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Principios de Electrnica

SEMICONDUCTORES
Qu es un Semiconductor?
Como la misma palabra indica, no son buenos
conductores, pero tampoco son aislantes.
Podemos definir los semiconductores como
aquellos materiales que se comportan como
conductores, solo en determinadas condiciones.
Por eso se dice que estn en un punto
intermedio entre los conductores y los aislantes
Semiconductores
Por ejemplo, hay materiales que a partir de
una cierta temperatura son conductores,
pero por debajo, son aislantes.

En electrnica son muy importantes los


semiconductores, ya que muchos
componentes se fabrican con ellos.
Teora de los Semiconductores

Para entender los principios fsicos de los


semiconductores tenemos que conocer
como estn formados los tomos de los
elementos.
Teora
En el ncleo del tomo se encuentran
protones, con carga positiva y los
neutrones, solo con masa, no tienen carga
elctrica. Fuera del ncleo y girando
alrededor de l, en las llamadas rbitas, se
encuentran los electrones, con la misma
carga que los protones pero negativa.
Cualquier tomo tiene el mismo nmero de
protones en su ncleo que electrones
girando en rbitas alrededor del ncleo. La
carga positiva de los protones se anula con
la negativa de los electrones, por eso el
tomo, en su estado normal, tiene carga
elctrica nula.
Pero no todos los tomos son iguales.
Cada elemento de la tabla peridica tiene
diferentes tomos, pero todos estn
formados por las mismas partculas:
protones, neutrones y electrones. Solo se
diferencian en el nmero de ellas. El
nmero de protones o electrones
determina el nmero atmico del elemento.
Son los electrones, las partculas que realmente
importan para estudiar la conduccin elctrica.
La corriente elctrica es un movimiento de
electrones.
Si somos capaces de mover los electrones de los
tomos de un material, conseguiremos generar
corriente elctrica por l.
Este material se convertir en conductor.
Hay materiales que no podemos mover los
electrones de sus tomo nunca, sern los
aislantes.
Los Electrones
Los electrones que ms fcil nos resultara
hacerles abandonar el tomo, son los que
se encuentran en la ltima capa u rbita
del tomo.
Cada rbita o capa en la que giran los electrones
esta situada en lo que se llama una banda de
energa.
Los electrones que estn girando un una banda,
tiene la misma energa que esa banda.
Los electrones ms cercanos al ncleo estn
muy unidos a l y tienen poca energa.
Los ms externos son las que tienen ms
energa, pero los que resulta ms fcil hacerles
abandonar el tomo.
Para que un electrn de las capas ms
prximas al ncleo sea capaz de
abandonar el tomo, tendramos que ir
pasndolo de capa en capa hasta llegar a
la ltima capa. Es decir necesitaramos ir
suministrndole energa para pasar de una
capa a otra hasta llegar a la ms externa
(banda de valencia).
Inicialmente, tienen poca energa y
pasaran a mucha energa al llegar a la
capa ms externa. Esto sera muy difcil de
hacer, por este motivo, estos electrones no
se usan para abandonar el tomo y
provocar corriente elctrica.
Solo se usan los electrones de la ltima
capa, llamados electrones de valencia.
Estos son los que utilizaremos para
hacerles abandonar el tomo, que pasen a
otro y provocar corriente elctrica por el
material.
Pero ojo, estos electrones de la ltima
capa, la ms externa o de valencia,
todava tenemos que lograr que
abandonen esta capa para que dejen por
completo al tomo.
Es como si tuvieran que saltar una ltima
capa.
Esta capa la llamaremos de conduccin.
Sera esa capa de conduccin, la que
tendra que saltar un electrn de la ltima
capa para hacerle abandonar por completo
el tomo.
OJO el salto sera suministrndole energa.
Salto es igual a energa.
Hay materiales que esta capa de
conduccin, sera muy grande, les costara
mucho abandonar el tomo, incluso
estando en la ltima capa o banda.
Estos materiales son los aislantes.
Si es muy fcil hacerles saltar esta capa
(que pasen de la de valencia a la de
conduccin), se llamara conductor.
resumiendo
Podramos resumir todo esto diciendo que
los electrones dentro de un tomo, se
pueden encontrar en 3 tipos de bandas
diferentes:
Banda de conduccin
- Banda de conduccin: Intervalo
energtico donde estn aquellos
electrones que pueden moverse
libremente. Estn libres de la atraccin del
tomo.
Banda Prohibida
- Banda Prohibida: Energa que ha de
adquirir un electrn de la banda de
valencia para poder moverse libremente
por el material y pasar a la banda de
conduccin.
Banda de valencia
- Banda de Valencia: Intervalo energtico
donde estn los electrones de la ltima
rbita del tomo.
Ilustracin
Aqu tienes una ilustracin de como seran
las bandas de un material si fuera
conductor, aislante o semiconductor.
En los aislantes un electrn de la capa de
valencia no podramos pasarlo a la de
conduccin, es demasiado difcil o ancha.
Si te fijas en los conductores no hay capa
prohibida, los electrones de valencia
pasaran muy fcilmente a la de
conduccin.
Los semiconductores
Tienen una dificultad intermedia para pasar
los electrones de valencia a la de
conduccin.
En la mayora de ellos es necesario
suministrarles energa en forma de calor
para que pasen de la de valencia a la de
conduccin.
Es decir, convertirles en materiales
conductores.
Un semiconductor se caracteriza por
tener una banda prohibida, entre la de
conduccin y la de valencia, pero no muy
ancha.
Iones
Tambin tenemos que decir que cuando
arrancamos un electrn al tomo, este se
desequilibra, pasando a tener carga
positiva (un protn ms que electrones
tena). Esto es lo que se conoce como
ionizacin, ya que lo convertimos en un ion
positivo o catin.
Anin
Si por el contrario, el tomo no tiene su
ltima capa llena y, por cualquier
circunstancia le llega un electrn nuevo a
esta capa, quedar cargado
negativamente (un electrn ms que
protones tena). Se convierte en un Ion
negativo o anin.
Elementos
El carbono, el silicio, el germanio y el
estao tienen en su ltima capa 4
electrones, se les llama tetravalente, por
que pueden ceder 1,2,3 o 4 electrones.
Todos los semiconductores son materiales
que tienen su tomos unidos por
enlaces covalentes.
Comparten los electrones de su ltima
capa de 2 en 2.
Uno de estos electrones compartidos entre
dos tomos por medio del enlace
covalente, ser el que tengamos que
arrancar.
Qu pasa entonces cuando el electrn
abandona el tomo?. Pues que dejar lo
que se llama un hueco.
Produccin de pares electrn-hueco

