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R Modos de
Historia
A Trabajo
Regin activa directa
Concepto N Regin activa inversa
Interruptor cerrado S
T Tipos
Bipolares
Tipos de Conexin
O De efecto de Campo
Multivibrador R HEMT y HBT
Flip-Flop (Biestable) E Fototransistores
S
TRANSISTORES
El desarrollo de la
electrnica y de sus
mltiples aplicaciones fue
posible gracias a la invencin
del transistor, ya que este
super ampliamente las
dificultades que presentaban
sus antecesores,
las vlvulas. En efecto, las
vlvulas, inventadas a
Transistor y Vlvula
principios del siglo XX, haban
sido aplicadas exitosamente
en telefona como
amplificadores y
posteriormente popularizadas
TRANSISTORES
Los transistores,
desarrollados en 1947 por los
fsicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos
estos inconvenientes y
abrieron el camino,
mismoque, junto con otras
invenciones como la de los
circuitos integrados
potenciaran el desarrollo de
las computadoras. Y todo a
bajos voltajes, sin necesidad
de disipar energa (como era
el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin
partes mviles o Fotografa del primer transistor
construdo porW. Shockley, J. Bardeen
incandescentes que pudierany W. Brattain (1947)
romperse.
TRANSISTORES
Caractersticas
Los materiales empleados para su elaboracin son, entre
otros, el Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de
que puede acelerarse grandemente el movimiento de los
electrones por medio de una corriente elctrica.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor
que los tubos de vaco.
Caracters
ticas
Colector: que capta los portadores de corriente
emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la
placa en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est
abierto no circula intensidad por la Base
del transistor por lo que la lmpara no
se encender, ya que, toda la tensin
se encuentra entre Colector y Emisor.
Tipos de Conexin
Multivibrad
or Es un circuito oscilador
capaz de generar una onda
cuadrada. Segn su
funcionamiento, los
multivibradores se pueden dividir
en dos clases:
1. De funcionamiento
continuo, de oscilacin libre:
genera ondas a partir de la propia
fuente de alimentacin.
2. De funcionamiento
impulsado: a partir de una seal
de disparo o impulso sale de su
estado de reposo.
En su forma ms simple
son dos simples transistores
TRANSISTORES
Tipos de Conex
Flip-Flop
(Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un
estado determinado o en el contrario durante un tiempo
indefinido. Esta caracterstica es ampliamente utilizada en
electrnica digital para memorizar informacin. El paso de
un estado a otro se realiza variando sus entradas.
Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se
dividen en:
1. Asncronos: slo tienen entradas de control.
2. Sncronos: adems de las entradas de control
posee una entrada de sincronismo o de reloj. Si las entradas
de control dependen de la de sincronismo se denominan
sncronas y en caso contrario asncronas. Por lo general, las
D CLK Q
entradas de control asncronas prevalecen sobre las i+1
0 0
sncronas.
1 1
TRANSISTORES
Modos de
Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin
posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes
de polarizacin en cada una de las uniones del transistor
pueden ser :
Regin activa directa: Corresponde a una
polarizacin directa de la unin emisor - base y a
una polarizacin inversa de la unin colector -
base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una
polarizacin inversa de la unin emisor - base y a
una polarizacin directa de la unin colector -
base. Esta regin es usada raramente.
Modos de Traba
Regin de corte:
Corresponde a una
polarizacin inversa de
ambas uniones. La
operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones
de conmutacin en el modo
apagado, pues el transistor
acta como un interruptor
Regin de saturacin:
abierto (IC 0).
Corresponde a una polarizacin
directa de ambas uniones. La
operacin en esta regin
corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor
acta como un interruptor
cerrado (VCE 0).
TRANSISTORES
Transistores HEMT y
HBT
Fototransist
ores
TRANSISTORES
Transistores
Bipolares
BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar
Juncin Transistor).
Son aquellos que utilizan la corriente como
elemento de control para obtener la seal y su
comportamiento como dispositivo conmutador.
Transistores
Pueden ser de dos Bipolares
tipos:
NPN PNP
Transistores
Bipolares
En principio es similar a
dos diodos
Un transistor es
similar a dos diodos, el
transistor tiene dos
uniones: una entre el
emisor y la base y la otra
entre la base y el colector.
El emisor y la base forman
uno de los diodos,
mientras que el colector y
la base forman el otro.
Estos diodos son
denominados: "Diodo de
emisor" (el de la izquierda
en este caso) y "Diodo de
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo
FET Transistor Efecto De Campo (del ingls, Field
Effect Transistor)
Transistores de Efecto de
Campo
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Dra
in) y
Canal P S=Fuente(Source Canal N
).
