TRANSISTOR DE EFECTO

CAMPO (FET)

DEFINICIN
Eltransistor

de efecto campo es en realidad una familia

detransistoresque se basan en elcampo elctricopara
controlar
la
conductividad
de
un
"canal"
en
un
materialsemiconductor.
Los
FET
pueden
plantearse
comoresistenciascontroladas pordiferencia de potencial.

La

mayora de los FET estn hechos usando lastcnicas de

procesado de semiconductoreshabituales, empleando la oblea
mono cristalina semiconductora como la regin activa o canal.

CARACTERSTICAS
Un

transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por

una barrita de material P o N, llamada canal, rodeada en
parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que
forma
con
el
canal
una
unin
p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones
hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y
fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate)
en el collar.

REPRESENTACIN GRFICA TRANSISTOR FET

SIMBOLOS GRFICOS PARA:

FET DE
CANAL N

FET DE
CANAL P

FUNDAMENTO DE TRANSISTORES EFECTO

CAMPO
Los

transistores son tres zonas semiconductoras juntas

dopadas alternativamente con purezas donadoras o
aceptadoras
de
electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

DE EFECTO DE CAMPO (FET)
ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se
comporta como una resistencia variable dependiente del valor
de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia
que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos
valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor

amplifica y se comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

DIAGRAMA DE ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

PRINCIPALES
APLICACIONES DE
DISPOSITIVOS FET