ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL

LITORAL

Electrnica I

ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DEL LITORAL

Electrnica I
Unidad Acadmica:
Facultad de Ingeniera en Electricidad y Computacin

Carreras:
Ingeniera en Electricidad

Especializacin en Electrnica y Automatizacin industrial

Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones

Ingeniera en Telemtica

Pre-requisito: Anlisis de Redes I

Horas por semana: 4 tericas
Profesor: Ing. Dennys Cortez Alvarez
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Electrnica I
Bibliografa:
Dispositivos Electrnicos y Teora de Circuitos: Boylestad,
Nashelsky-> Prentice Hall
Principios de Electrnica: Albert Paul Malvino-> Mc. Graw Hill
Circuitos Microelectrnicos: Sedra / Smith->Oxford University
Press

Software:
Orcad Simulador Electrnico
"MATLAB & SIMULINK: The Language of Technical
Computing, Student Edition V 7.01, The Mathworks Inc. o
posterior

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Electrnica I
Evaluacin:
Examen parcial y final
Tareas
15%
-Ejercicios
-Investigaciones
Lecciones
15%
-Sorpresa entre semana 2 y 4
-Avisada semana 4
Examen
70%
Examen de mejoramiento
Examen
100%
Nota.-Actuacin en clases adicional hasta 5%
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Dispositivos de dos terminales y

optoelectrnica
Introduccin
Diodo Schottky
Diodo Varicap
Diodos Tunel
Fotodiodos
Celdas fotoconductivas
LED y emisores de infrarrojo
Indicador de 7 segmentos
Celdas solares
Termistores
Varistores
Algunas aplicaciones de estos elementos

Diodo Schottky
Diodo rpido de alta velocidad para aplicaciones de
alta frecuencia y muy bajo ruido.
Su construccin muy diferente al diodo convencional
por el hecho que se crea una unin semiconductora de
metal. El semiconductor es Silicio tipo n (algunos
casos tipo p) unido a un metal que puede ser
Molibdeno, Platino, Cromo o Tungsteno.

kV d

I d I s (e

Tk

1)

k 11600 ... : dependiente _ de _ la _ construccin

Diferentes tcnicas de construccin => Diferentes
caractersticas de operacin a altas frecuencias as
como tambin menor voltaje de operacin.
En los ltimos aos aplicado a la construccin de
fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
en los convertidores de ca a cd, otras aplicaciones en
equipos
de
comunicaciones,
instrumentacin,
convertidores analgicos a digitales

ContinuacinDiodo Schottky
Algunas caractersticas tpicas:
Voltaje Inverso de Pico de alrededor de 50V
Voltaje de polarizacin directa de 0.2V
Corrientes entre 0.5A y 40 A
Temperatura de operacin entre -65 y 150
grados Celsius
Tiempo de recuperacin de 10 ns
Frecuencia de trabajo de 20GHz

Diodos Varactores (Varicap)

Diodos de capacitancia-voltaje variable.
Semiconductor dependiente del voltaje
inverso aplicado a sus terminales.
Datos a considerar en la seleccin:
Capacitancia
C3/C25 Razn de capacitancia

C t Capaci tan cia _ de _ transicin

Ct

A
Wd

permitividad _ de _ los _ materiales

Wd ancho _ de _ la _ regin _ de _ agotamiento
A area _ de _ la _ uniom _ n p

Algunas caractersticas tpicas:

Voltaje inverso 0 a 30V
Capacitancia 29 pF a 3V y 5.1 a 29V
Corriente inversa 10 nA
Temperatura mxima de la unin 150
grados Celsius

ContinuacinDiodos Varactores (Varicap)

Algunas aplicaciones:
Circuitos de alta frecuencia
Moduladores de FM
Dispositivos de control automtico
de frecuencia
Filtros pasa banda ajustable

fp 1

2 L 2(C t C c )

Diodo Tunel
Leo Esaki lo introdujo por primera vez en 1958
Su principal caracterstica es que presenta regin de
resistencia negativa, esto es un incremento en el voltaje
entre los terminales, causa una reduccin de la corriente
en el diodo.
Se logra esto dopando a la unin n-p en un nivel de cien
a miles de veces que un diodo convencional, teniendo
una regin de agotamiento bastante reducida 10^-6 cm o
por lo comn alrededor de 1/100 del ancho de un diodo
semiconductor comn. Aplicaciones principalmente en
osciladores y generadores de seales.

X ls 2fLs
Ls debido _ a _ los _ ter min ales

Caractersticas tpicas:
Diodo rpido con tiempos de conmutacin del orden
de los nanosegundos o pico segundos.
Corriente de pico desde unos microamperios a varios
cientos de amperios.
Voltajes de polarizacin pequeos
Reducido potencial zener por el nivel alto de dopado
Baja potencia por el orden de los mW
Alta confiabilidad
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Fotodiodo
Elemento muy ampliamente utilizado en la optoelectrnica de
W
la actualidad por su alta velocidad de conmutacin y su
W : Energia _ transmitida
confiabilidad.