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo JFET
Transistores de Efecto de
Campo
MOSFET (del ingls, Metal-Oxide-Semiconductor
FET):
Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
T
Se encuentran dos tipos de
MOSFET:
1. MOSFET de
Empobrecimiento:
1.1 Canal
N
Se diferencia del
FET canal n en que el
terminal de puerta, G, est
aislado del canal de
conduccin por una capa
de xido de silicio SiO2. y
existe un sustrato de
semiconductor tipo p cuyo
terminal habitualmente se
conectar externamente al
terminal de surtidor.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
T
1.2 Canal
P Posee la misma concepcin del MOSFET de
empobrecimiento canal n. En el smbolo del MOSFET de
empobrecimiento canal p la flecha cambia de sentido.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
2. MOSFET de T
Enriquecimiento
Difiere del MOSFET de
empobrecimiento en que no tiene la
capa delgada de material n sino que
requiere de una tensin positiva entre la
compuerta y la fuente para establecer
un canal. Este canal se forma por la
accin de una tensin positiva
compuerta a fuente, VGS, que atrae
electrones de la regin de sustrato
ubicada entre el drenaje y la compuerta
contaminados de tipo n. Una VGS positiva
provoca que los electrones se acumulen
en la superficie inferior de la capa de
oxido. Cuando la tensin alcanza el valor
de umbral, VT, han sido atrados a esta
regin los electrones suficientes para
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo MOSFE
T
2.1 MOSFET de Enriquecimiento
Canal N
2.2 MOSFET de
Enriquecimiento Canal P
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de
Campo
MESFET (del ingls, Metal Effect
Semiconductor FET
Consiste en un canal
conductor situada entre una fuente y
desage en contacto con la regin,
como se muestra en la siguiente
figura. El portador de flujo desde la
fuente a la fuga est controlada por
una puerta de metal Schottky. El
control de la canal se obtiene por la
variacin de la anchura de
agotamiento de la capa de metal
debajo de los contactos que modula
Su ventaja
el espesor clave
de la canal es laende,
y, por mayorla movilidad de los
portadores
realizacinen
deellacanal y su desventaja es la presencia de la
actual.
puerta de metal Schottky que limita con inters la tensin de
polarizacin en la puerta.
TRANSISTORES
Transistores HBT y
HEMT
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras
Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor
(De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales
formados por la combinacin de diferentes componentes,
con distinto salto de banda prohibida.
1.
HEMT
Un HEMT es un transistor con un cruce entre dos
materiales con diferentes lagunas de banda (es decir,
una heterounin) como el canal en lugar de una n-
dopada regin. Una combinacin es de uso comn con
GaAs AlGaAs.
TRANSISTORES
Transistores HBT y
HEMT
El efecto de este cruce es el de crear una capa
muy delgada de la realizacin de los electrones con
bastante elevada concentracin, dando el canal de
resistividad muy baja (o dicho de otro modo, "de
electrones de alta movilidad"). Esta capa es conocido
como bidimensional de electrones del gas. Al igual que
con todos los otros tipos de FETs, un voltaje aplicado a la
puerta altera la conductividad de esta capa.
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Dra
in) y
S=Fuente(Source
).
TRANSISTORES
2. HBT
El transistor bipolar
de heterounin (HBT) es una
mejora de la salida del
transistor bipolar (BJT), que
puede manejar las seales de
frecuencias muy altas de
hasta varios cientos de GHz.
Es comn en los circuitos
modernos ultrarpida, en su
mayoraLadeprincipal
radio (RF) de los entre el BJT y HBT es el
diferencia
sistemas.
uso de diferentes materiales semiconductores para el
emisor y la base de las regiones, la creacin de una
heterounin. El efecto es limitar la inyeccin de
agujeros en la base de regin, ya que el posible
obstculo en la banda de valencia es tan grande.
TRANSISTORES
Fototransis
tores
Es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Fototransist
Si se desea aumentar la s
sensibilidad del transistor, debido a
la baja iluminacin, se puede
incrementar la corriente de base
(IB ), con ayuda de polarizacin
externa.El circuito equivalente de un
fototransistor, es un transistor comn
con un fotodiodo conectado entre la
base y el colector, con el ctodo del
fotodiodo conectado al colector del
transistor y el nodo a la base.
En el grfico se puede ver el
circuito equivalente de un fototransistor.
Se observa que est compuesto por un
fotodiodo y un transistor. La corriente
que entrega el fotodiodo (circula hacia la
base del transistor) se amplifica
veces, y es la corriente que puede