Cuando un electrn se marcha del tomo


rompe el enlace covalente de pares de
electrones y dejar un hueco vaco (fjate
en la imagen de arriba en el silicio).
Este hueco puede ser ocupado, ms bien
lo ocupar, otro electrn que hubiera
abandonado otro tomo cercano a l.
As que se van generando huecos y estos
huecos se van rellanando por otros
electrones de otros tomos.
As es como pasa la corriente por los
semiconductores, pares electrn-hueco.
Se dice que en la conduccin de los
semiconductores interviene el par electrn-
hueco.
Materiales para semiconductores
Los dos materiales que ms se usan para
fabricar semiconductores son
el Germanio y
el Silicio.
Tipos de semiconductores
Ahora bien, purificar un material al cien por
cien, requiere procesos muy costosos, lo
que hace que los materiales que se usan
contengan muchas impurezas.
Por la cantidad de impurezas que posean,
se pueden clasificar en intrnsecos y
extrnsecos.
Semiconductores Intrnsecos

Son los que prcticamente carecen de


impurezas; un tomo de impureza por
cada 10 elevado a 11, tomos del
semiconductor.
Estos semiconductores, que se pueden
considerar casi puros, la conduccin se
realiza por pares electrn-hueco,
producido por generacin trmica, de
modo que cuanto mayor es el calor, mayor
es la cantidad de portadores de carga libre
generados (electrones-huecos) y menor su
resistividad, siendo esta a temperatura
ambiente (27C) de:
- Germanio = 60 ohmios por centmetro.
- Silicio = 150.000 ohmios por centmetro.

