Вы находитесь на странице: 1из 54

Universidade Federal do Rio de Janeiro

Escola Politcnica
Departamento de Eletrnica e Computao (DEL)

Eletrnica I
EEL 315

Maurcio Cagy
Programa de Engenharia Biomdica (PEB)

Bibliografia
Desoer, C.A.,

Kuh, E.S., Basic Circuit Theory,


McGraw Hill, 1967.

Sedra, A.S.,

Smith, K.C., Microelectronic Circuits,


3rd. ed., Harcourt Brace College Publishers, 1991.

Nascimento,

D., Slides das Aulas de Eletrnica I


DEL-UFRJ, 2009.

Temas Gerais
Introduo

aos elementos discretos lineares;


Conceitos bsicos da Teoria de Circuitos;
Dispositivos semicondutores passivos e
ativos;
Desenho de circuitos eletrnicos simples
com amplificadores operacionais.

Abordagens
Dimenses

comparveis ao menor
comprimento de onda () dos sinais de um
circuito (ex.: linhas de transmisso):
Modelos de parmetros distribudos;
Leis de Maxwell;

Dimenses

<< :

Modelos de parmetros concentrados;


Leis de Kirchhoff.

Grandezas Fundamentais

Tenso

(diferena de potencial d.d.p.):


grandeza escalar relacionada ao campo
eltrico unidade: volt (V);
Corrente: escalar relacionada ao fluxo de
carga eltrica unidade: ampre (A);
Potncia: taxa de variao da Energia
unidade: watt (W): P(t ) v(t ) i(t ) ;
Energia: trabalho realizado pela corrente
t
unidade: joule (J): U (t 0 ) 0 P(t ) dt .
0

Definies Iniciais
N

- qualquer ponto do circuito em que dois


ou mais terminais se liguem;
Ramo caminho nico entre dois ns
consecutivos;
Malha ou Lao - qualquer caminho fechado
seguido sobre ramos de um circuito.

Lei

Leis de Kirchhoff

de Kirchhoff de Tenso (LKT ou KVL):

A soma das tenses em uma malha, devidamente

orientadas, nula;

Lei

de Kirchhoff de Corrente (LKC ou KCL):

A soma das correntes que entram em um n nula.

Fontes Independentes...

Fonte

Independente de Tenso:
Pilha / Bateria

Fonte

Fonte DC (CC)

Fonte AC

Independente de Corrente:
Fonte DC (CC) ou AC

Elementos Bsicos
Smbolo

Resistor

Geral

Linear

VR = f (iR)

VR = R iR

Capacitor

VC g iC dt

Indutor

d H
di
V L h
hi L
dt
dt

1
VC VC (0) iC dt
C0

di L
VL L
dt

Associaes de Fontes de
Associao em srie:
Tenso

Veq = V1 + V2:

Associao

em paralelo:

S vlida quando V1 = V2 = Veq, caso contrrio, burla a


LKT.

Associaes de Fontes de
Associao em srie:
Corrente

S vlida quando I1 = I2 = Ieq, caso contrrio, burla a


LKC.

Associao

Ieq = I1+I2:

em paralelo:

Associaes de Resistores
Associao em srie:
Lineares

Req = R1 + R2 + ... + Rn

Associao em paralelo:
1
1
1 ;
1

...
Req R1 R2
Rn

Geq = G1 + G2 + ... + Gn

Associaes de Capacitores
Associao em srie:
Lineares

1
1
1
1;

...
Ceq C1 C 2
Cn

Seq = S1 + S2 + ... + Sn

VCeq(0) = VC1(0)+...+VCn(0)

Associao

em paralelo:

Ceq = C1 + C2 + ... + Cn;

VCeq(0) = VC1(0) = ... = VCn(0)

Associaes de Indutores
Associao em srie:
Lineares

Leq = L1 + L2 + ... + Ln;

iLeq(0) = iL1(0) = ... = iLn(0).

Associao em paralelo:
1
1
1
1

...
;
Leq L1 L2
Ln
eq = 1 + 2 + ... + n;
i (0) = i (0) + ... + i (0).
Leq
L1
Ln

Transformador
entre
tenses e nmeroIdeal
de espiras nos
enrolamentos primrio e secundrio:

Relao

v1 (t ) A1 sen(0t ),
v2 (t ) A2 sen(0t ),
A2 N 2

A1 N1

Conservao

da potncia:

v1 (t ) i1 (t ) v2 (t ) i2 (t )

Smbolo:

Sistemas Lineares de Primeira


Superposio:
Ordem
Resposta entrada nula (ZIR) (vh)
Resposta ao estado nulo (ZSR) (vh+vp)

Circuito

RC (t 0):

v
dv
dv 1
C
C
v0
R
dt
dt R
E v
dv
dv 1
E
VC E VR v, i R iC
C
C
v
R
dt
dt R
R

VC VR v, i R iC

ZIR: E = 0:
ZSR: V (0) = 0:
c

Resposta
completa.

