Universidad Nacional del Callao

Facultad de Ingeniera Elctrica y

SEMANA 3:Electrnica
AMPLIFICADOR

*
EN EMISOR
COMN,
CARACTERSTICAS Y DIAGRAMA
Escuela Profesional de Ingeniera
DE
BODE.
Electrnica
*
SEMANA 4: AMPLIFICADOR EN
COLECTOR COMN Y BASE COMN,
CARACTERSTICAS.
PROFESOR:

ING. ABILIO BERNARDINO CUZCANO RIVAS

INTEGRANTES:
DAMIANO PREZ, ELVIS EUSBIO
1213220367
PIO DVILA, JEFFERSON ALEXANDER
1413220687
QUEZADA ALEGRA, HUGO EDWARD
1413220593

Amplificador mono
etapa en configuracin
Emisor comn
(semana 3)

AMPLIFICADOR DE
PEQUEA SEAL
Para que una seal sea amplificada tiene que ser
una seal de corriente alterna, ya que las
seales continuas no llevan informacin pero si
sirven para establecer el punto de operacin
delamplificador, lo cual permite que la seal
amplificada no sea distorsionada.

 Si el amplificador se optimiza para

amplificar la seal de voltaje, se le conoce
como amplificador de voltaje, en el caso de
amplificacin de seal de corriente, se
denomina amplificador de corriente y para
el caso de proporcionar una seal de
potencia, a este generalmente se le clasifica
como amplificador de potencia.
Para que un transistor opere como
amplificador debe estar polarizado en la
regin activa. El problema de la polarizacin
es el de establecer una corriente de cd.
Constante en el emisor (o colector). Esta
corriente debe ser predecible e insensible a

 Los comportamientos de los amplificadores

de seal pequea se puede determinar con
ayuda de algunas ecuaciones sencillas. Estas
ecuaciones se basan en modelos o circuitos
equivalentes del amplificador en cuestin. En
este caso los amplificadores BJT y FET de
seal pequeas.
En el anlisis de los amplificadores es
deseable considerar las escalas especficas
de frecuencias de las seales, esto permitir
el desarrollo de modelos simples y
proporcionar una visin del comportamiento
del amplificador.

AMPLIFICADOR MONOETAPAS
CON TRANSISTORES BJT EMISOR
COMN
El transistor bipolar est compuesto por 3
terminales: Base, colector y emisor; los
cuales son controlados por la corriente.
Existen 3 tipos de configuraciones de
transistores bipolares con caractersticas
particulares:

Emisor Comn.
Base Comn.
Colector Comn.

Procedimiento general de anlisis

Anlisis del circuito de polarizacin
1. Eliminar las fuentes de seal. Mantener
las de continua.
2. Sustituir los condensadores de
acoplamiento y desacoplo por circuitos
abiertos.
3. Sustituir los transistores por su modelo de
continua.
4. Hallar el punto de polarizacin de cada
transistor.

 Parmetros de pequea seal

5. De los datos de polarizacin del transistor, obtener
los parmetros del modelo de pequea seal (rp ,
gm...)
Anlisis de pequea seal
6. Eliminar las fuentes de continua, mantener las de
seal.
7. Sustituir los condensador de acoplamiento y
desacoplo por cortocircuitos.
8. Sustituir los transistores por su modelo de pequea
seal.
9. Hallar los parmetros que caracterizan el
amplificador (Av, Ri...)

AMPLIFICADOR MONOETAPAS
CON TRANSISTORES FET EMISOR
COMN
Son dispositivos sensibles a la tensin con alta
impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como
esta impedancia de entrada es considerablemente
mayor que BJT.
Los FET generan un nivel de ruido menor, son ms
estables con la temperatura y adems de ser ms
fciles de fabricar que los BJT, es posible fabricar un
mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado
(es decir, puede obtener una densidad de empaque
mayor)...
Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la
electricidad esttica.

 Los FET se comportan como resistores

variables controlados por tensin para
valores pequeos de tensin de drenaje a
fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les
permite almacenar carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como
elementos de almacenamiento.

Los FET de potencia pueden disipar una

potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

REGIN ACTIVA

La unin colector-emisor se polariza inversamente,

mientras que la unin base-emisor se polariza
directamente.