El Germanio tiene un ancho de banda


prohibida de 0,72 eV (electrn voltios)
y el Silicio de 1,12 eV.
Los semiconductores intrnsecos se usan
como elementos sensibles a la
temperatura, por ejemplo una termo
resistencia (PTC o NTC).
Semiconductores Extrnsecos
Son los que poseen un tomo de impureza por
cada 10 elevado a 7 tomos de semiconductor.
Adems estos tomos de impurezas, ms
numerosos que en los intrnsecos, suelen tener 3
o 5 electrones de valencia, con el fin de que les
sobre o les falte un electrn para completar los
enlaces covalentes con los tomos del material
semiconductor (recuerda son 4 electrones en el
enlace covalente).
Al tener portadores independientes de la
generacin trmica, la resistividad de estos
es menor que la de los intrnsecos.
Este tipo de semiconductores no se suelen
usar para conduccin por calor, para eso
estn los intrnsecos.
Resistencia

- Germnio = 4 ohmios por centmetro.

- Silcio = 150 ohmios por centmetro.


La conductividad de este tipo de
semiconductores, ser mayor cuanto
mayor sea el nmero de portadores libres
y, por tanto aumentar con el nmero de
impurezas.
Tipos N y P
Como dijimos anteriormente, los tomos
de impurezas suelen tener 3 o 5 electrones
de valencia, lo que permite subdividir a
estos semiconductores extrnsecos en dos
tipos diferentes:
Tipo N
Tipo P.
Nmero de Electrones de las
Impurezas

Tipo N con impurezas con 5 electrones de


valencia.

Tipo P con impurezas de 3 electrones de


valencia.
Tipo N
Como ven los del tipo N tienen impurezas
donadoras de electrones por que
proporcionan electrones.
En la formacin de enlaces covalentes les
sobra un electrn.
Tipo P
Los del tipo P tienen impurezas
aceptadores de electrones por que
proporcionan huecos.
En la formacin de enlaces covalentes, al
tener solo 3 electrones que pueden formar
enlace, el enlace se queda con un hueco.
Como los huecos atraen a los electrones,
se pueden considerar con carga positiva.
Impurezas tipo N
Las impurezas en los del tipo N pueden ser
tomos de
arsnico,
antimonio,
fosforo
Impurezas tipo P
Las impurezas en los del tipo P pueden ser
tomos de
aluminio,
boro,
galio
Tanto en uno como en otro, los portadores
son las impurezas.
En un caso los portadores son electrones
(tipo N) y en otro los huecos (tipo P).
La mayora de los componentes
electrnicos que se usan en electrnica:
diodos, transistores, circuitos integrados,
circuitos lgicos, compuertas, se
construyen uniendo semiconductores del
tipo P con los del tipo N.
Unin PN
Los tomos de dos elementos se pueden
unir mediante enlaces covalentes en los
que los electrones de valencia de un
tomo se comparten con los electrones de
valencia del otro tomo prximo a l en
parejas de dos electrones.
el tomo de silicio central(usado como
semiconductor, aunque tambin se puede usar
germanio), tiene su 4 electrones de valencia
unidos con enlace covalente con un electrn
de valencia de cada uno de los tomos de
silicio de su alrededor, compartiendo los
electrones en grupos de dos.
Esto es un semiconductor puro de silicio.
Recordando
Recordar que un tomo tiene el mismo
nmero de protones con carga positiva en
el ncleo que de electrones, con carga
negativa, girando a su alrededor.
Esto hace que los tomos sean neutros
elctricamente.
La carga de sus electrones se anula con la
carga de sus protones.
Si ha un tomo le quito un electrn
quedar con carga positiva y se llamar
ion positivo o catin.

Si ha un tomo le aado un electrn,


quedar cargado negativamente y se
llamar ion negativo o anin.
Semiconductores del Tipo P y del Tipo N