Sistemas
Lineares
de
Primeira
Respostas:
Ordem
,t 0 ;
ZIR: v(t ) V e

1
t
RC

ZSR: v(t ) E (1 e

1
t
RC

Completa: v(t ) V0 e

), t 0

t
RC

E (1 e

1
t
RC

), t 0 .

ZIR

+ ZSR vs.
Transiente + Regime Permanente:
Transiente (ou transitrio): decai com o tempo;
Regime permanente: mantm-se com comportamento

intimamente associado
entrada:
1

v(t ) (V0 E ) e

RC

E , t 0.

Sistemas Lineares de Primeira


Circuito RL (t 0):
Ordem
ZIR: I = 0:

i L iR i, v R v L i R L

di
di
L R i 0
dt
dt

ZSR: IL(0) = 0:

i L I i R i, v R v L ( I i ) R L

Respostas:
ZIR: i (t ) I 0 e

R
t
L

,t 0

ZSR: i (t ) I (1 e

R
t
L

Completa: i (t ) I 0 e

Transiente

di
di
L R i R I
dt
dt

), t 0
R
t
L

I (1 e

R
t
L

), t 0

+ Regime Permanente:
R
i (t ) ( I 0 I ) e

t
L

I, t 0

Sistemas
Lineares
de
Primeira
Entrada senoidal (ZSR):
Ordem
Entrada: E (t ) A cos(t ), t 0 ;
1

Homognea: vh (t ) V0 e

1
t
RC

,t 0

Particular: v p (t ) A2 cos(t ), t 0 ;
Completa:
A2

v(t ) vh (t ) v p (t ) A2 cos e

A1 1C
R 2 ( 1C ) 2

RC

2 tan 1

1
t
RC

A2 cos(t ), t 0

Fontes

senoidais...
Impedncia Eltrica

Elementos simples operando em regime

permanente:
Resistor

Capacitor

i (t ) cos(0 t ) ;
v R (t ) R cos( 0 t ) ;
1
cos( 0 t ) dt
vC (t )
C

Indutor

v L (t ) L

d cos( 0 t )
dt

1
0C

sen( 0 t )

1
0C

cos( 0 t 2 ) ;

0 L sen( 0 t ) 0 L cos( 0 t 2 ) .

Senides
como
complexas:
Fasores
e exponenciais
Nmeros Complexos

Resistor

Capacitor

Indutor

iC (t ) e j0t i (t ) cos( 0 t ) Re iC (t ) ;
v R (t ) R cos( 0 t ) R i (t ) ;

v (t )

1
0C

iC (t )
j

cos(0 t ) Re
iC (t ) ;
Re
j 0 C
0 C

v L (t ) 0 L cos( 0 t 2 ) Re j 0 L iC (t ) .

Impedncia e Admitncia

Impedncia = Resistncia + Reatncia:

Resistores: resistncia R (real);


Indutores: reatncia indutiva XL( ) = L imaginria positiva;

Capacitores: reatncia capacitiva XC( ) = 1/(C) imaginria negativa.

Associao em srie: Z( ) = R + j (XL - XC) (soma fasorial).

Admitncia = Condutncia + Susceptncia (permitncia):

Resistores: condutncia G (real);


Indutores: susceptncia indutiva BL( ) = 1/(L) imaginria negativa;

Capacitores: susceptncia capacitiva BC( ) = C imaginria positiva.

Assoc. em paralelo: Y( ) = G + j (BC - BL) (soma fasorial).