La corriente de emisor, que es la corriente de salida,

est formada por la suma de la corriente de base y la de
colector: Ie = Ic + Ib En la configuracin EC, tambin se
mantiene la relacin siguiente que se us en la
configuracin
BC: IC = IE

REGIN DE CORTE
Tanto la unin base-emisor como la unin colector-emisor de un
transistor tienen polarizacin inversa.

En la regin de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero.

Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el
corte para la configuracin EC se definir mediante: IC = ICEO
Para IB = 0A

La regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se requiere

una seal de salida sin distorsin.

Regin de corte

REGIN DE SATURACIN
Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un
transistor tienen polarizacin directa.

Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las

uniones estn en polarizacin directa, las corrientes se anulan.

Un transistor est saturado cuando: (IC = IE = IMxima)

Regin de saturacin

CARACTERSTICAS DE LA
CONFIGURACIN EMISOR
COMN

GANANCIA DE VOLTAJE

ATENUACIN

ESTABILIDAD DE LA
GANANCIA DE VOLTAJE

GANANCIA DE
CORRIENTE

RELACIN DE GANANCIAS
DE CORRIENTES

GANANCIA DE
CORRIENTE

es un parmetro importante porque ofrece una

relacin directa entre los niveles de corriente de
los circuitos de entrada y los de salida en
configuracin Emisor-comn.

Donde la relacin es:

IE = (+1).IB

RELACIN ENTRE

APLICACIONES DE LA CONFIGURACIN
EMISOR COMN

Es la configuracin ms usada de los transistores BJT.

El

ms usado para circuitos de baja frecuencia, debido a

la alta impedancia de entrada.

Es

usado en amplificadores
frecuencias de radio.

de

audio

de

altas

Amplificadores
monoetapa con
transistores bipolares
colector y base comn
(semana 4)

CONFIGURACIN COLECTOR
COMN

No es necesario Rc para la polarizacin del

transistor ni para el buen funcionamiento
del amplificador.

CONFIGURACIN BASE
COMN

C3desacoplaR1yR2en pequea seal,

del mismo modo que lo
haceCEconREen el amplificador en

ANLISIS DE LA
FRECUENCIA EN
COLECTOR COMN

Respuesta a bajas frecuencias

 Respuestas a altas frecuencias

ANLISIS DE LA
FRECUENCIA EN BASE
COMN
Respuesta
a bajas frecuencias

 Respuestas a altas frecuencias

CALCULO DE GANANCIAS
DE TENSIN Y DE
CORRIENTE BASE COMN
ANLISIS DINMICO

EQUIVALENTE

Ahora realizamos el mismo circuito equivalente reemplazando el

generador de tensin gm. V por un generador de corriente.

CALCULO DE GANANCIAS DE
TENSIN Y DE CORRIENTE
COLECTOR COMN
Anlisisdinmico

Equivalente

Parahallarlagananciadecorrientesepuede
desdoblarRd.

DIAGRAMA DE BODE

Trazado Asinttico de Diagramas de Bode

Anatoma de un Diagrama de Bode

Factorizacin de una funcin de transferencia

LaideaesencialesfactorizarlaG(s)enfdtsencillas
cuyosdiagramasdeBodeasintticosconocemos.

Trmino
constante
Polos/ceros
En el origen

polos
reales

ceros
reales

Pares de
polos complejos

Alserlogartmico,elBodedelproductodefdtsesla
sumadelosBodesdecadafdtporseparado
Unavezfactorizada,eldiagramadeBodetotalesla
sumadelosdiagramasdeBodesencillos

Trminos constantes: G(s) = K

Lascurvasdemagnitudsonconstantes
Lafaseessiempre0(obien-180silaconstantees
negativa

Un polo en el origen: G(s) = 1/s

Varios polos en el origen: G(s) = 1/sN

Pasan todas por el punto
(w=1 rad/s, A = 0 dB)

-40 dB/dec

-180

Varios ceros en el origen

Polo Real

Pendiente
-20 dB/dec

Polo Real
1dec

w=5

1dec

-20 dB/dec

-45/dec

-90

w=0.5 rads/s

w=50 rads/s

Cero Real

Cero Real
1dec

w=2

1dec

+20 dB/dec

+3 dB

+90

+45/dec

w=0.2 rads/s

w=20 rads/s