Los semiconductores extrnsecos del tipo


N estn formados por tomos de material
semiconductor, Silicio o Germanio, al que
se le aade impurezas con tomos de otro
material con 5 electrones de valencia
Como los tomos del material
semiconductor tienen 4 electrones de
valencia y los tomos de la impurezas 5,
se pueden formar 4 enlaces covalentes y
sobrar un electrn por cada tomo de
impureza que quedar libre.
Este electrn libre ser el portador de
electricidad.
En los semiconductores del tipo N los
electrones son los portadores de
electricidad.
Portadores mayoritarios = electrones.
Los semiconductores extrnsecos del tipo P son
material semiconductor a los que se les aade
tomos de impurezas con 3 electrones de
valencia.
En este caso cada tomo del material
semiconductor solo podr formar 3 enlaces con
los tomos de impurezas.
Los tomos semiconductores tienen un hueco
esperando a que llegue un electrn para formar
el enlace que le faltar.
En este tipo de semiconductores los huecos
sern los portadores para la conduccin.
Portadores mayoritarios = huecos.
Tanto el material N como el P son
elctricamente neutros por que la cantidad
de protones en total es igual a la cantidad
de electrones.
Unin PN
Se podra pensar que la unin se puede
formar simplemente pegando un material
semiconductor N con otro P, pero esto no
es as, adems de estar en contacto,
deben tener contacto elctrico.
Lgicamente, como ya dijimos antes, la
suma de las cargas de los dos cristales,
antes de la unin, ser neutra.
Resumiendo.
En la zona N tenemos electrones libres y
en la zona P tenemos huecos en espera
de ser rellenados por electrones.
Si ahora los unimos, los electrones del
material N, que estn ms cerca de la
franja de la unin, sern atrados por los
huecos de la zona P que estn tambin
ms cerca de la unin. Estos electrones
pasarn a rellenar los huecos de las
impurezas ms cercanos a la franja de
unin.
Un tomo de impureza de la zona P, que
era neutro, ahora tiene un electrn ms
llegado de la zona N para formar enlace en
el hueco que tena. Este tomo de
impureza ahora quedar cargado
negativamente (un electrn ms) y se
convertir un anin o in negativo.
As mismo un tomo de impureza de la
zona N quedar cargado positivamente por
que se le ha ido un electrn y se convertir
un catin o Anin positivo.
Franja de transicin
Esto provoca que en la franja de la unin
PN tengamos por un lado carga negativa y
por el otro positiva. Negativa en la zona P,
que antes de la unin era neutra y positiva
en la zona N, que antes tambin era
neutra. Esta franja con cationes y aniones
se llama regin de agotamiento o zona de
difusin.
Zona de Transicin
Llega un momento que un nuevo electrn
de la zona N intente pasar a la zona P y se
encontrar con la carga negativa de la
regin de agotamiento en P (los iones
negativos formados), que le impedirn el
paso (cargas iguales se repelen).
En este momento se acabar la
recombinacin electrn-hueco y no habr
ms conduccin elctrica.
Adems la zona N que antes era neutra
ahora tendr carga positiva, ya que han se
han ido de ella electrones, y la zona P, que
antes tambin era neutra, ahora ser
negativa, ya que ha recogido los
electrones que abandonaron la otra zona.
La unin PN deja de ser elctricamente
neutra.
An as la parte N, fuera de la regin de
agotamiento, seguir teniendo electrones
libres que no formaron enlaces con tomos
de semiconductor puro, y la parte P
seguir teniendo huecos.
Por eso en la imagen anterior ves el signo
menos en la zona N como el ms
abundante y el signo + en la P como ms
abundante (portadores mayoritarios).
En la regin de agotamiento habr
cationes y aniones, es decir un potencial
positivo a un lado y un potencial negativo
al otro, por lo que entre N y P habr una
diferencia de potencial (d.d.p.) o tensin ya
que la unin ahora ya no es elctricamente
neutra.
Formacin de un Diodo
Ahora podemos imaginar el conjunto de la
unin PN como una pila de unos 0,3V o
0,6V dependiendo si el semiconductor puro
son tomos de germanio o silicio
respectivamente. Esta supuesta "pila"
tendr su carga positiva en la zona N y la
carga negativa en la zona P. A esta unin
ya la podemos llamar diodo, que es como
se conoce en electrnica.
Qu necesitaremos para que ms electrones
de la zona N puedan pasar a la zona P?
Pues necesitaremos suministrarles energa
suficiente para que atraviesen la regin de
agotamiento, es decir energa para que
sean capaces de saltar esa barrera o
superar la tensin producida o vencer la
fuerza de repulsin de los iones negativos
de la zona P, de lo contrario, no habr
conduccin.
Polarizacin de un Diodo