Entrada
t ) ACircuito
[E(t)]: E (ao
;
1 cos(t ), t 0 RC...
Voltando
Sada [VC(t)]: v(t ) vh (t ) v p (t ) A2 cos e

Em regime permanente:

1
t
RC

A2 cos(t ), t 0;

v(t ) A2 cos(t )

A2

A1 1C
R 2 ( 1C ) 2

RC

2 tan 1

Funo de Transferncia ( funo de ):

H ( )

C
j
C

H ( )

1
C

R 2 ( 1C ) 2

A2 X C

,
A1
Z

H ( ) jX ( Z ) tan 1
2
C

RC

Equivalentes
Seja uma rede linear
de-uma-porta
Thvenin
e Norton

qualquer:

Caso os componentes passivos sejam

puramente resistivos:

Zeq = Req;

V AB
Req
i

Fontes 0

, VTh V AB i 0 , I N i V

AB 0

E
se
houver
um
elemento
no Abordagens:
linear?
Isolar o elemento no-linear e reduzir toda a parte
linear a um Equivalente Thvenin ou Norton:
Ex.:

Utilizar uma aproximao linear do elemento no-

linear:
modelos simplificados de uso geral;
modelos para pequenos sinais...

Juno

P-N:
O Diodo Semicondutor

Operao:
Equao geral:
I D I S (e

VD
n VT

1)

onde:
IS corrente de saturao ou de escala,
da ordem de 10-15 ~ 10-9 A (dobra aproximadamente a cada aumento de 5C);
VT tenso trmica 26 mV a 25C (kT/q);
n 2 para diodos discretos e 1 para
diodos integrados.
Para cada dcada de aumento de corrente,
aumento de cerca de 60 mV (n=1) ou
120 mV (n=2) na tenso direta;
VD entre cerca de 0,6 e 0,8 V na gama de operao de um diodo.

Diodo Modelos Lineares

Modelo de
Pequenos Sinais:

rd

n VT
ID

Polarizaes

deTipos
operao:
de

Direta / reversa:

Genrico (Vd 0,7V);


Schottky (metal-semicondutor; Vd 0,3V);
Tnel (GHz, efeitos qunticos);

Direta:

Schokley (PNPN - pulsos);


LED (Vd depende da cor);

Reversa:

Fotodiodo;
Varicap;

Ruptura:

Diodo

Zener.

Meia-Onda: de Diodos
Aplicaes

Retificador de

V
out

Vout 0, VS VD 0
R

(VS VD 0 ), VS VD 0
R rd

Tenso inversa de pico:

VIp = VSp

Onda Completa:
Aplicaes
de Diodos

Retificador de

Transformador com tomada central

V
out

Vout 0, VS VD 0
R

(VS VD 0 ), VS VD 0
R rd

Tenso inversa de pico:

VIp = 2VSp VD0

Onda Completa:
Aplicaes
de Diodos

Retificador de

Ponte de diodos

V
out

Vout 0, VS 2 VD 0
R

(VS 2 VD 0 ), VS 2 VD 0
R rd

Tenso inversa de pico:

VIp = VSp 2VD0 + VD0


= VSp VD0

Filtro Capacitivo:
Aplicaes
de Diodos

Retificador +

Capacitor C em paralelo com a carga R


Meia Onda

Vr

Onda Completa:

Vp
f C R

iDM I L 1 2 V p / Vr

iDP I L 1 2 2 V p / Vr

Vr

Vp
2 f C R

iDM I L 1 V p /( 2 Vr )

iDP I L 1 2 V p /( 2 Vr )

Aplicaes de Diodos

Regulador Zener:

VL VZ VZ 0 iZ r Z VS i R R
iR iZ i L

Anlise geral (via Thvenin):


V L VZ 0

rZ
R
VS
i L (rZ // R )
R rZ
R rZ

Regulao de linha:

VL
rZ

VS R rZ

Regulao de carga:

VL
(rZ // R )
I L

Circuitos

Limitadores
ou Ceifadores
(Clipping):
Aplicaes
de Diodos

Circuitos

Grampeadores
Aplicaes(Clamping):
de Diodos

Grampeador positivo:

Grampeador negativo:

de Tenso:
Aplicaes
de Diodos

Dobradores

Meia onda ou em cascata:

Onda completa:

Aplicaes de Diodos

Multiplicador de Tenso:

vs. Lineares:
Redes
de Duas Portas

Genricas

Parmetros-y:

I1 y11V1 y12V2

I 2 y21V1 y22V2

Parmetros-z:

V1 z11 I1 z12 I 2

V2 z 21I1 z22 I 2

Parmetros-h:

V1 h11 I1 h12V2

I 2 h21I1 h22V2

Parmetros-

I1 g11V1 g12 I 2
g: V g V g I
21 1
22 2
2

g11

g 21

I1
V1
V2
V1

g12
I 2 0

g 22
I 2 0

I1
I2

V1 0

V2
I2

V1 0

de duas portas
(idealmente, unidirecionais) que
Amplificadores
visam aumentar a magnitude de um sinal
preservando sua morfologia...
Simbologia:
Redes

Ganhos:

Vo
Io
Vo I o
A

Av Ai
de Tenso: v V , de Corrente: i I , de Potncia: p
Vi I i
i
i

Amplificador de Tenso ideal:

g11=0, g12=0, g22=0, g21=Av.

