TIPOS DE MEMORIAS

Memorias De Acceso Aleatorio

RAM
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la
sigla en ingles Random Accsess Memory.

Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un

conjunto de variables de direccin de memoria de forma directa e
independiente de la posicin en la qu se encuentre.

Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando

no hay energa y se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM y la RAM
dinmica.
 Memoria RAM esttica
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access
Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flopps
construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque tambin
existen algunas memorias pequeas construidas con transistores
bipolares.
 Memoria RAM dinmica
La operacin de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en
la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturacin y el dato
presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el
condensador, durante una operacin de escritura y se extrae en una operacin
de lectura.
El inconveniente que tiene este tipo de memorias cosiste en que hay que
recargar la informacin almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas
requieren de circuitera adicional para cumplir esta funcin. A esta funcin
especial se llama refresco
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS DOS
SISTEMAS DE MEMORIA
 PARAMETROS DE LAS MEMORIAS

El parmetro bsico de una memoria es su capacidad, la cual corresponde al

total de unidades que puede almacenar.
En la actualidad se consiguen memorias en tamaos del orden de megabytes.
El tiempo de acceso es otro parmetro importante en las memorias
Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en acceder a la informacin
almacenada en una direccin.
Generalmente este tiempo se designan como tacc en las fichas tcnicas de
estos dispositivos.
 MEMORIAS DE SOLO LECTURA
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (read only
memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y contiene celdas de
memoria no voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva sin
necesidad de energa. Este tipo de memoria se emplea para almacenar
informacin de forma permanente o informacin que no cambie con mucha
frecuencia.
 MEMORIA ROM DE MASCARA
Este tipo de ROM se caracteriza porque la informacin contenida en su
interior se almacena durante su fabricacin y no se puede alterar.
El proceso de fabricacin es muy caro, pero se hacen econmicas con la
produccin de grandes cantidades.
La programacin se realiza mediante el diseo de un negativo fotogrfico
llamado mascara donde se especifican las conexiones internas de la memoria.
Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, Tablas de
conversin y caracteres.
 MEMORIA PROM
ROM programable de ingles programable read only memory. Este tipo de
memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de
fabricacin, sino que la efectan el usuario y se puede realizar una sola vez,
despus de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas.:
Por destruccin de fusibles o por destruccin de unin. Comnmente la
informacin se programa o quema en las diferentes celdas de memoria
aplicando la direccin en el bus de direcciones. Los datos en los buffers de
entrada de datos y un puso de 10 a 30 V, en una terminal dedicada para fundir
los fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la
celda, se almacena un 0 lgico de lo contrario se almacena un 1 lgico,
quedando de esta forma la informacin almacenada de forma permanente
 MEMORIA EPROM
Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la
informacin se puede borrar y volver a grabar varias veces. La programacin
se efecta aplicando a un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y
25 Voltios durante aproximadamente 50ms, segn el dispositivo, al mismo
tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las
entradas de datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de
la capacidad de memoria.
 MEMORIA EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente.
Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa
MOS Y MNOS.
Las celdas de memoria en la EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada
compuesta flotante, la cual es mas delgada y no es fotosensible.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la EPROM,
la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 voltios a la compuerta
aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga elctrica,
que es suficiente para encender los transistores y almacenar la informacin.
El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
VENTAJAS DE LA EEPROM CON RESPECTO A
LAS EPROM
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borrar la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observe
problemas para almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar al de la EPROM, es
decir aproximadamente 10 aos
 MEMORIA FLASH
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y
borrar elctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para
almacenar informacin y es de fabricacin sencilla, lo que permite fabricar
modelos de capacidad equivalente a la EPROM a menor costo que la EEPROM.
Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor MOS de
puerta apilada, el cual se forma con una puerta de control y una puerta
aislada.
La compuerta aislada almacena carga elctrica cuando se aplica una tensin
lo suficientemente alta en la puerta de control. De la misma manera que la
memoria EPROM, cuando hay carga elctrica en la compuerta aislada, se
almacena un 0, de lo contrario se almacena un 1.
 LAS OPERACIN BSICAS DE UNA MEMORIA FLASH SON LA
PROGRAMACIN, LA LECTURA Y BORRADO

