Introduccin a los Tiristores

Los tiristores fueron, durante muchos aos, los

dispositivos que dominaban la electrnica de
potencia
Son dispositivos bipolares de ms de dos uniones
Los Tiristores

Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de

manejar grandes corrientes y tensiones
(modulacin de la conductividad)
Los ms importantes son:
- El Rectificador Controlado de Silicio (Silicon
Controlled Rectifier, SCR), al que se le aplica
muchas veces el nombre de Tiristor
- El GTO (Gate Turn-Off thyristor) o Tiristor
apagado por puerta
- El TRIAC (Triode AC ) o Triodo para Corriente
Alterna
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

La base de los tiristores es la estructura PNPN

P P
E2
N N N
Los Tiristores

B2
P P P C1
C2
N N B1
E1

Se trata de una estructura realimentada que admite dos

estados estables (es como un biestable)
 La estructura de 3 uniones (4 capas)
Ahora inyectamos corriente
en la unin B1-E1 desde una
Polarizac fuente externa Vg
in
+
E directa
-
R
2

C2 B2
+ +
Pol.
E2 - R
Los Tiristores

inversa -B 1
C1
VCC C2 B2
+
+ E1 ig
Polarizac -
Rg
-B 1
C1
in + E1 VCC
directa Vg
iB1
-
La estructura de 4 capas
puede soportar tensin
sin conducir corriente, ya Ahora circula iB1 = ig
que una unin queda por la unin B1-E1
polarizada inversamente
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

iB1 genera iC1 = 1iB1

iB2 Pero iC1 = iB2; por tanto:
2
R
iC2 = 2iB2 = 2 1iB1
iC1
ig iC2 - La corriente iB1 ser ahora:
+
Los Tiristores

1 VCC iB1 = ig + iC2 = ig + 2 1iB1

Rg iB1
Vg Es decir, iB1 2 1iB1 >> iB1
iB1

Conclusiones:
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores
- Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un
cortocircuito
- La corriente ig puede eliminarse y la situacin no cambia
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados,

dependiendo de la historia anterior:

- Con la estructura de 4 - Con la estructura de 4

capas sin conducir capas conduciendo

iCC =0 A iCC VCC/R

Los Tiristores

+
+ 0V + + 0,7 V
-
R
-
R

VCC VCC
+ 0,5 V -
- VCC 0,9 V +
+
VCC

0V
+
- - 0,7 V
-
-
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas

conduzca? (I)
- Aumentando mucho VCC: las
- Inyectando corriente en B1
corrientes inversas de las uniones
(ya explicado) base-colector alcanzan valores
suficientes para la saturacin
i V /R mutua de los transistores
Los Tiristores

CC CC
iCC VCC/R
+ 0,9 V
R + 0,9 V
R

iC1
VCC iC2

Rg B1 VCC
Esto slo ocurre cuando
Vg - las son suficientemente
grandes, lo que se alcanza -
cuando las corrientes
inversas tambin lo son
 La estructura de 3 uniones (4 capas)

Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas

conduzca? (II)
- Sometiendo a la estructura a una - Haciendo incidir radiacin
fuerte derivada de tensin: la (luz) en la zona B1
corriente de carga de la capacidad
parsita colector base pone en
conduccin la estructura
Los Tiristores

iCC VCC/R
iCC VCC/R

+ 0,9 V
+ 0,9 V iB2 R
iB2 R
+ iC2
iC2 iC1 iB1
VCC
VCC B1

iB1
Luz -
-
 El SCR
Es el tiristor por antonomasia
Su smbolo es como el de un diodo con un
terminal ms (la puerta)
Se enciende (dispara) por puerta
No se puede apagar por puerta

Estructura interna
Los Tiristores

nodo
A
(A) iA
+ P
VAK
N-
- P-
Ctodo N
(K)
Puerta K G
(G)
 El SCR
Curva caracterstica sin corriente de puerta

Polarizacin directa cuando

iA [A] est ya disparado (como un
diodo en polarizacin directa)

Disparo por
sobretensin
Los Tiristores

nodo-ctodo

-600 V VAK [V]

0 600 V

Polarizacin directa a
tensin menor de la
Polarizacin inversa disparo por sobretensin
(como un diodo) nodo-ctodo (como un
diodo en polarizacin
inversa)
 El SCR
Curva caracterstica con corriente de puerta