Representao

do
Ganho em decibis (dB):
Amplificadores

Ganho de tenso = 20log10(|Av|) dB;

Ganho de corrente = 20log10(|Ai|) dB;


Ganho de potncia = 10log10(Ap) dB.
No confundir valores negativos em Ax e em dB!

Se

o ganho de potncia maior que 1 (> 0 dB):

Potncia entregue carga > potncia recebida da fonte...


Necessidade de fonte externa:

Pdc = V1 I1 + V2 I2;

Pdc + PI = PL + Pdiss;

Eficincia:
P
L 100%
Pdc

Saturao:
Operao:

L
L
vi
Av
Av

Amplificadores

e Polarizao (Biasing):
Amplificadores

No-Linearidade
Operao:

Vi(t) = vi(t) + vi0;

Vo(t) = vo(t) + vo0;

vo(t) Av vi(t) :

dvo
Av
dvi

Tipo

Modelos para Amplificadores

Amplificador de
Tenso

Modelo

Parmetro de Ganho

Caractersticas
Ideais

Ganho de tenso de
circuito aberto

Ri =

Avo
Amplificador de
Corrente

io 0

io
ii

io
vi

vo
ii

Ro =

vo 0

Ri =
Ro =

(A/V)
vo 0

Transresistncia de
circuito aberto

Rm

Ri = 0

(A/A)

Transcondutncia de
curto-circuito

Gm
Amplificador de
Transresistncia

(V/V)

Ganho de corrente de
curto-circuito

Ais
Amplificador de
Transcondutncia

vo
vi

Ro = 0

(V/A )
io 0

Ri = 0
Ro = 0

Exemplos:

Amplificadores

Cascateamento de trs estgios de amp. de tenso:

Transistor bipolar (modelo simplificado de pequenos sinais):

Resposta

em freqncia:
Amplificadores

Ilustrao com base no Amp. de Tenso:


vi (t ) Vi sen(t )

vo (t ) Vo sen(t )

T ( )

Vo ( )
Vi

T ( ) ( )

Largura de banda (bandwidth - BW):

pontos de 3dB...

Resposta

em freqncia:
Amplificadores

Exemplo acoplamento DC (filtro passa-altas):

io = Gm.vi

Amplificadores Operacionais
Modelo

Real Simplificado vs. Modelo Ideal:


vo A vi A (v v )

Real Simplificado:

Ideal:

A muito grande; A
Ri muito grande;
Ri ;
BW: [0 , fH], fH muito grande.

vi

em operao linear

BW [0 , ).

Realimentao Negativa!!

0, para vo finito

Amplificadores Operacionais

Exemplo

Determine o ganho A para:

Gm = 10 mA/V;

R = 10 k;
= 100.

Amplificadores Operacionais

Estrutura

interna do famoso Amp. Op. 741:

bsicas (considerando
o modelo ideal):
Amplificadores
Operacionais

Configuraes

Amplificador No-Inversor

vo R1 R2

vi
R1

;
vi
Rin
ii
Ro = 0;

Amplificador Inversor

R2
R1

vi
R1
ii
Ro = 0.
Rin

Para R1 : seguidor unitrio (buffer unitrio).

Dificuldade prtica para


fazer A e Rin elevados...

- Amplificador Inversor
alternativo:
Amplificadores
Operacionais

Exemplo

vo
R2
R4 R4
A 1

vi
R1
R2 R3
Requisitos de projeto:

A = 100;
Rin = 1 M;
Rs 1 M.

Amplificadores Operacionais

Somador Inversor:

Rf
Rf
Rf
vo
v1
v2
vn
R2
Rn
R1

Amplificadores Operacionais

Amplificador Diferencial:

R2
v2 v1
vo
R1
Rin _ Diff 2 R1
Pontos fracos:

Baixa impedncia de entrada;


Dificuldade para alterar o ganho.

aplicaes com capacitor


e resistor:
Amplificadores
Operacionais

Algumas

Integrador

1 t
vo (t ) vc 0
v i (t ) dt

0
CR

Diferenciador

dv i (t )
vo (t ) C R
dt