La programacin: se efecta con la aplicacin de una tensin a cada una de la compuertas

de control, correspondiente a las celdas en las que se desean almacenar 0s. para almacenar
1s no es necesario aplicar tensin a las compuertas debido a que el estado por defecto de
las celdas de memoria es 1.
La lectura: se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la celda
de memoria, en cuyo caso es esta lgico almace3nado se deduce con base en el cambio de
estado del transistor.
El borrado: consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas en las compuertas
aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la aplicacin de una tensin lo
suficientemente negativa que desplaza las cargas.
REGISTROS
 REGISTROS

Los registros del procesador se emplean para controlar instrucciones en ejecucin,

manejar direccionamiento de memoria y proporcionar capacidad aritmtica.
Los registros son espacios fsicos dentro del microprocesador con capacidad de 4 bits
hasta 64 bits dependiendo del microprocesador que se emplee.
Los registros son direccionales por medio de una vieta, que es una direccin de
memoria.
Los bits, por conveniencia, se numeran de derecha a izquierda (15,14,13. 3,2,1,0), los
registros estn divididos en seis grupos los cuales tienen un fin especifico.
 REGISTRO DE SEGMENTOS
Unregistro de segmento se utiliza para alinear en un limite deprrafo o
dicho de otra forma codifica la direccin de inicio de cada segmento y su
direccin en un registro de segmento supone cuatro bits 0 a su derecha.

Un registro de segmento tiene 16 bits de longitud y facilita un rea de

memoria para direccionamientos conocidos como el segmento actual.
Los registros de segmento son:
Registro CS
Registro DS
Registro SS
Registro ES
Registro FS y GS
 Registro CS: El DOS almacena la direccin inicial del segmento decdigode
unprogramaen el registro CS. Esta direccin de segmento, mas unvalorde
desplazamiento en el registro de apuntado de instruccin (IP), indica la direccin de
una instruccin que es buscada para s ejecucin. Para propsito
deprogramacinnormal, no e necesita referenciar el registro CS.
Registro DS: La direccin inicial de un segmento dedatosde programa es
almacenada en el registro DS. En trminos sencillos, esta direccin, mas un valor de
desplazamiento en una instruccin, genera una referencia a la localidad de un bytes
especifico en el segmento de datos.
Registro SS: El registro SS permite la colocacin en memoria de una pila,
paraalmacenamientotemporal de direcciones y datos. El DOS almacena la direccin
de inicio del segmento de pila de un programa en el registro SS. Esta direccin de
segmento, ms un valor de desplazamiento en el registro del apuntador de la pila
(SP), indica la palabra actual en la pila que est siendo direccionada. Para propsitos
de programacin normal, no se necesita referenciar el registro SS.
Registro ES: Algunasoperacionescon cadenas de caracteres (datos de caracteres)
utilizan el registro esta de segmento para manejar el direccionamiento de memoria.
En este contexto, el registro ES esta asociado con el registro DI (ndice) . un programa
que requiere el uso del registro ES puede inicializarlo con una direccin apropiada.
Registros FS y GS: Son registros extra de segmento en losprocesadores80386y
posteriores a estos procesadores.
 REGISTRO APUNTADOR DE
INSTRUCCIONES.(IP)
El registro apuntador de instrucciones (IP) de 16 bits contiene el desplazamiento de
direccin de la siguiente instruccin que se ejecuta.

