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TCNICAS DE CRECIMIENTO DE

PELCULAS

CRECIMIENTO EPITAXIAL POR HACES


MOLECULARES (MBE)
Manuel Armando Xool Herrera
Introduccin
Fue creado por J. R. Arthur y Alfred Cho a finales de los 60 en los
laboratorios Bell.
Crecimiento epitaxial: es el crecimiento ordenado de una capa
monocristalina que mantiene una relacin definida con respecto
al sustrato cristalino inferior.
Cul es su utilidad?

Para la fabricacin de capas semiconductoras de calidad.


Sobre ella se crecen una o ms capas de un material que
preserva la estructura del monocristal y de la
conductividad apropiada.
La epitaxia es un modo de controlar con precisin el perfil
de dopaje para optimizar dispositivos y circuitos, el grosos
de la capa epitaxial puede variar desde 0.1 m hasta
100m.
Se caracteriza por realizarse a temperatura inferior a la de
fusin del material.
Ejemplo
Categoras de crecimiento epitaxial:

Homoepitaxia:
La capa que se crece es qumicamente
similar al sustrato (ejemplo, Si sobre Si).

Heteroepitaxia:
La capa que se crece difiere en trminos
Crecimiento epitaxial de la regin P de un transistor
Tipo MOSFET. qumicos, estructura cristalina, simetra o
parmetros de red con respecto al sustrato
(ejemplo: AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre Si
MBE (Molecular Beam Epitaxial)

Es la tcnica ms prometedora en la actualidad en el rea de heteroestructuras donde se


requiere un control preciso sobre impurezas mltiples y de deposicin de capas muy
delicadas.
Es una tcnica fundamental en el desarrollo y fabricacin de dispositivos (como
transistores de alta velocidad, diodos emisores de luz, etc.) pues permite modular el nivel
de dopado en cada material de manera intencional.
Una condicin necesaria para los crecimientos mediante MBE sean exitosos es que las
reacciones estn en condicione ultra alto vaco (UHV).
Los haces moleculares se obtienen a partir de la sublimacin o evaporacin de elementos
slidos o lquidos mediante celdas de efusin tipo Knudsen dentro de la campana UHV.
Sistema MBE Tpico
Celdas de fusin: contienen los materiales a
Ser depositados o crecidos epitaxialmente.

La oblea:
Se mantiene a una T controlada
(400-900 C)
Es bombardeada por los haces de
los materiales que estn en las celdas
de efusin, de manera que las
molculas que la alcanzan puedan
crecer sobre la superficie con la
orientacin cristalogrfica del sustrato.
Gira constantemente para obtener
La cmara
presenta condiciones de ultra alto va
capas uniformes.
() y est llena de nitrgeno para impedir
la contaminacin e interacciones entre compues
Velocidad de crecimiento ~ 1nm/s.
Celdas de fusin:
Son pequeos crisoles, pueden ser de cuarzo, nitruro de
boro piroltico (PNB) o grafito piroltico (PG).
Estn acoplados con termopares, de este modo se tiene
un control preciso de la temperatura.
Se disean para la evaporacin y sublimacin de
compuestos en rangos de temperatura de 200-1400 C.
Los materiales estndar utilizados en los crisoles son Al,
Ga, In. Tambien pueden utilizarse como una fuente de
dopantes (Si o B).
Se puede mantener una presin de vapor fija para cada
uno de los materiales.
Contienen una pequea apertura de cara a la oblea y los
haces atmicos pueden ser obturados on/off a gran
velocidad.
Ventajas y desventajas
Ventajas:
Versatilidad y simplicidad de su principio de operacin.
El entorno de UHV da lugar a que los haces de tomos o molculas sean
direccionados hacia el cristal del sustrato donde se forman las capas
cristalinas.
Se pueden emplear tcnicas de medida y caracterizacin in situ
(espectroscpa de masas, microscopa SEM, difractmetros) para estudiar
los procesos que tienen lugar en el crecimiento del cristal.
Monitorizacin y herramientas de diagnstico (Sistema de difraccin de
reflexin de electrones muy energticos, RHEED, proporciona informacin
acerca de la limpieza de la superficie del sustrato).
Posibilidad de introducir una gran variedad de dopantes y gran control de su
perfil de dopado.
No hay reacciones qumicas complejas
Gran calidad de los sustratos obtenidos.
Desventajas:
Elevado coste del equipo.
Bajas velocidades de crecimiento
Solo el posible realizar el crecimiento de un oblea a la vez

Defectos en capas epitaxiales


(1) Dislocacin.
(2) Precipitados de impurezas (stacking fault).
(3) Precipitado de impurezas en la superficie del sustrato
por continuacin del proceso epitaxial.
(4) Crecimiento de montculos, pirmides y otras formas.
(5) Stacking fault en una interseccin de la superficie del
sustrato extendida hasta la capa epitaxial.
Defectos en obleas

(1) Dislocacines (agujeros) en una


regin de deslizamiento de una oblea
(100).
(2) Stacking fault epitaxial.
(3) Dislocaciones en una oblea (111).
(4) Crecimiento de un montculo en una
oblea (111).
REFERENCIAS

Recuperados el 27/noviembre/2016
https://www.physik.uni-kl.de/hillebrands/research/methods/molecular-b
eam-epitaxy/
https://repositorio.uam.es/bitstream/handle/10486/2617/1444_granado
s_ruiz_daniel.pdf?sequence=1
http://ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-electronicos/conteni
do/MaterialesElectronicos/Tema_3_EPItaxia.pdf

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