revs, como puedes
ver
en
la
imagen
de
la
derecha.
El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal. Es la zona que
hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensin entre S y D.

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal

llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado
drenador (drain), mediante la aplicacin de una tensin (con un valor
mnimo llamada tensin umbral) en el terminal llamado puerta (gate).

Es un interruptor controlado por tensin. Al aplicar tensin conduce y cuando

no hay tensin en la puerta no conduce.

Se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje

aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente

4. Aplicaciones del
Transistor MOSFET

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de

tipo CMOS.

El mosfet tiene dos tipos:

Canal N (NMOS) donde la corriente elctrica se debe al paso de electrones.

Canal P (PMOS) donde la corriente elctrica se debe al paso de huecos.

La estructura CMOS utiliza los 2 tipos de MOSFET.

En su estructura bsica se presentan como un par de interruptores que

actan de forma complementaria.

De esa caracterstica viene su nombre MOS COMPLETARIO.

Estos son empleados comnmente en:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia.

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Combinando miles de estructuras similares se fabrican los procesadores
actuales.