* f

: Cons tan te _ de _ Planck 6.624 *10 34 joules segundos

f : Frecuencia _ de _ la _ onda _ viajera

El fotodiodo es un semiconductor de unin n-p cuya regin de

operacin esta destinado a la polarizacin negativa.
Los materiales semiconductores utilizados para su
construccin son principalmente el Selenio, Silicio y
Germanio.

f
: Longitud _ de _ onda _ en _ metros
: velocidad _ de _ la _ luz _ 3 * 10 8 m / s
f : Frecuencia _ de _ la _ onda _ viajera _ en _ Hertz

1 Angstron (A) =1 micrmetro

Flujo luminosos => 1 lm=1.496*10^-10W
Intensidad luminosa => 1 lm/pie^2= 1fc=1.609*10^-9W/m^2
fc= pie-candela
Comportamiento casi lineal de la corriente inversa en funcin
de la intensidad luminosa
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ContinuacinFotodiodo
Algunas de las aplicaciones mas usuales, tenemos:
Sistemas de control remoto
Para equipos de seguridad y vigilancia
Sensores de movimiento
Barreras electrnicas
Mquinas industriales
Transmisin de datos
Seguridad industrial (paro emergente)
Contadores
Puertas automticas
Ascensores
Detectores de humo (sistemas contra incendios)
Sistemas de posicionamiento (Encoder)
Impresoras
Equipos de robtica
Industria
Investigacin
Instrumentacin,
Etc

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Celda fotoconductiva, fotoclula o LDR

Dispositivo semiconductor de dos terminales cuya
resistencia interna variara con la intensidad de luz
incidente. Tambin es llamado resistor fotoelctrico,
dispositivo fotoelctrico o fotocelda.
Al aumentar la intensidad luminosa sobre el dispositivo,
se incrementa el estado de energa de un gran nmero
de electrones, dando como resultado un mayor nmero
de electrones libres.

R * Vi
Vo
R R1

Los materiales ms utilizados para su construccin,

tenemos el Sulfuro de Cadmio (CdS) y el Seleniuro de
Cadmio (CdSe). La respuesta espectral mxima para el
CdS, ocurre aproximadamente a 5100 Angstron (verde)
y para el CdSe de 6150 Anstrong (anaranjado).
El tiempo de respuesta esta entre 10 y 100ms para las
celdas de CdSe
La resistencia vara entre 100 ohm y 100Kohm con
cambios de la intensidad luminosa entre 1000fc y 0.1fc.
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ContinuacinCelda fotoconductiva
Algunas de las aplicaciones mas importantes son:
Sistemas de luces automticas (alumbrado pblico)
Equipos contra incendio
Sistemas de conteo
Barreras de seguridad fotoelctricas
Ascensores
Sistemas de seguridad en hornos de combustin
Robtica
Sensrica
Etc

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LED y emisores infrarrojos

Los diodos electro luminiscentes (LEDs) son diodos
emisores de luz no coherente (longitudes de onda con
fases entre 0 y 360 grados) en el rango del espectro
visible.
Los principales elementos utilizados para la fabricacin
de los LEDs son: el galio, arsnico, y el fosforo cuya luz
emitida es de color roja, verde, amarilla, azul, naranja o
infrarroja
La tensin de polarizacin directa esta por alrededor de 2
voltios, con un consumo promedio de aproximadamente
25 mA. Los LEDs no soportan un voltaje inverso
elevado, cuyo valor mximo oscila por los 6 voltios.
Existen presentaciones en dos colores con dos o tres
terminales

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ContinuacinLED y emisores infrarrojos

Las aplicaciones estn por todas partes, pues han
sustituido a las lmparas incandescentes puesto que
requieren muy poca tensin de alimentacin, muy poca
corriente y tienen una vida til muy larga del orden de
las 100.000 horas de operacin.
Algunas aplicaciones son mencionadas:
Indicadores luminosos en equipos electrnicos
Sustituto de lmparas incandescente en sistemas
decorativos
Anuncios publicitarios
Semforos
Comunicacin por fibra ptica
Fuente principal de luz artificial (en investigacin)
Controles remotos
Lectores de cdigos de barras
Sensores de movimiento
Sistemas industriales
Sensrica
Etc
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Indicadores de 7 segmentos
Se trata de un arreglo de 7 diodos electro luminiscentes
dispuestos de tal manera que se forma un mostrador de 7
segmentos formando el nmero 8.
Existen en configuracin de nodo comn y en ctodo
comn.
Al igual que los LEDs las presentaciones vienen en
diferentes colores, siendo el ms comn el color rojo.
Deben ser conectados a la alimentacin a travs de
resistencias en serie con cada segmento, para limitar la
corriente a los valores de polarizacin.
Encendiendo cada segmento por separado, se pueden
representar los nmeros del 0 al 9 y las letras A, b, C, d,
E y F.

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Celdas solares
La construccin bsica de una celda solar es la unin n-p de materiales semiconductores de
selenio, silicio, arseniuro de galio, arseniuro de indio y el sulfuro de cadmio.
La energa fotnica que incide sobre la celda solar, que al chocar con un electrn de valencia le
imparte suficiente energa para que abandone al tomo y se produzca una corriente elctrica.
El voltaje generado en circuito abierto Voc es una funcin logartmica de la intensidad
luminosa, mientras que la corriente de cortocircuito Isc es lineal con la intensidad luminosa. El
silicio tiene una eficiencia de conversin mas alta, mayor estabilidad y est menos sujeto a la
fatiga.
Considrese 1KW/m^2 de potencia solar al nivel del mar
La eficiencia actual de los paneles solares esta entre el 10 y el 40%
Las aplicaciones son variadas como energa alternativa:
Cargadores de bateras
Alimentacin solar para equipos remotos donde no se dispone de alimentacin convencional
Sistemas de luces
Investigacin
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ContinuacionCeldas solares

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Termistores
Es un resistor sensible a los cambios de temperatura
Los principales materiales con los que se construyen son
el Ge y el Si, o de una mezcla de xidos de cobalto,
nquel, estroncio o manganeso. El compuesto empleado,
determinara si tiene un coeficiente positivo o negativo
de temperatura, (PTC o NTC).
La temperatura se la puede cambiar interna o
externamente al circuito
Las principales aplicaciones, estn en el campo del
control y medicin:
Sistemas de proteccin de sobre temperatura de
circuitos electrnicos
Sistemas contra incendios
Sensores de calor
Medicin de temperatura
Etc
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