Vamos a suministrar esta energa
conectando la unin o el diodo a una
fuente de energa, por ejemplo una pila o
fuente de alimentacin.
Polarizacin Directa del Diodo
En este caso aplicamos el polo positivo de
la fuente a la zona P y el polo negativo a
la zona N.
Que sucede?
Si te fijas los electrones del polo negativo
de la batera repele los electrones
(portadores mayoritarios) de la zona N,
dndoles ms fuerza para atravesar la
barrera o regin de agotamiento y esta
disminuye
Adems, en este caso, inyectamos
electrones procedentes de la pila en la
zona N aumentando los portadores
mayoritarios. Hemos disminuido el
potencial positivo de esta zona inyectando
electrones y por lo tanto habremos
disminuido la zona de difusin, por lo que
los electrones de N ya pueden pasar a la
zona P.
En la zona P, la carga positiva repele los
huecos haciendo que estos se acerquen a
la regin de agotamiento y atraigan an
ms a los electrones de la zona N. En este
caso metemos huecos en la zona P
aumentando los portadores mayoritarios y
disminuyendo el potencial Negativo que
tena. Igualmente en este caso hemos
disminuido el potencial de la zona de
difusin.
Lo que sucede, en definitiva, es que se
disminuye el ancho de la zona de agotamiento
que haba en la unin (disminucin de la tensin
de la regin) y esto provoca que sea ms fcil
pasar a los electrones de la zona N a la P para
rellenar los huecos.
Ahora los electrones inyectados por la pila
tendrn la suficiente energa para atravesar la
regin de agotamiento y pasar a la zona P
producindose corriente elctrica por el
semiconductor PN mientras tengamos la pila
conectada.
En definitiva el diodo, unin PN o
semiconductor PN, como queramos
llamarlo, se comporta como un conductor
de la corriente elctrica en polarizacin
directa.
Mientras este conectado a la fuente de
alimentacin o pila, la bombilla del circuito
lucir.
Para que la unin empiece a ser
conductora hay que ponerle a una
pequea tensin en polarizacin directa.
Polarizacin Inversa
En este tipo de conexin el polo positivo de
la pila se conecta al N y el negativo al P.
Al inyector electrones en la zona P, rellenarn los
huecos, portadores mayoritarios de la zona P, y
estos electrones formarn ms iones negativos o
aniones al rellenar los huecos de los enlaces que
todava no se haban rellanado y la regin de
agotamiento aumentar, aumentaremos el
potencial negativo en esta zona o lo que es lo
mismo, tendremos mayor d.d.p. o tensin en la
unin.
En estas condiciones los electrones de la zona N
lo tienen cada vez ms difcil pasar a la zona P
con lo que la unin PN se comporta como un
aislante en polarizacin inversa.
Qu Sigue?
Todo esto esta muy bien, pero...Qu
pasar si seguimos metiendo mas
electrones, o lo que es lo mismo si
seguimos aumentando la tensin de la
fuente de alimentacin en polarizacin
inversa?.
Tendremos lo que llamaremos efecto de
Avalancha
Efecto Avalancha
Llegar un momento que todos los
electrones rellenen los huecos de la Zona
P y si metemos ms (aumentando la
tensin de la fuente de alimentacin) estos
ltimos quedarn como electrones libres
en la zona P.
En la zona N tambin estamos metiendo
huecos que los ocuparn las electrones
libres que tena esta zona.
Al meter ms huecos y que se rellenen
todos con los electrones libres que tena,
los siguientes huecos que metamos
quedarn libres esperando electrones para
ser rellenados.
En estas condiciones, los electrones libres
que estamos inyectando en la zona P
mediante la fuente de alimentacin, sern
atrados por los huecos inyectados en la
zona N y atravesarn la regin de
agotamiento con mucha energa.
Tensin de Ruptura
Es un efecto en cadena, en el que se
produce una avalancha de electrones en
unos pocos instantes y que hace que se
rompa la unin PN por que se genera una
gran cantidad de corriente.
Se estropeara el diodo.
La tensin a la que se llega al efecto
avalancha se llama tensin de ruptura.
Recuerda que

En este tipo de polarizacin la tensin es


contraria a la directa (conexin al revs),
por eso se llama tensin inversa.
Curva de funcionamiento
En polarizacin directa, al poner la unin a
una pequea tensin (tensin umbral). Se
comporta como un conductor, a mayor
tensin, mayor corriente circular por el
circuito.
En polarizacin inversa no es conductor
hasta que no se llaga a la zona de ruptura.
En ese momento puedes comprobar en la
grfica, que aumenta mucho la intensidad,
aunque no aumentemos la tensin.
Esto produce que el diodo se queme.
De todas formas, hay algunos diodos que
aprovecha este efecto avalancha
controlado para su funcionamiento, como
es el caso del diodo zener.