Polarizacin directa cuando

iA [A] est ya disparado (como un
diodo en polarizacin directa)
Los Tiristores

Disparo por
Disparo sobretensin
por puerta nodo-ctodo

ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VAK [V]

0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4

 El SCR
Disparo por puerta:
- Es el modo de disparo deseado

Lmite de disipacin
iA de potencia
+ A VGK Unin
fra
VAK
Los Tiristores

Vg
K G ig
-
+ Unin caliente
Rg Vg/Rg ig
VGK 0
Vg Zona de disparo
- imposible

- Para que se mantenga disparado, la corriente nodo-ctodo

tiene que ser mayor que el valor llamado latching current

En disparo se realiza con poca potencia

(bajos niveles de corriente y tensin)
 El SCR

Apagado del SCR :

- No se puede hacer por puerta
- Para apagarse, el valor de su corriente nodo-ctodo tiene
que bajar por debajo de un valor llamado corriente de
Los Tiristores

mantenimiento (holding current)

- Aunque en el pasado los SCRs se usaban en todo tipo de
convertidores, su dificultad para apagarlos los ha relegado
a conversiones con entrada en alterna y a aplicaciones de
altsima potencia
- En aplicaciones de entrada en continua, se usaban
circuitos auxiliares para conseguir el apagado (con
bobinas, condensadores y SRCs auxiliares)
 Caractersticas de un
ejemplo de SCR

Los Tiristores
 Caractersticas de un
ejemplo de SCR

Los Tiristores
 Caractersticas de un
ejemplo de SCR

Los Tiristores
 Caractersticas de un
ejemplo de SCR

Los Tiristores
 El GTO

nodo Es un SCR que se puede apagar por puerta

(A)
La corriente de encendido es similar a la de
un SCR
Se apaga por corriente saliente en puerta,
que llega a ser tan grande como un tercio de la
Puerta
Los Tiristores

de nodo-ctodo
(G)
Su capacidad de soportar tensin directa
Ctodo cuando no est disparado es alta
(K)
Su capacidad de soportar tensin inversa es
Smbolo muy limitada (unos 30 V)
Es un dispositivo lento, pensado para
aplicaciones de muy alta potencia
La estructura interna es muy compleja
 El GTO

Los Tiristores

Estructura interna de un GTO (obtenida del texto "Power Electronics:

Converters, Applications and Design de N. Mohan, T. M. Undeland y W.
P. Robbins. Editorial John Wiley and Sons.)
 El TRIAC Es el equivalente a dos SCRs
conectados en antiparalelo
No se puede apagar por puerta
Terminal 2 T2
(T2) T2
N
P
Los Tiristores

N-
P-
N N

Puerta
Terminal 1 (G) G
(T1) G
T1 T1
Smbolo
Equivalente Estructura
interna
 El TRIAC
Curva caracterstica sin corriente de puerta

Polarizacin directa cuando

iT2 [A] est ya disparado (como un
diodo en polarizacin directa)

Disparo por
sobretensin
Los Tiristores

T2-T1

-600 V VT2T1 [V]

0 600 V

Polarizacin inversa: se
comporta como en
polarizacin directa
Polarizacin directa a
tensin menor de la
disparo por sobretensin
T2-T1
 El TRIAC
Curva caracterstica con corriente de puerta
iT2 [A]

Disparo por
Disparo sobretensin
por puerta T2-T1
Los Tiristores

ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VT2T1 [V]
ig = 0 ig1 ig2 ig3 ig4

Disparo por Facilidad

Hay 4 modos posibles:
sobretensin
T2-T1 - Modo I+: VT2T1 > 0 y iG > 0 1

Las corrientes de - Modo I-: VT2T1 > 0 y iG < 0 3

puerta pueden ser
- Modo III+: VT2T1 < 0 y iG > 0 4
positivas o negativas
- Modo III-: VT2T1 < 0 y iG < 0 2
Desaconsejado
 El DIAC
No es un componente de potencia, sino que es un
componente auxiliar para el disparo de TRIACs
Slo tiene dos terminales y es simtrico
A2
iA2 A2
iA2 [A]
+
P N
VA2A1
Los Tiristores

A1 - -30 V VA2A1 [V] N

0 30 V
Smbolo P
N
A1
Estructura
Curva caracterstica interna
Cpsula
DO-35

Ejemplo de DIAC