El registro IP esta asociado con el registro CS en el sentido de que el IP indica la

instruccin actual dentro del segmento de cdigo que se esta ejecutando actualmente.
 REGISTROS APUNTADORES
Los registros apuntadores estn asociados con el registro SS y permiten al procesador
accesar datos en el segmento de pila los registros apuntadores son dos:
El registro SP
El registro BP
Registro SP: El apuntador de pila IP de 16 bits esta asociado con el registro SS y
proporciona un valor de desplazamiento que se refiere a la palabra actual que esta
siendo procesada en la pila.
Registro BP: El registro BP de 16 bits facilita la referencia de parmetros, los cuales
son datos y direcciones transmitidos va lapida.
 REGISTROS DE PROPOSITOS GENERALES
Los registros de propsitos generales AX, BX, CX y DX son los caballos de
batalla o lasherramientasdelsistema.
Son los nicos en el sentido de que se puede direccionarlos como una palabra
o como una parte de un byte.
El ultimo byte de la izquierda es la parte "alta", y el ultimo byte de la
derecha es la parte "baja" por ejemplo, el registro CX consta de una parte CH
(alta) y una parte CL (baja), y usted puede referirse a cualquier parte por si
nombre.
Las instrucciones siguientes mueven ceros a los registros CX, CH y CL
respectivamente.
 Registros ndice

Los registros SI y DI estn disponibles para direccionamientos indexados y para

sumas y restas. Que son la operaciones de punta.
Registro SI: El registro ndice de 16 bits es requerido por algunas operaciones
con cadenas (de caracteres). En este contexto, el SI est asociado con el
registro DS. Los procesadores 80386 y posteriores permiten el uso de un
registro ampliado a 32 bits, el ESI.
Registro DI: El registro ndice destino tambin es requerido por algunas
operaciones con cadenas de caracteres. En este contexto, el Di est asociado
con el registro ES. Los procesadores 80386 y posteriores permiten el uso de un
registro ampliado a 32 bits, el EDI.
 Registro de bandera.
Los registros de banderas sirven parar indicarel estado actual de la maquina y el
resultado del procesamiento, Cuando algunas instrucciones piden comparaciones
o clculos aritmticos cambian elestadode las banderas.

Las banderas estn en el registro de banderas en las siguientes posiciones:

bits 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5
4321
 Bandera
Las banderas mas comunes son las siguientes:

OF (OVER FLOW FLAG, DESBORDAMIENTO)

Indica el desbordamiento de un bit de orden alto (mas a la izquierda) despus de
una operacin aritmtica.

DF (DIRECTION FLAG, DIRECCION)

Designa la direccin hacia la izquierda o hacia la derecha para mover o comparar
cadenas de caracteres.

IF (INTERRUPTION FLAG, INTERRUPCION)

Indica que una interrupcin externa, como la entrada desde eltecladosea
procesada o ignorada.
TF (TRAP FLAG, TRAMPA)
Examina el efecto de una instruccin sobre los registros yla memoria. Losprogramasdepuradores
como DEBUG, activan esta bandera de manera que pueda avanzar en la ejecucin de una sola
interrupcin a untiempo.

SF (SIGN FLAG, SIGNO)

Contiene el signo resultante de una operacin aritmtica (0=positivo y 1=negativo).
ZF (ZERO FLAG, ZERO)
Indica el resultado de una operacin aritmtica o de comparacin (0= resultado
diferente de cero y 1=resultado igual a cero).

AF (AUXILIARY CARRY FLAG, ACARREO AUXILIAR)

Contiene un acarreo externo del bit 3 en un dato de 8 bits, para aritmtica
especializada

PF (PARITY FLAG, PARIDAD)INDICA

paridad par o impar de una operacin en datos de ocho bits de bajo orden (mas a la
derecha).

CF (CARRY FLAG, ACARREO)

Contiene el acarreo de orden mas alto (mas a la izquierda) despus de una operacin
aritmtica; tambin lleva el contenido del ultimo bit en una operacin de corrimiento o
rotacin.
GRACIAS POR SU
ATENCION!!