Todos los materiales tienen un
numero atmico, el cual nos
indica la cantidad de
electronos y protones que
conforman el tomo del
material.
Cada tomo se conforma por
orbitas, llamadas capas de
valencias.
Su ncleo, el cual contiene los
protones de cargas positivas.
Y electrones que giran sobre las
lneas de valencia, las cuales son
de carga negativa.
Por lo tanto un electrn en la ultima El numero mximo de electrones que
lnea de valencia, resultara sencillo puede a ver en cada capa de valencia
sacarlo de su orbita con una pequea esta dada por dicha ecuacin. Donde n
estimulacin (calor ), debido a la leve representa el numero de capa.
fuerza de atraccin que experimenta
con el ncleo. A estos electrones que
se desprenden de sus orbitas se llaman
electrones libres y en su lugar dejan un
hueco.
El electrn en la ultima capa de
valencia resulta fcil que se vuelva un
electrn libre y es por ello que el cobre
es un buen conductor de flujo de
electronos(corriente elctrica).
En el caso de la plata en su ultima capa
de valencia, contiene 19 electrones que
experimentan la misma fuerza que el
electrn del cobre y que con la misma
cantidad de excitacin(calor) estos 19
electrones se volvern electrones libres
y por eso la plata es mejor conductor.
El oro en cambio contiene en la cuarta
capa un total de 32 electrones, pero
aun nos quedan 19 electrones que se
ubicaran en una quinta capa.
Como en la electrnica solo tenemos
inters en los electrones que se
encuentran en la ultima capa de
valencia, los tomos de los materiales
se simbolizan como en la imagen.
El germanio y el silicio son considerado materiales semiconductores a pesar de
que el germanio cuenta con 4 capas de valencia. Pero como en este planeta hay
mas silicio que germanio, es semiconductor preferido por los fabricantes es el
silicio.
Cuando varios tomos de silicio se aproximan a otros entre s, se forma una
estructura llamada cristal, en este caso cristal de silicio.
Las capas de valencia se juntan y cada En 1917 Gilbert Newton Lewis anuncio
tomo comparte un electrn con los la regla de octeto, que dice que cuando
tomos vecinos. A cada electrn los tomos completan su ultima capa de
compartido se le llama enlace valencia con 8 electrones, la forma que
covalente. adquiere es una estructura muy estable,
que no da lugar a que all electrones
libres y a este efecto lo llamo saturacin
de valencia.
Si a esto le unimos mas tomos de
silicio lo que obtenemos es un cristal
puro de silicio, que por regla del octeto
sabremos que no tendr electrones
libres, as que este cristal se comporta
como un aislante perfecto.
Pero a pesar de que en dicha
estructura no ah electrones libres,
cuando un cristal de silicio se le excita
con energa trmica, muy
probablemente empiece a ver uno que
otro electrn libre.
La salida de un electrn de la capa de valencia de unos de los tomos, deja un vaco
en dicha capa de valencia que se domina hueco, este hueco se comporta como una
carga positiva, porque la perdida de un electrn da lugar a un ion positivo y
entonces este hueco atraer a cualquier electrn que se encuentre en la vecindad
inmediata.
Si el cristal se encuentra expuesto a una corriente elctrica, cada hueco buscara
ser apareado con cualquier electrn libre que le sea mas fcil atraer, y entonces el
cristal de silicio quedara nuevamente sin ningn hueco y tambin sin ningn
electrn libre, el cristal de silicio puro entonces se le da el nombre de
SEMICONDUCTOR INTRNSECO.